检索结果-维普期刊中文期刊服务平台

基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1: 1; 作者倪金玉孔岑 +1 位作者周建军孔月婵《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期53-56,共4页; 基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,... 展开更多; 关键词单片集成 p-gan帽层增强型gan功率电子器件数字电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

国家重点研发计划“GaN基新型电力电子器件关键技术”年度交流会议召开被引量：1: 2; 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期13-13,共1页; 1月12日,由西安电子科技大学敖金平教授牵头承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“GaN基新型电力电子器件关键技术”的年度交流会在深圳大学物理光电中心举行。西安电子科技大学微电子学院和科研院以及来自北京... 展开更多; 关键词电力电子器件 gan 交流会技术研发西安电子科技大学功率器件深圳大学; 在线阅读下载PDF 职称材料

第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战被引量：30: 3; 作者何亮刘扬《电源学报》 CSCD 2016年第4期1-13,共13页; 氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实... 展开更多; 关键词氮化镓 Si衬底上gan功率电子器件 gan MOSFET器件产业化; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 4; 作者赵正平《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。... 展开更多; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; 在线阅读下载PDF 职称材料

GaN功率开关器件研究现状被引量：2: 5; 作者王玮王宏兴《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期99-109,共11页; 第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。概述了GaN功率开关器件的研究现状及最新进展。从材料外延与... 展开更多; 关键词氮化镓(gan) 功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型动态导通电阻; 在线阅读下载PDF 职称材料

英飞凌将与松下电器联袂推出常闭型600V GaN功率器件: 6; 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期249-249,共1页; 2015年3月20日,英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基氮化镓（Ga N）晶体管结构,与英飞凌的表贴（SMD）封装的Ga N器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其... 展开更多; 关键词松下电器公司功率器件 gan 常闭式股份公司管结构氮化镓增强型; 在线阅读下载PDF 职称材料

苏州纳米所在GaN基功率器件界面控制研究中取得进展: 7; 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1423-1423,共1页; 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台研究员张宝顺课题组一直致力于高压大功率GaN基电力电子器件的研究工作。目前,通过自主研发以及与香港科技大学教授陈敬课题组进行合作,利用LPCVD（低压化学气相沉积）沉积栅介质层... 展开更多; 关键词纳米技术 gan 界面控制功率器件苏州低压化学气相沉积电力电子器件香港科技大学; 在线阅读下载PDF 职称材料

相控阵和雷达技术的突破(英文) 被引量：6: 8; 作者 Brookner 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2006年第10期1-4,共4页; 许多人认为雷达是一个成熟的领域,不会发生任何新的变化,这种看法存在很久了,没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候,我也有过同样的看法,例如,我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了,不需要增加任何新的... 展开更多; 关键词雷达有源相控阵 MMIC MEMS T/R组件相控阵 AESA 电扫 GaAs gan SiC CMOS 数字波束形成自适应阵列旁瓣对消器超宽带天线金属材料电子管真空电子器件回旋管磁控管速调管行波管微波功率组件 MPM 功率放大组件 SBX GBR—P; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术被引量：1: 1; 作者倪金玉孔岑周建军孔月婵; 机构微波毫米波单片集成和模块电路重点实验室; 出处《电源学报》 CSCD 北大核心 2019年第3期53-56,共4页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0402802)~~; 文摘基于含p-GaN帽层的Si基GaN材料,实现了增强型GaN功率电子器件与数字电路单片集成技术的开发。在同一片晶圆上实现了增强型高压GaN器件、DCFL结构反相器和17级环形振荡器。高压GaN功率电子器件阈值电压VTH达到1.2V,击穿电压VBD达到700V,输出电流ID达到8A,导通电阻RON为300mΩ。基于E/D集成技术的DCFL结构反相器低噪声和高噪声容限分别为0.63V和0.95V;所研制17级环形振荡器在输入6V条件下振荡频率345MHz,级延时为85ps。; 关键词单片集成 p-gan帽层增强型gan功率电子器件数字电路; Keywords monolithic integration p-gan cap enhancement-mode gan power electronic device digital circuit; 分类号 TM23 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名国家重点研发计划“GaN基新型电力电子器件关键技术”年度交流会议召开被引量：1: 2; 出处《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2019年第3期13-13,共1页; 文摘 1月12日,由西安电子科技大学敖金平教授牵头承担的国家重点研发计划“战略性先进电子材料”重点专项项目“GaN基新型电力电子器件关键技术”的年度交流会在深圳大学物理光电中心举行。西安电子科技大学微电子学院和科研院以及来自北京大学、南京大学、深圳大学等13家参研单位的课题负责人、科研骨干等15人参加了会议。随后,项目的四个课题负责人分别针对各自课题作了研究报告。课题一由敖金平教授介绍了2018年高阈值电压高速度常关型GaN基平面功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题二由北京大学王茂俊副教授介绍2018年度高耐压GaN基垂直结构功率器件方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题三由南京大学叶建东教授介绍2018年度GaN基功率器件雪崩击穿效应与新型耐压结构方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。课题四由深圳大学刘新科副教授介绍2018年度高频高效率超小型GaN基功率开关电源模块方向取得的进展,并对2019年工作进行展望。; 关键词电力电子器件 gan 交流会技术研发西安电子科技大学功率器件深圳大学; 分类号 TM1-2 [电气工程—电工理论与新技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战被引量：30: 3; 作者何亮刘扬; 机构中山大学电子与信息工程学院中山大学电力电子及控制技术研究所; 出处《电源学报》 CSCD 2016年第4期1-13,共13页; 基金国家自然科学基金资助项目(51177175) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2014AA032606) 广东省自然科学基金资助项目(2015A030312011)~~; 文摘氮化镓(GaN)材料具有优异的物理特性,非常适合于制作高温、高速和大功率电子器件,具有十分广阔的市场前景。Si衬底上GaN基功率开关器件是目前的主流技术路线,其中结型栅结构(p型栅)和共源共栅级联结构(Cascode)的常关型器件已经逐步实现产业化,并在通用电源及光伏逆变等领域得到应用。但是鉴于以上两种器件结构存在的缺点,业界更加期待能更充分发挥GaN性能的"真"常关MOSFET器件。而GaN MOSFET器件的全面实用化,仍然面临着在材料外延方面和器件稳定性方面的挑战。; 关键词氮化镓 Si衬底上gan功率电子器件 gan MOSFET器件产业化; Keywords gan gan power electronic devices on Si substrate gan MOSFET industrialization; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换被引量：6: 4; 作者赵正平; 机构中国电子科技集团公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期1-6,13,共7页; 文摘 GaN材料具有高的击穿场强、高的载流子饱和速度和能形成高迁移率、高密度的二维电子气,使得GaN功率开关器件具有关断电压高、导通电阻小、工作频率高等特点。GaN功率开关器件将成为高效率与超高频(UHF)电力电子学发展的重要基础之一。综述了GaN功率开关器件的发展历程、现状、关键技术突破、应用研究和微功率变换集成。重点评估了常开和常关两类GaN功率开关器件的异质结外延材料的结构、器件结构优化、器件的关键工艺、增强型器件的形成技术、器件性能、可靠性、应用特点和微系统集成。最后总结了新世纪以来GaN新一代电力电子器件技术进步的亮点。; 关键词常开gan功率开关器件常关gan功率开关器件 gan高电子迁移率晶体管 (HEMT) gan异质结场效应晶体管(HFET) 增强型器件功率变换; Keywords normally-on gan powerhigh electron mobility transistor （HEMT）hancement-mode device power conversionswitch gandevice normally-offheterojunctiongan power switch device ganeffect transistor （HFET） en-; 分类号 TN323 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名GaN功率开关器件研究现状被引量：2: 5; 作者王玮王宏兴; 机构西安交通大学电子科学与工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2020年第2期99-109,共11页; 基金囯家重点研发计划资助项目(2017YFB0402800,2017YFB0402802) 中国博士后科学基金资助项目(2019M653637).; 文摘第三代半导体材料氮化镓(GaN)具有宽禁带、高临界击穿场强、高电子迁移率、高饱和电子漂移速度等优良特性,基于GaN材料的功率开关器件在高速、大功率领域具有广阔的应用前景。概述了GaN功率开关器件的研究现状及最新进展。从材料外延与器件结构切入,详细介绍了Si基GaN外延晶圆、自支撑GaN垂直结构场效应晶体管(FET)器件和增强型GaN功率器件的实现方法、结构设计及制备工艺研究等GaN功率器件热门研究方向。讨论了GaN功率开关器件面临的挑战。最后对Si基GaN外延晶圆、增强型GaN功率开关器件产业化等发展趋势进行了分析与展望。; 关键词氮化镓(gan) 功率开关高电子迁移率晶体管(HEMT) 增强型动态导通电阻; Keywords gallium nitride(gan) power switch high electron mobility transistor(HEMT) enhancement mode dynamic on resistance; 分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名英飞凌将与松下电器联袂推出常闭型600V GaN功率器件: 6; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期249-249,共1页; 文摘 2015年3月20日,英飞凌科技股份公司和松下电器公司宣布,两家公司已达成协议,将联合开发采用松下电器的常闭式（增强型）硅基氮化镓（Ga N）晶体管结构,与英飞凌的表贴（SMD）封装的Ga N器件。在此背景下,松下电器向英飞凌授予了使用其常闭型Ga N晶体管结构的许可。按照这份协议的规定,两家公司均可生产高性能Ga N器件。; 关键词松下电器公司功率器件 gan 常闭式股份公司管结构氮化镓增强型; 分类号 TN303 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名苏州纳米所在GaN基功率器件界面控制研究中取得进展: 7; 机构中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所; 出处《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心 2017年第4期1423-1423,共1页; 文摘中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所纳米加工平台研究员张宝顺课题组一直致力于高压大功率GaN基电力电子器件的研究工作。目前,通过自主研发以及与香港科技大学教授陈敬课题组进行合作,利用LPCVD（低压化学气相沉积）沉积栅介质层和表面钝化层技术.; 关键词纳米技术 gan 界面控制功率器件苏州低压化学气相沉积电力电子器件香港科技大学; 分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名相控阵和雷达技术的突破(英文) 被引量：6: 8; 作者 Brookner; 机构雷声公司; 出处《现代雷达》 CSCD 北大核心 2006年第10期1-4,共4页; 文摘许多人认为雷达是一个成熟的领域,不会发生任何新的变化,这种看法存在很久了,没有比这个看法更错误的了。当我1950年参与到雷达领域的时候,我也有过同样的看法,例如,我认为麻省理工学院的雷达丛书已经是包罗万象了,不需要增加任何新的内容。然而我是多么的错啊,从那时起雷达技术领域中已经发生了许多令人眼花嘹乱的发展,雷达一直受益于Moore′s定律和许多新的技术上的成果,例如,MMICGaAsT/R组件和相控阵组件。现在雷达技术发展得更快了,在这篇文章里,我将给出某些最近突破的例子,所要提到的主题在图1中示出。; 关键词雷达有源相控阵 MMIC MEMS T/R组件相控阵 AESA 电扫 GaAs gan SiC CMOS 数字波束形成自适应阵列旁瓣对消器超宽带天线金属材料电子管真空电子器件回旋管磁控管速调管行波管微波功率组件 MPM 功率放大组件 SBX GBR—P; Keywords Radar, active-phased arrays MMIC MEMS T/R module phased array AESA electronic scanning GaAs gan SiC SiGe CMOS, digital beam forming adaptive arrays sidelobe canceler Uhra-Wideband Antenna metal materials tube Vacuum Electron Device gyroklystron gyrotwystron magnetron klystron traveling wave tube TWT microwave power modules MPM power amplifier module （PAM） SBX GBR-P; 分类号 TN958.92 [电子电信—信号与信息处理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于p-GaN结构的GaN HEMT功率电子器件和数字电路单片集成技术	倪金玉孔岑周建军孔月婵	《电源学报》 CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	国家重点研发计划“GaN基新型电力电子器件关键技术”年度交流会议召开		《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
3	第三代半导体GaN功率开关器件的发展现状及面临的挑战	何亮刘扬	《电源学报》 CSCD	2016	30	在线阅读下载PDF 职称材料
4	GaN功率开关器件的发展与微尺度功率变换	赵正平	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	6	在线阅读下载PDF 职称材料
5	GaN功率开关器件研究现状	王玮王宏兴	《半导体技术》 CAS 北大核心	2020	2	在线阅读下载PDF 职称材料
6	英飞凌将与松下电器联袂推出常闭型600V GaN功率器件		《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2015	0	在线阅读下载PDF 职称材料
7	苏州纳米所在GaN基功率器件界面控制研究中取得进展		《硅酸盐通报》 CAS CSCD 北大核心	2017	0	在线阅读下载PDF 职称材料
8	相控阵和雷达技术的突破(英文)	Brookner	《现代雷达》 CSCD 北大核心	2006	6	在线阅读下载PDF 职称材料