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PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展
被引量：
7
1
作者
王宇
顾鹏
+3 位作者
付君
王鹏刚
雷沛
袁丽
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第12期2137-2152,共16页
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高温、高频、高功率以及高压器件的理想材料之一,可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限,并被誉为...
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高温、高频、高功率以及高压器件的理想材料之一,可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限,并被誉为带动“新能源革命”的绿色能源器件。作为制造功率器件的核心材料,碳化硅单晶衬底的生长是关键,尤其是单一4H-SiC晶型制备。各晶型体结构之间有着良好的结晶学相容性和接近的形成自由能,导致所生长的碳化硅晶体容易形成多型夹杂缺陷并严重影响器件性能。为此,本文首先概述了物理气相传输(PVT)法制备碳化硅晶体的基本原理、生长过程以及存在的问题,然后针对多型夹杂缺陷的产生给出了可能的诱导因素并对相关机理进行解释,进一步介绍了常见的碳化硅晶型结构鉴别方式,最后对碳化硅晶体研究作出展望。
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关键词
碳化硅晶体
物理气相传输
堆垛次序
多型夹杂
缺陷抑制
晶型鉴别
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职称材料
题名
PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展
被引量：
7
1
作者
王宇
顾鹏
付君
王鹏刚
雷沛
袁丽
机构
北京大学地球与空间科学学院
眉山博雅新材料股份有限公司
眉山天乐半导体材料有限公司
出处
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022年第12期2137-2152,共16页
文摘
作为第三代半导体材料的典型代表,碳化硅因具备宽的带隙、高的热导率、高的击穿电场以及大的电子迁移速率等性能优势,被认为是制作高温、高频、高功率以及高压器件的理想材料之一,可有效突破传统硅基功率半导体器件的物理极限,并被誉为带动“新能源革命”的绿色能源器件。作为制造功率器件的核心材料,碳化硅单晶衬底的生长是关键,尤其是单一4H-SiC晶型制备。各晶型体结构之间有着良好的结晶学相容性和接近的形成自由能,导致所生长的碳化硅晶体容易形成多型夹杂缺陷并严重影响器件性能。为此,本文首先概述了物理气相传输(PVT)法制备碳化硅晶体的基本原理、生长过程以及存在的问题,然后针对多型夹杂缺陷的产生给出了可能的诱导因素并对相关机理进行解释,进一步介绍了常见的碳化硅晶型结构鉴别方式,最后对碳化硅晶体研究作出展望。
关键词
碳化硅晶体
物理气相传输
堆垛次序
多型夹杂
缺陷抑制
晶型鉴别
Keywords
SiC crystal
physical vapor transport
stacking sequence
polytype inclusion
defect suppression
polytype identification
分类号
TQ163.4 [化学工程—高温制品工业]
TN304 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
PVT法生长4H-SiC晶体及多型夹杂缺陷研究进展
王宇
顾鹏
付君
王鹏刚
雷沛
袁丽
《人工晶体学报》
CAS
北大核心
2022
7
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职称材料
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