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题名5.8GHz堆叠式功率放大器设计
被引量：1
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作者
陈涛
田婷
吴建辉
高怀
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机构
东南大学国家ASIC系统工程技术研究中心
射频功率器件及电路工程技术研究中心
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2014年第3期77-79,83,共4页
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文摘
基于2μm GaAs HBT工艺,采用堆叠晶体管结构设计了一款5.8GHz功率放大器。通常堆叠式功率放大器在高频情况下,上下两层晶体管间需要电感来完成功率匹配,在芯片设计中其电感会增加版图面积和级间功耗,为此该设计则利用上层晶体管的基极与地之间的串联电阻、电容等效成堆叠结构级间的感性负载,从而减小了级间的损耗与匹配难度。实测结果表明,该堆叠功率放大器在5.8GHz时增益为20.6dB,饱和输出功率为29dBm,饱和输出时功率附加效率达到36.4%,芯片面积仅为1×0.85mm2。
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关键词
功率放大器
堆叠晶体管结构
级间匹配
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Keywords
power amplifier, stacked HBT structure, inter-stage matching
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分类号
TN722.75
[电子电信—电路与系统]
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