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基于椭偏光谱和光杠杆法的薄膜厚度及曲率测量系统设计: 1; 作者孙伟金尚忠 +2 位作者张殷孙紫娟徐胜《光通信技术》北大核心 2025年第1期94-100,共7页; 在密集波分复用系统中使用窄带滤光片进行工艺调试时,需要对单层薄膜的厚度、厚度分布以及残余应力等参数进行测量。针对当前需采用多个系统测量时的复杂性及重复定位而引入误差的问题,设计了一种基于椭偏光谱和光杠杆法的薄膜厚度及曲... 展开更多; 关键词光学检测椭偏光谱光杠杆法基片曲率法残余应力; 在线阅读下载PDF 职称材料

微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究被引量：10: 2; 作者杜立群朱神渺《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1377-1382,共6页; 在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化。通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响。仿真结... 展开更多; 关键词 SU-8 内应力测量基片曲率法 Stoney公式; 在线阅读下载PDF 职称材料

TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究被引量：3: 3; 作者王治国祖小涛 +2 位作者封向东余华军傅永庆《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第4期61-64,共4页; 利用磁控溅射的方法在单晶S i和非晶S iO2基片上制备了TiN i和TiN iCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化。研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,... 展开更多; 关键词 TiNi基形状记忆合金薄膜相变特征示差扫描量热法(DSC) 基片曲率法; 在线阅读下载PDF 职称材料

紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制被引量：2: 4; 作者尹磊丁玉成 +1 位作者卢秉恒刘红忠《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1028-1031,共4页; 针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.... 展开更多; 关键词压印光刻阻蚀胶基片曲率法薄膜应力成膜控制; 在线阅读下载PDF 职称材料

薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响被引量：7: 5; 作者张哲浩吕建国 +1 位作者江庆军叶志镇《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期348-352,366,共6页; 在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明... 展开更多; 关键词 ZnO∶Ga薄膜应力基片曲率法直流磁控溅射有机衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于椭偏光谱和光杠杆法的薄膜厚度及曲率测量系统设计: 1; 作者孙伟金尚忠张殷孙紫娟徐胜; 机构中国计量大学光学与电子科技学院苏州岚创科技有限公司; 出处《光通信技术》北大核心 2025年第1期94-100,共7页; 文摘在密集波分复用系统中使用窄带滤光片进行工艺调试时,需要对单层薄膜的厚度、厚度分布以及残余应力等参数进行测量。针对当前需采用多个系统测量时的复杂性及重复定位而引入误差的问题,设计了一种基于椭偏光谱和光杠杆法的薄膜厚度及曲率测量系统。该系统在椭偏光谱测量的基础上引入光杠杆法,成功地在一个集成设备上实现了对上述多种参数的精确测量。实验结果表明:与RC2型椭偏仪、ZYGO激光干涉仪测量结果相比,所设计的测量系统测得的薄膜厚度偏差小于0.21%,厚度分布偏差值小于0.025%,曲率和残余应力偏差均在±1°以内,系统能够统满足实际的测量需求。; 关键词光学检测椭偏光谱光杠杆法基片曲率法残余应力; Keywords optical inspection ellipsometry spectrum optical lever method substrate curvature method residual stress; 分类号 TN256 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究被引量：10: 2; 作者杜立群朱神渺; 机构大连理工大学精密与特种加工教育部重点实验室大连理工大学辽宁省微纳米技术及系统重点实验室; 出处《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第9期1377-1382,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(No.50675025) 教育部和大连市留学回国人员科研启动基金资助项目; 文摘在对基片曲率法常用的Stoney公式进行必要修正的基础上,提出了适合计算SU-8胶层内应力的理论模型,并采用轮廓法直观地测量了内应力引起的基底曲率的变化。通过ANSYS仿真揭示了基片直径,胶层厚度及后烘温度三者对基片曲率的影响。仿真结果表明:后烘温度是影响胶层内应力的主要因素。实验测量了后烘温度分别为55℃、70℃和85℃三种条件下的SU-8胶层的内应力。结果表明:降低后烘温度能有效地减小SU-8胶层的内应力,实验测量值与仿真计算值基本吻合。内应力的测量为SU-8胶层内应力的定量研究奠定了基础。; 关键词 SU-8 内应力测量基片曲率法 Stoney公式; Keywords SU-8 internal stress measurement curvature method Stoney＇s formula; 分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究被引量：3: 3; 作者王治国祖小涛封向东余华军傅永庆; 机构电子科技大学应用物理系四川大学物理系南洋理工大学; 出处《航空材料学报》 EI CAS CSCD 2006年第4期61-64,共4页; 基金国家自然科学基金(10175042); 文摘利用磁控溅射的方法在单晶S i和非晶S iO2基片上制备了TiN i和TiN iCu形状记忆合金薄膜,并利用示差扫描量热法和基片曲率法研究了薄膜的相变特征及应力随温度的变化。研究结果表明450℃溅射形成的记忆合金薄膜具有良好的形状记忆效应,在微电子机械系统有很好的应用前景。TiN i薄膜降温时出现R相变,因而发生两步相变,而TiN iCu薄膜中马氏体和奥氏体间直接转变。基片以及薄膜成份对相变点有很大的影响。单晶S i片作为基片时,记忆合金薄膜和基片间有很好的结合力,而S iO2作为基片时,记忆合金薄膜容易剥落。; 关键词 TiNi基形状记忆合金薄膜相变特征示差扫描量热法(DSC) 基片曲率法; Keywords TiNi shape memory alloy film TiNiCu shape memory alloy film transformation characteristic differential scanning calorimeter（DSC） curvature measurement; 分类号 TB381 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制被引量：2: 4; 作者尹磊丁玉成卢秉恒刘红忠; 机构西安交通大学机械制造系统工程国家重点实验室; 出处《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第9期1028-1031,共4页; 基金国家重点基础研究发展计划资助项目(2003CB716203) 国家自然科学基金资助项目(50505037) 中国博士后科学基金资助项目(2005037242); 文摘针对压印光刻工艺实现图章保真复型对阻蚀胶薄膜的均匀度和应力分布的要求,对匀胶过程中的时间、转速和加速度等参数进行了分析,并采用基片曲率法的Stoney公式及其近似计算公式,对不同参数环境下的薄膜应力及应力梯度分布作了计算分析.通过对比几组试验参数的应力分析结果,验证了薄膜应力的大小和应力梯度的分布主要与匀胶时间和速度有关,而与加速度的关系较小.因此,当选用匀胶转速为5 000 r/min、时间为30 s时,薄膜应力分布最优,成膜质量最佳,能够满足压印光刻工艺中300 nm级图型的保真复型需求.; 关键词压印光刻阻蚀胶基片曲率法薄膜应力成膜控制; Keywords imprint lithography resist substrate curvature method film stress filming control; 分类号 TH112 [机械工程—机械设计及理论] TH113.1 [机械工程—机械设计及理论]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响被引量：7: 5; 作者张哲浩吕建国江庆军叶志镇; 机构硅材料国家重点实验室浙江大学材料科学与工程学院材料科学系金日成综合大学; 出处《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期348-352,366,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(51172204); 文摘在室温(RT)下,采用直流(DC)磁控溅射在聚碳酸酯(PC)衬底上制备Ga掺杂ZnO(GZO)薄膜。通过X射线衍射(XRD)与基片曲率方法研究薄膜的残余应力。提出并讨论了厚度和溅射功率对GZO薄膜的应力影响并证实所有薄膜的应力均是压缩应力。研究表明随着薄膜厚度的增加,外应力可以得到充分释放。而溅射功率的变化可以改变GZO薄膜的应力和晶粒尺寸。研究表明溅射功率在140W的条件下制备的厚度225nm薄膜具有最大的晶粒尺寸和最小的压缩应力。结果表明改变溅射参数,比如溅射功率和薄膜厚度,GZO薄膜能够有效地释放应力。; 关键词 ZnO∶Ga薄膜应力基片曲率法直流磁控溅射有机衬底; Keywords Ga doped ZnO stress wafer curvature method DC magnetron sputtering polymer substrate; 分类号 TB34 [一般工业技术—材料科学与工程] TB43 [一般工业技术]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基于椭偏光谱和光杠杆法的薄膜厚度及曲率测量系统设计	孙伟金尚忠张殷孙紫娟徐胜	《光通信技术》北大核心	2025	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	微机电系统中SU-8厚光刻胶的内应力研究	杜立群朱神渺	《光学精密工程》 EI CAS CSCD 北大核心	2007	10	在线阅读下载PDF 职称材料
3	TiNi基形状记忆合金薄膜的相变特征研究	王治国祖小涛封向东余华军傅永庆	《航空材料学报》 EI CAS CSCD	2006	3	在线阅读下载PDF 职称材料
4	紫外光固化中阻蚀胶薄膜应力分析及成膜控制	尹磊丁玉成卢秉恒刘红忠	《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	薄膜厚度和溅射功率对有机衬底上ZnO∶Ga薄膜应力的影响	张哲浩吕建国江庆军叶志镇	《材料科学与工程学报》 CAS CSCD 北大核心	2016	7	在线阅读下载PDF 职称材料