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ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)
被引量：
5
1
作者
叶志镇
李蓓
+2 位作者
黄靖云
袁国栋
赵炳辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期283-286,共4页
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样...
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
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关键词
ZNO薄膜
Al/Si(100)衬底
基特基势垒
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职称材料
题名
ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)
被引量：
5
1
作者
叶志镇
李蓓
黄靖云
袁国栋
赵炳辉
机构
浙江大学硅材料国家重点实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004年第3期283-286,共4页
基金
国家科技部信息功能材料"973"计划 (G2 0 0 0 0 683 6)
国家自然科学基金重大专项基金 ( 90 2 0 10 3 8)资助项目~~
文摘
采用直流反应磁控溅射的方法 ,在Al Si(1 0 0 )衬底上沉积了ZnO晶体薄膜。利用Al和Pt作为与ZnO接触的欧姆电极与肖特基电极 ,制作了ZnO薄膜肖特基二极管。X射线衍射测试结果表明ZnO薄膜具有高度的c轴择优取向。原子力显微分析表明 :样品表面光洁平整 ,晶粒尺寸约 1 0 0nm ,扩展电阻分析表明ZnO薄膜的厚度为 0 4 μm ,载流子浓度为 1 8× 1 0 1 5cm- 3,此后的霍尔测试证实了这一结果并说明ZnO的导电类型为n型。室温下的I V测试显示ZnO肖特基二极管具有明显的整流特性。Pt与n型ZnO接触的势垒高度为 0 5 4eV。文中的ZnO肖特基二极管为首次研制的原型器件 ,其性能可以通过器件结构与制作工艺的进一步优化而得到改善。
关键词
ZNO薄膜
Al/Si(100)衬底
基特基势垒
Keywords
ZnO thin film
Al/Si (100) substrate
Schottky barrier
分类号
O472.3 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO薄膜肖特基二极管的研制(英文)
叶志镇
李蓓
黄靖云
袁国栋
赵炳辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2004
5
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