电子封装基片材料研究进展 被引量：53

1

作者 张强 孙东立 武高辉 《材料科学与工艺》 CAS CSCD 2000年第4期66-72,共7页

阐述了电子封装领域对基片材料的基本要求 ,分析了电子封装用陶瓷、环氧玻璃、金刚石、金属及金属基复合材料的性能特点 ,论述了电子封装基片材料的研究现状 。

关键词 电子封装 性能 基片材料 陶恣 环氧玻璃 金钢石

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陶瓷基片材料的研究现状 被引量：19

2

作者 石功奇 王健 丁培道 《功能材料》 EI CAS CSCD 1993年第2期176-180,共5页

本文以当前电子设备、元件及配线电路的发展趋向为技术背景,重点针对导热性,比较了常用陶瓷基片材料的性能,并详细介绍了氮化铝(A1N)陶瓷基片材料的研究现状。

关键词 陶瓷基片材料 氮化铝 热导率

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声表面波用基片材料 被引量：4

3

作者 郝俊杰 徐廷献 《硅酸盐通报》 CAS CSCD 2000年第6期32-36,共5页

本文综述了压电材料在声表面波器件中的应用 ,分别介绍了压电单晶、压电陶瓷、压电薄膜等基片在SAW器件中的发展进程及其各自的特点 ,并对我国声表面波用基片材料的发展进行了展望。

关键词 声表面波 压电材料 基片材料 压电单晶 压电陶瓷 压电薄膜

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新型基片材料——C/SiC复合材料 被引量：1

4

作者 杨会永 刘荣军 +1 位作者 周新贵 曹英斌 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第1期20-23,共4页

阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前... 阐述了目前常用的3大类基片材料,即塑料基、金属基和陶瓷基材料,比较了3类材料的性能,得出了陶瓷基材料是综合性能较好的基片材料的结论,并比较了目前陶瓷基片材料中的Al2O3、AlN、BeO、SiC的性能,认为SiC作为基片材料具有良好的发展前景;针对单相SiC陶瓷固有脆性导致难以大尺寸成型的问题,提出了使用C/SiC复合材料制备基片材料的可能性,并综述了C/SiC复合材料的制备工艺,比较了3种工艺(PIP、CVI、LSI)所制备的材料的性能,认为液相渗硅(LSI)C/SiC复合材料制备大尺寸封装基片材料是未来最具前景的发展方向。 展开更多

关键词 基片材料 C/SIC复合材料 电子封装

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声表面波器件用零温度系数基片材料 被引量：1

5

作者 刘一声 《压电与声光》 CSCD 北大核心 1991年第1期14-21,共8页

SAW器件要求具有低延时温度系数、高机电耦合系数和高传播特性的良好基片材料。迄今为止,还没有一种材料能满足上述要求,为此,人们进行了大量的努力来寻求解决。本文主要叙述具有零温度系数的LST一切石英、双旋转切LiNbO_3、63.6°... SAW器件要求具有低延时温度系数、高机电耦合系数和高传播特性的良好基片材料。迄今为止,还没有一种材料能满足上述要求,为此,人们进行了大量的努力来寻求解决。本文主要叙述具有零温度系数的LST一切石英、双旋转切LiNbO_3、63.6°Y一切LiTaO_3单晶新切型和几种层状结构基片材料的制法和性能。并列举了实验器件的特性。 展开更多

关键词 声表面波器件 温度系数 基片材料

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高频基片复合材料的研究进展 被引量：6

6

作者 王亚明 贾德昌 周玉 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期16-21,共6页

介绍了电路组装技术对基片的性能要求、性能影响因素及基片设计原则 ,评述了高频基片复合材料的发展现状 ,并提出未来研究工作的重点。

关键词 高频基片复合材料 电路组装技术 设计原则 影响因素 制备工艺 电路材料

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MPCVD中基片加热材料的温度场摄动模型研究 被引量：2

7

作者 杨春山 傅文斌 周璧华 《电波科学学报》 EI CSCD 2002年第5期495-498,共4页

为改进微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)装置中的加热系统 ,提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线 ;建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解 ;通过对基片加热材料的微波设计 ,在MPCVD装置中获得大于... 为改进微波等离子体化学气相沉积 (MPCVD)装置中的加热系统 ,提出了用基片加热材料替代常规加热方式的新的技术路线 ;建立了基片加热材料的微波轴对称温度场模型并得到了一般解 ;通过对基片加热材料的微波设计 ,在MPCVD装置中获得大于基片台直径的均匀温度分布区。 展开更多

关键词 MPCVD 温度场 基片加热材料 化学气相沉积 微波等离子体化学气相沉积 摄动技术

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Si和316L基片上TiN薄膜微观结构和应力的对比分析 被引量：1

8

作者 赵升升 程毓 +1 位作者 张小波 常正凯 《表面技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2022年第3期278-285,共8页

目的 比较Si和316L基片上TiN薄膜的微观结构和应力,分析基片材料和基片初始曲率对薄膜应力的影响。方法 采用电弧离子镀技术在Si基片和316L基片上制备了TiN薄膜,实测了薄膜应力,通过XRD、SEM、TEM等方法对薄膜的微观结构进行了分析。运... 目的 比较Si和316L基片上TiN薄膜的微观结构和应力,分析基片材料和基片初始曲率对薄膜应力的影响。方法 采用电弧离子镀技术在Si基片和316L基片上制备了TiN薄膜,实测了薄膜应力,通过XRD、SEM、TEM等方法对薄膜的微观结构进行了分析。运用有限元分析技术,以结构力学为原理,分别对不同初始曲率的Si基片和316L基片上的薄膜应力测试进行了计算和校正应用。结果 相同工艺条件下,316L基片上TiN薄膜的应力比Si基片上的大。TiN薄膜应力随偏压的增大而增大。薄膜生长至近表面都形成了柱状晶结构,316L基片与TiN薄膜的膜基界面处出现较多的半共格生长结构,而Si基片的膜基界面结合以纳米晶混合为主。基片的初始曲率半径会导致薄膜应力测试产生误差,初始半径越小,引起的误差越大。结论 偏压作用下,316L基片上薄膜会产生更大的压应力。316L与TiN薄膜的膜基界面结合更好,有利于其承受更高的薄膜应力。316L基片的初始曲率半径显著小于Si基片,由此引起的薄膜应力测试误差较大,有必要对316L基片上的薄膜应力测试结果进行校正。 展开更多

关键词 基片弯曲法 应力测试 残余应力 基片初始曲率 基片材料

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Ba_2Ti_9O_(20)/PTFE复合材料的组织及力学性能

9

作者 王亚明 贾德昌 +1 位作者 周玉 雷廷权 《宇航材料工艺》 CAS CSCD 北大核心 2002年第4期32-35,50,共5页

采用类似于粉未冶金工艺制备了Ba2 Ti9O2 0 /PTFE高频基片复合材料。通过DSC研究PTFE的结晶行为 ,运用SEM及三点弯曲法分析了组织结构特征及力学性能。结果表明 :Ba2 Ti9O2 0 的加入提高了PTFE的结晶温度 ;其粒子均匀分散在PTFE树脂基体... 采用类似于粉未冶金工艺制备了Ba2 Ti9O2 0 /PTFE高频基片复合材料。通过DSC研究PTFE的结晶行为 ,运用SEM及三点弯曲法分析了组织结构特征及力学性能。结果表明 :Ba2 Ti9O2 0 的加入提高了PTFE的结晶温度 ;其粒子均匀分散在PTFE树脂基体中 ,随其含量的增加 ,复合材料的抗弯强度、弹性模量单调升高 ,当其含量达到 30 % (体积分数 )时两项性能均达到峰值 ,分别为 16 .4MPa、4 .6GPa。 展开更多

关键词 Ba2Ti9O20/PTFE 复合材料 组织结构 力学性能 高频基片材料

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电极结构对高分子电阻型湿度传感器性能的影响 被引量：4

10

作者 刘若望 《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期437-440,385,共5页

本文以聚苯乙烯磺酸钠为湿敏材料,制备了以金叉指电极为基底的高分子电阻型湿度传感器。研究了电极基片材料和叉指电极构型对传感器湿敏响应特性的影响。研究表明,采用多孔结构的基片材料可降低传感器电阻,增强湿敏膜与基片的结合能力... 本文以聚苯乙烯磺酸钠为湿敏材料,制备了以金叉指电极为基底的高分子电阻型湿度传感器。研究了电极基片材料和叉指电极构型对传感器湿敏响应特性的影响。研究表明,采用多孔结构的基片材料可降低传感器电阻,增强湿敏膜与基片的结合能力从而提高传感器的稳定性;叉指电极构型对传感器的电阻大小有一定影响,增加电极中心线间距离使传感器的稳定性提高。 展开更多

关键词 高分子电阻型湿度传感器 基片材料 电极构型

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SAWF用钽酸锂晶体表面微观形态的表征

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作者 荣丽梅 包生祥 +2 位作者 李松霞 王志红 常嗣和 《电子显微学报》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期549-550,共2页

关键词 SAWF 声表面波滤波器 钽酸锂晶体 表面微观形态 表面特征 群延迟时间偏差 频率选择性 压电基片材料

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