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高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT
被引量：
3
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作者
李茂林
陈万军
+6 位作者
王方洲
施宜军
崔兴涛
信亚杰
刘超
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期265-269,290,共6页
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终...
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。
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关键词
增强型
al
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金属
-
绝缘体
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半导体
高
电子
迁移
率
晶体管
(
mis-hemt
)
阈值电压
界面态
热氧化
退火
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职称材料
题名
高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT
被引量：
3
1
作者
李茂林
陈万军
王方洲
施宜军
崔兴涛
信亚杰
刘超
李肇基
张波
机构
电子科技大学电子科学与工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第4期265-269,290,共6页
基金
四川省青年科技基金资助项目(2017JQ0020)
广东省重大科技专项资助项目(2017B010112003)
中央高校基本科研业务费资助项目(ZYGX2016Z006)
文摘
采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺并结合高温氮气氛围退火技术,制备出了高阈值电压的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN金属-绝缘体-半导体高电子迁移率晶体管(MIS-HEMT)。采用高温热氧化栅极凹槽刻蚀工艺刻蚀AlGaN层,并在AlGaN/GaN界面处自动终止刻蚀,可有效控制刻蚀的精度并降低栅槽表面的粗糙度。同时,利用高温氮气退火技术能够修复Al_2O_3/GaN界面的界面陷阱,并降低Al_2O_3栅介质体缺陷,因此能够减少Al_2O_3/GaN界面的界面态密度并提升栅极击穿电压。采用这两项技术制备的硅基GaN增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT具有较低的栅槽表面平均粗糙度(0.24 nm)、较高的阈值电压(4.9 V)和栅极击穿电压(14.5 V)以及较低的界面态密度(8.49×10^(11) cm^(-2))。
关键词
增强型
al
2
o
3
/gan
金属
-
绝缘体
-
半导体
高
电子
迁移
率
晶体管
(
mis-hemt
)
阈值电压
界面态
热氧化
退火
Keywords
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al
ing
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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题名
作者
出处
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1
高阈值电压低界面态增强型Al_2O_3/GaN MIS-HEMT
李茂林
陈万军
王方洲
施宜军
崔兴涛
信亚杰
刘超
李肇基
张波
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019
3
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