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基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
余曙芬
陈延湖
+2 位作者
李惠军
冯尚功
郭琪
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期78-82,133,共6页
研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理...
研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。
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关键词
INGAP/GAAS
HBT
基区设计
热稳定性
电流增益崩塌
热电反馈系数
集电极电流理想因子
热阻
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职称材料
题名
基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响
被引量：
1
1
作者
余曙芬
陈延湖
李惠军
冯尚功
郭琪
机构
山东大学信息科学与工程学院
出处
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012年第2期78-82,133,共6页
基金
山东省自然科学基金资助项目(ZR2010FQ012)
国家自然科学基金资助项目(60806023)
文摘
研究了不同基区设计对多发射极指结构功率InGaP/GaAs异质结双极型晶体管热稳定性的影响。以发生电流增益崩塌的临界功率密度为热稳定性判定标准,推导了热电反馈系数Φ、集电极电流理想因子η和热阻Rth与基区掺杂浓度NB、基区厚度dB的理论公式。基于TCAD虚拟实验,观测了不同基区掺杂浓度和不同基区厚度分别对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响。结合理论公式,对仿真实验曲线进行了分析。结果表明,基区设计参数对热稳定性有明显的影响,其影响规律不是单调变化的。通过基区外延层参数的优化设计,可以改进多指HBT器件的热稳定性,从而为多指InGaP/GaAs HBT热稳定性设计提供了一个新的途径。
关键词
INGAP/GAAS
HBT
基区设计
热稳定性
电流增益崩塌
热电反馈系数
集电极电流理想因子
热阻
Keywords
InGaP/GaAs HBT
base design
thermal stability
collapse of the current gain
thermal-electrical feedback coefficient
collector current ideality factor
thermal resistance
分类号
TN325.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
基区设计对InGaP/GaAs HBT热稳定性的影响
余曙芬
陈延湖
李惠军
冯尚功
郭琪
《微纳电子技术》
CAS
北大核心
2012
1
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参考文献
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