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基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响
被引量:
2
1
作者
俞世吉
丁振峰
+1 位作者
马腾才
邬钦崇
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期131-133,共3页
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将...
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。
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关键词
等离子体
化学气相沉积
金刚石薄膜
基片位置
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职称材料
题名
基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响
被引量:
2
1
作者
俞世吉
丁振峰
马腾才
邬钦崇
机构
大连理工大学三束材料改性国家重点联合实验室
中国科学院等离子体物理研究所
出处
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000年第2期131-133,共3页
基金
863计划资助
文摘
在石英钟罩式微波等离子体化学气相沉积实验装置中研究了基片位置对金刚石薄膜沉积质量的影响。扫描电子显微镜显微形貌观察和激光喇曼谱分析表明 ,对微波等离子体化学气相沉积制备金刚石薄膜而言 ,基片位置处于近等离子体球下游区域将有利于改善金刚石薄膜沉积质量。
关键词
等离子体
化学气相沉积
金刚石薄膜
基片位置
Keywords
Microwave plasma chemical vapor deposition,Diamond film,Substrate position
分类号
O613.71 [理学—无机化学]
TB43 [一般工业技术]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基片位置对MWPCVD制备金刚石薄膜的影响
俞世吉
丁振峰
马腾才
邬钦崇
《真空科学与技术》
CSCD
北大核心
2000
2
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职称材料
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