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3D堆叠芯片硅通孔容错设计被引量：1: 1; 作者张玲王伟征梅军进《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2015年第14期11-16,共6页; 3D堆叠芯片采用硅通孔(Through-Silicon Vias,TSVs)技术垂直连接多个裸晶(die),具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大... 展开更多; 关键词 3D堆叠芯片硅通孔容错技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

埋入堆叠芯片封装结构的电学仿真和优化被引量：2: 2; 作者谢慧琴李君 +1 位作者曹立强万里兮《现代电子技术》 2014年第16期138-143,共6页; 埋入堆叠芯片技术在实现封装小型化的同时,增加了封装电学设计的复杂性。以一个数字系统为例,详细阐述了埋入堆叠芯片封装结构的电学设计过程。利用电磁仿真软件提取了该封装结构的寄生参数,并通过S参数、延时、反射分析,确定长绑定线... 展开更多; 关键词埋入堆叠芯片 S参数延时反射眼图; 在线阅读下载PDF 职称材料

3D堆叠芯片硅通孔的电-热-力耦合构形设计被引量：4: 3; 作者关潇男谢志辉 +2 位作者南刚冯辉君戈延林《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期650-657,共8页; 建立了3D堆叠芯片硅通孔(TSV)单元体模型,在单元体总体积和TSV体积占比给定时,考虑电-热-力耦合效应,以最高温度、[火积]耗散率、最大应力和最大形变为性能指标,对TSV横截面长宽比和单元体横截面长宽比进行双自由度构形设计优化。结果表... 展开更多; 关键词构形理论 [火积]理论 3D堆叠芯片多物理场耦合硅通孔(TSV); 在线阅读下载PDF 职称材料

基于Cavity基板技术的堆叠芯片封装设计与实现被引量：1: 4; 作者谢慧琴曹立强 +4 位作者李君张童龙虞国良李晨万里兮《科学技术与工程》北大核心 2014年第20期224-228,共5页; 介绍了一种适用于堆叠芯片的封装结构。采用层压、机械铣刀开槽等工艺获得Cavity基板,通过引线键合(wire bonding,WB)和倒装焊(flip chip,FC)两种方式实现堆叠芯片与基板的互连,并将堆叠芯片埋入Cavity基板。最后,将包含4款有源芯片和2... 展开更多; 关键词 Cavity基板堆叠芯片小型化高密度; 在线阅读下载PDF 职称材料

湍流模型下堆叠芯片温度场分析被引量：1: 5; 作者李继生王婷黄战武《现代电子技术》 2014年第5期134-136,共3页; 风扇散热的原理是较冷空气流过芯片或PCB板时,通过热对流方法吸收芯片发出的热,变成较热的空气流出,从而达到驱散芯片间热空气的目的。当堆叠在一起的芯片之间有空气匀速流过,且速度v较大时,芯片的散热方式主要是热对流,而热传导、热辐... 展开更多; 关键词堆叠芯片匀速空气流动热分析散热热对流; 在线阅读下载PDF 职称材料

多层芯片堆叠封装方案的优化方法被引量：5: 6; 作者郑建勇陈一杲 +1 位作者张志胜史金飞《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1058-1061,共4页; 芯片堆叠封装是提高存储卡类产品存储容量的主流技术之一,采用不同的芯片堆叠方案,可能会产生不同的堆叠效果。针对三种芯片堆叠的初始设计方案进行了分析,指出了堆叠方案失败的原因和不足。结合两种典型芯片堆叠封装结构(金字塔型和悬... 展开更多; 关键词芯片堆叠封装优化方法存储卡类产品; 在线阅读下载PDF 职称材料

芯片堆叠封装耐湿热可靠性被引量：3: 7; 作者唐宇廖小雨 +2 位作者黄杰豪吴志中李国元《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期539-544,共6页; 采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效... 展开更多; 关键词芯片堆叠封装湿气扩散湿热应力界面分层有限元分析(FEA); 在线阅读下载PDF 职称材料

3D IC系统架构概述被引量：1: 8; 作者陈昊谢业磊 +1 位作者庞健欧阳可青《中兴通讯技术》北大核心 2024年第S01期76-83,共8页; 随着芯片制造工艺接近物理极限,使用多Die堆叠的三维集成电路(3D IC)已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。利用3D IC将芯片垂直堆叠集成,可以极大程度降低互联长度,提升互联带宽。详细介绍了一些常见的3D IC系统架构方案,说明了使用不... 展开更多; 关键词三维集成电路三维堆叠芯片三维片上系统存储堆叠逻辑逻辑堆叠逻辑; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3D堆叠芯片硅通孔容错设计被引量：1: 1; 作者张玲王伟征梅军进; 机构湖北理工学院计算机学院长沙理工大学计算机与通信工程学院; 出处《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心 2015年第14期11-16,共6页; 基金国家自然科学基金(No.61303042 No.61472123) +3 种基金湖北理工学院大学生创新项目(No.13cx25); 文摘 3D堆叠芯片采用硅通孔(Through-Silicon Vias,TSVs)技术垂直连接多个裸晶(die),具有较高的芯片性能和较低的互连损耗,引起工业界和学术界的广泛关注。随着3D芯片堆叠层数的增加,一个TSV小故障都可能导致成本的大幅度增加和芯片良率的大幅度降低。TSV的密度与故障的发生概率有着密切的关系,TSV密度较大时,其发生故障的概率就会增大。为了减少故障产生的概率,提高良率,提出一种以密度为导向的TSV容错结构,首先将TSV平面分成多个密度区间,密度较大区间的信号TSV被分配较多的修复TSV,但同时此区间上设计尽量少的修复TSV,以减少此区间内总的TSV密度。理论分析和实验结果均表明该方法可以有效地减少故障发生的概率,并对故障TSV进行修补,同时具有较小的硬件代价。; 关键词 3D堆叠芯片硅通孔容错技术; Keywords 3D stacked chip Through Silicon Via（TSV） fault-tolerant design; 分类号 TP306 [自动化与计算机技术—计算机系统结构]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名埋入堆叠芯片封装结构的电学仿真和优化被引量：2: 2; 作者谢慧琴李君曹立强万里兮; 机构中国科学院微电子研究所华进半导体封装先导技术研发中心有限公司; 出处《现代电子技术》 2014年第16期138-143,共6页; 基金重大科学技术专项(2011ZX02601-002-02); 文摘埋入堆叠芯片技术在实现封装小型化的同时,增加了封装电学设计的复杂性。以一个数字系统为例,详细阐述了埋入堆叠芯片封装结构的电学设计过程。利用电磁仿真软件提取了该封装结构的寄生参数,并通过S参数、延时、反射分析,确定长绑定线为影响链路信号质量的关键因素,其影响直接限制了埋入堆叠芯片技术的应用范围。运用RLC传输线模型分析了长绑定线造成大的信号质量衰减的原因。最后,提出了一种大幅减短绑定线长度并提升链路电学性能的优化结构,拓展了此技术在高速领域的应用。眼图的对比结构表明,新结构能降低链路的阻抗失配,减小信号延时,并大大改善高速信号的质量。; 关键词埋入堆叠芯片 S参数延时反射眼图; Keywords embedded stacked-die S-parameter time delay reflection eye diagram; 分类号 TN710-34 [电子电信—电路与系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3D堆叠芯片硅通孔的电-热-力耦合构形设计被引量：4: 3; 作者关潇男谢志辉南刚冯辉君戈延林; 机构海军工程大学动力工程学院武汉工程大学热科学与动力工程研究所武汉工程大学机电工程学院; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第8期650-657,共8页; 基金国家自然科学基金资助项目(51979278,51579244,51506220)。; 文摘建立了3D堆叠芯片硅通孔(TSV)单元体模型,在单元体总体积和TSV体积占比给定时,考虑电-热-力耦合效应,以最高温度、[火积]耗散率、最大应力和最大形变为性能指标,对TSV横截面长宽比和单元体横截面长宽比进行双自由度构形设计优化。结果表明,存在最佳的TSV横截面长宽比使得单元体的最高温度、[火积]耗散率和最大应力取得极小值,但对应不同优化目标的最优构形各有不同,且TSV两端电压和芯片发热功率越大,其横截面长宽比对各性能指标的影响越大。铜、铝、钨3种材料中,钨填充TSV的热学和力学性能最优,但其电阻率较大。铜填充时,4个指标中最大应力最敏感,优先考虑最大应力最小化设计需求以确定TSV几何参数,可以较好兼顾其他性能指标。; 关键词构形理论 [火积]理论 3D堆叠芯片多物理场耦合硅通孔(TSV); Keywords constructal theory entransy theory 3D stacked chip multi-physics field coupling through-silicon via(TSV); 分类号 TN403 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于Cavity基板技术的堆叠芯片封装设计与实现被引量：1: 4; 作者谢慧琴曹立强李君张童龙虞国良李晨万里兮; 机构中国科学院微电子研究所华进半导体封装先导技术研发中心有限公司南通富士通微电子股份有限公司; 出处《科学技术与工程》北大核心 2014年第20期224-228,共5页; 基金国家重大科技专项(2011ZX02601-002-02)资助; 文摘介绍了一种适用于堆叠芯片的封装结构。采用层压、机械铣刀开槽等工艺获得Cavity基板,通过引线键合(wire bonding,WB)和倒装焊(flip chip,FC)两种方式实现堆叠芯片与基板的互连,并将堆叠芯片埋入Cavity基板。最后,将包含4款有源芯片和22个无源器件的小系统高密度集成在一个16 mm×16 mm的标准球栅阵列封装(ball grid array,BGA)封装体内。相比较于传统的二维封装结构,该封装结构将封装面积减小了40%,封装高度减小500μm左右,并将堆叠芯片与基板的互连空间增加了2倍。对这款封装结构的设计过程进行了详细的阐述,并验证了该封装设计的工艺可行性。; 关键词 Cavity基板堆叠芯片小型化高密度; Keywords Cavity-substrate die-stacking miniaturization high density; 分类号 TN41 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名湍流模型下堆叠芯片温度场分析被引量：1: 5; 作者李继生王婷黄战武; 机构陕西长岭光伏电气有限公司西安电子科技大学电路CAD研究所; 出处《现代电子技术》 2014年第5期134-136,共3页; 文摘风扇散热的原理是较冷空气流过芯片或PCB板时,通过热对流方法吸收芯片发出的热,变成较热的空气流出,从而达到驱散芯片间热空气的目的。当堆叠在一起的芯片之间有空气匀速流过,且速度v较大时,芯片的散热方式主要是热对流,而热传导、热辐射等散热方式可以忽略不计。通过模拟匀速流动的空气在堆叠芯片中流过的情景,建立了堆叠芯片和匀速流动空气的模型,结合热力学理论,分析了空气流动时板的吸热和温度变化情况,得到了空气匀速流过时堆叠芯片间温度均匀变化的结论,为堆叠芯片的散热提供了理论依据。; 关键词堆叠芯片匀速空气流动热分析散热热对流; Keywords stacked chips uniform air flow thermal analyzing heat dissipation heat convection; 分类号 TN710-34 [电子电信—电路与系统] TP311 [自动化与计算机技术—计算机软件与理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名多层芯片堆叠封装方案的优化方法被引量：5: 6; 作者郑建勇陈一杲张志胜史金飞; 机构东南大学机械工程学院江苏长电科技股份有限公司; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2009年第11期1058-1061,共4页; 基金国家自然科学基金(50805023/E051102); 文摘芯片堆叠封装是提高存储卡类产品存储容量的主流技术之一,采用不同的芯片堆叠方案,可能会产生不同的堆叠效果。针对三种芯片堆叠的初始设计方案进行了分析,指出了堆叠方案失败的原因和不足。结合两种典型芯片堆叠封装结构(金字塔型和悬梁式)的特点,提出了一种采用转接芯片完成焊盘转移的优化方法,并举例进行了芯片堆叠封装方案的说明。最后,对转接芯片的制作及尺寸设计原则进行了研究。; 关键词芯片堆叠封装优化方法存储卡类产品; Keywords stacked chip package optimized method memory card product; 分类号 TN305.94 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名芯片堆叠封装耐湿热可靠性被引量：3: 7; 作者唐宇廖小雨黄杰豪吴志中李国元; 机构华南理工大学电子与信息学院仲恺农业工程学院自动化学院; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2014年第7期539-544,共6页; 基金中国博士后科学基金资助项目(2014M552193) 广东省科技计划资助项目(2012B020313004) +1 种基金广东高校优秀青年创新人才培养计划资助项目(LYM11077); 文摘采用Abaqus软件模拟了CPU和DDR双层芯片堆叠封装组件在85℃/RH85%湿热环境下分别吸湿5,17,55和168 h的相对湿气扩散分布和吸湿168 h后回流焊过程中湿应力、热应力和湿热应力分布,并通过吸湿和回流焊实验分析了该组件在湿热环境下的失效机理。模拟结果表明,在湿热环境下,分别位于基板和CPU、CPU和DDR之间的粘结层1和2不易吸湿,造成粘结层的相对湿度比塑封材料低得多,但粘结层1的相对湿度比粘结层2要高。吸湿168 h后,在回流焊载荷下湿应力主要集中在芯片DDR远离中心的长边上,而最大湿热应力和热应力一样位于底层芯片CPU的底角处,其数值是单纯热应力的1.3倍。实验结果表明,界面裂纹及分层集中在底层CPU芯片的边角处和芯片、粘结层和塑封材料的交界处,与模拟结果相一致。; 关键词芯片堆叠封装湿气扩散湿热应力界面分层有限元分析(FEA); Keywords stacked dices package moisture diffusion hygro-thermo-mechanical stress interface delamination finite element analysis（FEA）; 分类号 TN406 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名3D IC系统架构概述被引量：1: 8; 作者陈昊谢业磊庞健欧阳可青; 机构移动网络和移动多媒体技术国家重点实验室深圳市中兴微电子技术有限公司射频异质异构集成全国重点实验室; 出处《中兴通讯技术》北大核心 2024年第S01期76-83,共8页; 文摘随着芯片制造工艺接近物理极限,使用多Die堆叠的三维集成电路(3D IC)已经成为延续摩尔定律的最佳途径之一。利用3D IC将芯片垂直堆叠集成,可以极大程度降低互联长度,提升互联带宽。详细介绍了一些常见的3D IC系统架构方案,说明了使用不同3D架构对于整体芯片系统在性能、功耗等方面的优势,也列举了在物理实现、封装测试、工艺能力等方面的挑战。最后综述了一些业内使用3D IC的典型产品,并介绍了这些产品的系统架构、典型参数、适用领域,以及使用3D IC后给产品带来的竞争力提升情况。针对业界现状,认为应该把握机遇,不惧挑战,实现弯道超车。; 关键词三维集成电路三维堆叠芯片三维片上系统存储堆叠逻辑逻辑堆叠逻辑; Keywords 3D IC 3D stack integrated circuit 3D system on chip memory on logic logic on logic; 分类号 TN40 [电子电信—微电子学与固体电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	3D堆叠芯片硅通孔容错设计	张玲王伟征梅军进	《计算机工程与应用》 CSCD 北大核心	2015	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	埋入堆叠芯片封装结构的电学仿真和优化	谢慧琴李君曹立强万里兮	《现代电子技术》	2014	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	3D堆叠芯片硅通孔的电-热-力耦合构形设计	关潇男谢志辉南刚冯辉君戈延林	《半导体技术》 CAS 北大核心	2021	4	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于Cavity基板技术的堆叠芯片封装设计与实现	谢慧琴曹立强李君张童龙虞国良李晨万里兮	《科学技术与工程》北大核心	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	湍流模型下堆叠芯片温度场分析	李继生王婷黄战武	《现代电子技术》	2014	1	在线阅读下载PDF 职称材料
6	多层芯片堆叠封装方案的优化方法	郑建勇陈一杲张志胜史金飞	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2009	5	在线阅读下载PDF 职称材料
7	芯片堆叠封装耐湿热可靠性	唐宇廖小雨黄杰豪吴志中李国元	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2014	3	在线阅读下载PDF 职称材料
8	3D IC系统架构概述	陈昊谢业磊庞健欧阳可青	《中兴通讯技术》北大核心	2024	1	在线阅读下载PDF 职称材料