开口同轴探头测量微波集成电路基片的复介电常数 被引量：5

1

作者 张 思 钮茂德 徐得名 《微波学报》 CSCD 北大核心 2002年第1期57-63,共7页

本文论述了开口同轴（无外加法兰）非破坏测量微波集成电路基片复介电常数的方法。文中阐明了开口同轴FDTD法的建模与测量原理。由于FDTD法建模是一种全波分析方法，出此该模型相当准确。在S和X波段测量了聚四氟乙烯材料和另一种介质基... 本文论述了开口同轴（无外加法兰）非破坏测量微波集成电路基片复介电常数的方法。文中阐明了开口同轴FDTD法的建模与测量原理。由于FDTD法建模是一种全波分析方法，出此该模型相当准确。在S和X波段测量了聚四氟乙烯材料和另一种介质基片的复介电常数，所得结果与它们的典型值非常吻合。开口同轴法测量具有非破坏性，适于现场测量，而且具有设备简单、操作方便、测量精度高等优点。 展开更多

关键词 开口同轴法 微波集成电路基片 非破坏测量 复介电常数

在线阅读 下载PDF 职称材料

关于半导体集成电路芯片保护法的探讨

2

作者 贺儒英 《知识产权》 CSSCI 1989年第S1期121-125,120,共6页

一、前言 1、什么是集成电路和芯片的布局设计集成电路是微电子线路,其所有的有源元件(如晶体管、二极管、闸流管等)和无源元件(通常有电阻等)以及连接导线借助于物理淀积、化学淀积、光刻、氧化、扩散、离子注入、腐蚀等工艺将它们制... 一、前言 1、什么是集成电路和芯片的布局设计集成电路是微电子线路,其所有的有源元件(如晶体管、二极管、闸流管等)和无源元件(通常有电阻等)以及连接导线借助于物理淀积、化学淀积、光刻、氧化、扩散、离子注入、腐蚀等工艺将它们制作在一块单晶半导体基片上,具有电路功能。见图1.——芯片布局设计是一组相关的图案,它们可以是确定的或者是编码的。 展开更多

关键词 布局设计 超大规模集成电路 集成电路芯片 半导体芯片 保护法 半导体集成电路 专利法 半导体基片 电路功能 芯片设计

在线阅读 下载PDF 职称材料

单晶SiC基片干式摩擦化学机械抛光初探 被引量：1

3

作者 薛明普 肖文 +2 位作者 李宗唐 王占奎 苏建修 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 北大核心 2024年第1期101-108,共8页

针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、... 针对碳化硅(SiC)基片在抛光过程中效率低、费用高、环境污染大等问题,提出了一种在干式状态下对SiC基片进行摩擦化学机械抛光的方法(dry tribochemical mechanical polishing,DTCMP)。探究不同工艺参数(磨料种类、磨粒粒径、磨粒含量、抛光盘转速、抛光载荷、固相氧化剂含量)对单晶SiC基片抛光效率和表面质量的影响规律。研究结果表明:金刚石磨粒更适合SiC的摩擦化学机械抛光;当磨粒粒径为W1,磨粒质量为4 g,抛光盘转速为70r/min,抛光载荷为20.685 k Pa,固相氧化剂过碳酸钠添加量为10g时,其为最优工艺参数。采用最优工艺参数对表面粗糙度约为20nm的单晶6H-SiC基片进行干式抛光加工,最终获得表面粗糙度R_(a)为3.214 nm。DTCMP方法抛光SiC基片比水基抛光法热量损失少,所产生的界面温度更高,反应所需的活化能更低,可以实现SiC基片的绿色、高效和高质量抛光。 展开更多

关键词 sic基片 干式摩擦化学机械抛光 材料去除率 表面粗糙度

在线阅读 下载PDF 职称材料

用于SiC中子探测器的幅度脉冲调制电荷灵敏模拟前端电路设计

4

作者 陈铮鎔 刘云涛 +2 位作者 方硕 魏艳茹 王颖 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2024年第8期1316-1321,共6页

针对SiC沟槽型中子探测器输出的极其微弱的电流脉冲信号,设计了一款专用四通道读出集成电路。每个通道由高增益高带宽电荷灵敏放大器、高阶整形电路、峰值保持和时间检测电路组成,优化了电荷灵敏放大器(CSA)反馈回路,提高了增益线性度,... 针对SiC沟槽型中子探测器输出的极其微弱的电流脉冲信号,设计了一款专用四通道读出集成电路。每个通道由高增益高带宽电荷灵敏放大器、高阶整形电路、峰值保持和时间检测电路组成,优化了电荷灵敏放大器(CSA)反馈回路,提高了增益线性度,避免了漏电流流入对基线的影响。电路能够快速响应输入信号,实现对能量和时间信息的提取。电路采用0.18μm CMOS工艺完成设计,实现了版图设计,后仿真结果表明,系统等效输入电荷范围为1.14 fC~22.35 fC,电荷转换增益为71.19 mV/fC,非线性误差在1.6%以内,等效噪声电荷为22 e^(-)。电路具有高增益高线性度的优点,能很好针对SiC沟槽型中子探测器输出电荷信号的特点,对其进行专用读出放大。 展开更多

关键词 sic中子探测器 电荷灵敏放大器 前端读出专用集成电路 低噪声

在线阅读 下载PDF 职称材料

(Zr_(4)0Ti_(13)Cu_(12)Ni_(10)Be_(25))_(99)Nb_(1)非晶熔体与SiC陶瓷基片的润湿行为

5

作者 段明阳 罗欣 +1 位作者 李宏 庄艳歆 《材料与冶金学报》 CAS 北大核心 2024年第6期570-576,共7页

利用高温座滴法,在重力环境下研究了(Zr_(4)0Ti_(13)Cu_(12)Ni_(10)Be_(25))_(99)Nb_(1)非晶熔体与SiC基片之间的润湿性及界面反应,探究了温度、保温时间以及空间方位对两相润湿性和界面特征的影响.研究结果表明:合金熔体在SiC基片上的... 利用高温座滴法,在重力环境下研究了(Zr_(4)0Ti_(13)Cu_(12)Ni_(10)Be_(25))_(99)Nb_(1)非晶熔体与SiC基片之间的润湿性及界面反应,探究了温度、保温时间以及空间方位对两相润湿性和界面特征的影响.研究结果表明:合金熔体在SiC基片上的润湿铺展过程可分为3个阶段,其动态接触角及平衡接触角均随温度升高而不断减小,温度的升高改善了两者间的界面润湿性;在等温润湿条件下,接触角随保温时间的延长而不断减小,最终减小至平衡接触角.在地面重力场中,当熔体分别位于SiC基片上方和下方时,重力对两相界面的作用有所不同,这导致其润湿行为不同.不同温度下保温30 min后,熔体在SiC基片上方时的平衡接触角分别为65.7°,61.0°,60.7°,而熔体在SiC基片下方时,其平衡接触角分别为75.8°,65.9°,63.4°,前者比后者小.当温度大于880℃时,熔体与SiC基片的界面处生成了ZrC和TiC相,这会对合金的非晶形成能力和热稳定性产生影响. 展开更多

关键词 锆基非晶 润湿 接触角 界面反应 sic基片

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅单晶抛光片为基片制作混合集成电路的探讨

6

作者 金锡昆 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第1期47-48,62,共3页

采用硅单晶抛光片取代95-瓷、微晶玻璃及环氧敷铜板等材料做为基片,制作混合集成电路,生产成本低、产品设计变更快、工艺简便可行,对生产某些体积小、产量低的特殊混合集成电路模块是一种行之有效的方法。

关键词 硅单晶 基片 混合集成电路 制作 抛光片

在线阅读 下载PDF 职称材料

基片集成波导定向耦合器的仿真与实验研究 被引量：15

7

作者 李皓 陈安定 +3 位作者 洪伟 吴柯 崔铁军 陈继新 《微波学报》 CSCD 北大核心 2004年第4期54-56,63,共4页

基片集成波导 (SIW )是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构 ,易于设计和加工 ,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于与传统矩形波导的相似性 ,很多设计概念可以借用 ,比如波导功分器、滤波器、天线等。在本文中 ,我们用这种导波... 基片集成波导 (SIW )是一种新型的高Q值、低损耗集成导波结构 ,易于设计和加工 ,可以广泛应用于微波毫米波集成电路中。由于与传统矩形波导的相似性 ,很多设计概念可以借用 ,比如波导功分器、滤波器、天线等。在本文中 ,我们用这种导波结构实现了两种定向耦合器 ,其结构紧凑 ,实验结果与仿真结果吻合。 展开更多

关键词 矩形波导 定向耦合器 导波结构 功分器 天线 集成电路 Q值 仿真结果 紧凑 基片

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型基片材料——C/SiC复合材料 被引量：1

8

作者 杨会永 刘荣军 +1 位作者 周新贵 曹英斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页

阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前... 阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。 展开更多

关键词 基片材料 C/sic复合材料 电子封装

在线阅读 下载PDF 职称材料

微波电路基片复介电常数无损测量的简单方法 被引量：1

9

作者 田步宁 杨德顺 +1 位作者 唐家明 刘其中 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期543-546,共4页

提出了一种无损测量微波电路基片复介电常数的简单方法 .该方法把被测材料及取样器等效为测量网络与误差网络的并联 ,得到了复介电常数无损测量的计算公式 .理论分析与实验结果表明 :与传统的“场”分析方法相比 ,该方法具有模型简单、... 提出了一种无损测量微波电路基片复介电常数的简单方法 .该方法把被测材料及取样器等效为测量网络与误差网络的并联 ,得到了复介电常数无损测量的计算公式 .理论分析与实验结果表明 :与传统的“场”分析方法相比 ,该方法具有模型简单、计算量小、精度较高且容易实现的优点 .另外 ,对于材料置于封闭波导或同轴线中的有损测量情况 。 展开更多

关键词 电路基片 无损测量 复介电常数 微波集成电路 微带电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅基片上异质外延SiC的机理研究(英文) 被引量：1

10

作者 朱俊杰 林碧霞 +3 位作者 孙贤开 郑海务 姚然 傅竹西 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期545-548,共4页

本文利用低压高温MOCVD系统 ,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜 ,并对其反应机理做了一些初步的研究。大部分观点认为 ,SiC/Si的异质外延 ,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散。但是 ,本文通过在不同流量比的条件下 ,... 本文利用低压高温MOCVD系统 ,成功地在Si(111)基片上外延出了具有高质量的SiC薄膜 ,并对其反应机理做了一些初步的研究。大部分观点认为 ,SiC/Si的异质外延 ,其最初的状态应该为Si衬底中Si的扩散。但是 ,本文通过在不同流量比的条件下 ,SiC薄膜在Si基片以及Al2 O3 基片上外延的比较 ,发现在SiC/Si的异质外延过程中起重大作用的并非Si衬底中Si的扩散 ,而是很大程度上作用于C向Si衬底的扩散。同时 ,还发现反应速率的快慢受SiH4流量所限制。当SiH4流量增加时 ,反应速率会明显加快 ,但是结晶质量会相对变差。 展开更多

关键词 硅基片 异质外延 sic薄膜 SI(111)衬底 低压MOCVD SIH4 碳化硅 硅烷 结晶

在线阅读 下载PDF 职称材料

基片集成波导技术:最新的发展及未来的展望(英文) 被引量：3

11

作者 塔利克·吉纳菲 吴柯 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期171-192,共22页

回顾了基片集成波导技术(SIW)最新的发展动态。到目前为止,所报道的各种各样基于基片集成波导技术的无源和有源元器件已经证明,它们能够被有效地集成为低成本基片片载系统(SoS),为封装系统提供了完整的解决方案。讨论了不同的创新型基... 回顾了基片集成波导技术(SIW)最新的发展动态。到目前为止,所报道的各种各样基于基片集成波导技术的无源和有源元器件已经证明,它们能够被有效地集成为低成本基片片载系统(SoS),为封装系统提供了完整的解决方案。讨论了不同的创新型基片集成波导的波束形成技术,展望了未来的发展方向,提出了将基片集成电路扩展到三维空间以及在相同的基片构建模块上将不同的波导结构进行混合集成的思想,描述了用于毫米波和太赫兹应用的基片集成波导技术其它的发展趋势,这包括非线性和有源波导的开发以及基于CMOS技术的波导合成。 展开更多

关键词 毫米波 基片集成电路(sics) 基片集成波导(SIW) 基片片载系统(SoS) 太赫兹

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种基于改进型BC-CSRR的半模基片集成波导滤波器 被引量：2

12

作者 韦华 黄丽雯 察豪 《海军工程大学学报》 CAS 北大核心 2015年第3期91-94,共4页

为解决传统BC-CSRR在阻带性能上的问题,提出了一种改进型MBC-CSRR结构,并利用该结构设计了一个阻带性能优良的HMSIW滤波器。分析了加载MBC-CSRR的HMSIW等效电路和结构特性,采用有限元法对该结构的传输特性进行了仿真。结果表明:所提出... 为解决传统BC-CSRR在阻带性能上的问题,提出了一种改进型MBC-CSRR结构,并利用该结构设计了一个阻带性能优良的HMSIW滤波器。分析了加载MBC-CSRR的HMSIW等效电路和结构特性,采用有限元法对该结构的传输特性进行了仿真。结果表明:所提出的改进型MBC-CSRR在保持传统BC-CSRR优点的基础上具有更优良的阻带性能。应用该结构设计了一个三阶HMSIW带通滤波器并进行测试。结果表明:所设计的加载MBC-CSRR的HMISW滤波器具有结构紧凑、损耗低、成本低、易于集成且阻带性能优良等特点。 展开更多

关键词 微波滤波器 基片集成波导 微波集成电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

单晶SiC基片的铜基研磨盘加工特性研究!

13

作者 梁华卓 路家斌 阎秋生 《金刚石与磨料磨具工程》 CAS 2016年第6期6-10,14,共6页

采用铜基螺旋槽研磨盘对6H–SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比S... 采用铜基螺旋槽研磨盘对6H–SiC单晶基片的Si面和C面进行了单面研磨加工,研究研磨压力、研磨盘转速和金刚石磨粒尺寸对SiC基片材料去除率和表面粗糙度的影响。结果表明,单晶SiC的C面和Si面具有明显的差异性,C面更易加工,其材料去除率比Si面大。研磨压力是影响材料去除率和表面粗糙度的主要原因,研磨压力越大,材料去除率越高,但同时表面粗糙度变大,较大的研磨压力会导致划痕的产生。在达到最佳表面粗糙度时,C面加工所需的转速比Si面大。磨粒团聚会严重影响加工表面质量,采用粒度尺寸3μm的金刚石磨料比采用粒度尺寸1μm的金刚石效果好,经粒度尺寸3μm的金刚石磨料研磨加工5 min后,Si面从原始粗糙度Ra130 nm下降到Ra5.20 nm,C面下降到Ra5.49 nm,表面质量较好。 展开更多

关键词 6H–sic基片 金刚石磨料 铜基研磨盘 表面质量

在线阅读 下载PDF 职称材料

200 V全碳化硅集成技术

14

作者 顾勇 马杰 +5 位作者 刘奥 黄润华 刘斯扬 柏松 张龙 孙伟锋 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第7期2183-2189,共7页

本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物... 本文提出了一种基于N衬底P外延晶圆的全碳化硅(Silicon Carbide,SiC)集成工艺平台,该工艺平台兼容低压互补金属氧化物半导体场效应晶体管(Complementary Metal Oxide Semiconductor field-effect transistor,CMOS)、横向扩散金属氧化物半导体(Laterally-Diffused MOS,LDMOS)以及高压二极管等器件.采用P型缓冲层技术调节器件垂直方向电场分布,使高压器件垂直方向耐受电压提高212.4%;在1μm厚度的P型缓冲层和1μm厚度的P型外延层上,实现LDMOS、高压二级管和高侧区域耐受电压大于300 V.基于该工艺平台,搭建了SiC CMOS反相器和反相器链电路,均实现了0~20 V轨至轨的电压输出;设计了半桥驱动电路,低压侧驱动电路由四阶反相器构成;高压侧驱动电路由电平移位电路和高侧区域反相器链电路组成,实现了180~200 V浮空栅极驱动信号输出. 展开更多

关键词 碳化硅(sic) 集成 碳化硅集成电路 碳化硅反相器 碳化硅横向扩散金属氧化物半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

金属熔滴在基片上方和基片下方的润湿性研究 被引量：2

15

作者 张波 李文 李宏 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第2期4-6,16,共4页

为了研究重力对润湿过程的影响,设计了2组润湿实验方案,即Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体在SiC基片上方和Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体在SiC基片下方。结果表明:当合金熔滴在SiC基片下方时,在重力的作用下,熔滴的... 为了研究重力对润湿过程的影响,设计了2组润湿实验方案,即Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体在SiC基片上方和Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体在SiC基片下方。结果表明:当合金熔滴在SiC基片下方时,在重力的作用下,熔滴的高度随温度的升高先增大后减小;合金熔滴在SiC基片上方时,熔滴的高度只是随温度的升高而减小。无论是在连续升温情况下还是在等温润湿过程中,Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体在SiC基片上方时的润湿角都要更小一些。说明在地面重力场环境中,熔滴与基片的不同空间方位对液态Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金与固态SiC基片之间的润湿角有很大影响。 展开更多

关键词 润湿 重力 Zr41.2Ti13.8Cu12.5Ni10.0Be22.5合金熔体 sic基片

在线阅读 下载PDF 职称材料

合肥同步光源增加光刻基片曝光面积方法研究

16

作者 陈龙康 胡葆善 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS 2001年第2期23-27,共5页

根据以水平磁场控制束团垂直闭轨和垂直发散角 ,设法增加光刻基片曝光面积的思想 ,对合肥同步辐射光源进行分析 ,提出了适用方案 .指出在合肥同步辐射光源上用两个现有的垂直校正铁 ,只要加上不大的水平磁场 ,即可使光刻基片的曝光面积... 根据以水平磁场控制束团垂直闭轨和垂直发散角 ,设法增加光刻基片曝光面积的思想 ,对合肥同步辐射光源进行分析 ,提出了适用方案 .指出在合肥同步辐射光源上用两个现有的垂直校正铁 ,只要加上不大的水平磁场 ,即可使光刻基片的曝光面积增大 2 4倍 ,达到所需要求 ,且在该两个校正铁以外的闭轨不发生畸变 . 展开更多

关键词 曝光面积 闭轨畸变 水平磁场 集成电路 光刻 同步辐射光源 光刻基片

在线阅读 下载PDF 职称材料

退火温度对硅基溅射铜膜应力的影响 被引量：17

17

作者 吴桂芳 史守华 +3 位作者 何玉平 王磊 陈良 孙兆奇 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第2期139-142,共4页

采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同... 采用光学相移法 ,对Si基片上Cu膜应力随退火温度的变化进行了研究。研究表明 :随退火温度的升高 ,Cu膜应力减小 ,2 0 0℃时平均应力减小为 - 0 2 6 1× 10 8Pa,且应力分布均匀 ,在选区范围内应力差仅为 2 2 4 4× 10 8Pa。同时用X射线衍射技术测量分析了Cu膜经过不同退火温度热处理后的微结构组织 。 展开更多

关键词 溅射Cu膜 退火温度 微结构 应力 光学相移法 硅基片 集成电路 铜薄膜 微电子技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

金刚石薄膜在氧化铝陶瓷上低压成核 被引量：6

18

作者 王志明 夏义本 +5 位作者 杨莹 方志军 王林军 居建华 范轶敏 张伟丽 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2002年第4期765-770,共6页

在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最... 在微波等离子体化学气相沉积（MPCVD）系统中,用低压成核方法,在氧化铝陶瓷基片上获得了高成核密度的金刚石薄膜.实验表明,金刚石成核密度随系统压强减小而提高.在此基础上,提出一种MPCVD系统中金刚石成核的动力学模型,并指出对应于最高成核密度有一临界压强存在. 展开更多

关键词 金刚石薄膜 MPCVD 氧化铝陶瓷 系统压强 成核 化学气相沉积 集成电路 基片 动力学

在线阅读 下载PDF 职称材料

衬底温度对溅射硅基铜膜(Cu/Si)应力的影响研究 被引量：7

19

作者 吴桂芳 宋学平 +2 位作者 刘勇 林伟 孙兆奇 《安徽大学学报（自然科学版）》 CAS 2004年第3期27-32,共6页

薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较... 薄膜应力的存在是薄膜制备过程中需要认真考虑的普遍问题。本文对溅射硅基铜膜应力受衬底温度的影响进行了讨论。实验中衬底温度分别设定为室温,50℃,100℃,150℃,200℃,250℃。实验表明:衬底温度在50～200℃之间时,铜膜平均应力变化较小,为-3.920×108Pa,应力差变化也较小。 展开更多

关键词 衬底温度 溅射硅基铜膜 基片温度 微结构 光学相位移法 薄膜应力 超大规模集成电路

在线阅读 下载PDF 职称材料

低温生长硅基碳化硅薄膜研究 被引量：2

20

作者 叶志镇 王亚东 +2 位作者 黄靖云 季振国 赵炳辉 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第1期58-60,共3页

在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中... 在 8 5 0℃的低温下 ,在Si( 10 0 )衬底上生长了 3C SiC薄膜 ,气源为SiH4和C2 H4混合气体。用X射线衍射、X射线光电子能谱和傅立叶红外吸收谱分析了薄膜的晶体结构、组分以及键能随深度的变化。研究表明薄膜为富硅的 3C SiC结晶层 ,其中的Si/C比约为 1 2。 展开更多

关键词 sic薄膜 硅基片 半导体材料 碳化硅薄膜 低温生长 化学气相沉积

在线阅读 下载PDF 职称材料