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不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性
被引量：
3
1
作者
张希军
董康宁
杨洁
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1631-1636,共6页
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间...
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。
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关键词
硅双极晶体管
静电放电
机器模型
特征频率
基区宽度
电流增益
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职称材料
采用深扩散研制高电压大电流晶閘管
2
作者
李大钦
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989年第3期85-91,共7页
本文叙述了高电压大电流晶闸管几项主要参数的确定和采用深扩散技术研制电流容量为1000A、电压为2000V的晶闸管。
关键词
PN结
基区宽度
少子寿命
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职称材料
题名
不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性
被引量：
3
1
作者
张希军
董康宁
杨洁
机构
军械工程学院静电与电磁防护研究所
出处
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015年第5期1631-1636,共6页
基金
国家自然科学基金(51107146
60971042)~~
文摘
为了发掘不同特征频率的高频硅双极晶体管在静电放电(ESD)机器模型(MM)作用下敏感特性的相关规律,选取了12种典型的高频硅双极晶体管进行静电放电效应试验。试验结果表明:由于发射极E基极B之间的PN结(EB结)基区宽度比集电极C和基极B之间的PN结(CB结)窄,因而反偏注入MM ESD时,高频硅硅双极晶体管(BJT)的ESD最敏感端对是EB反偏结;当特征频率fT=600 MHz时,失效电压最大,并且随着fT的升高或降低,器件的失效电压逐渐减小;随着注入电压的升高,当fT≤600 MHz时,共发射极电流增益hFE突变至失效,当fT>600MHz时,hFE渐变至失效。该研究结果对于分析高频硅BJT在ESD作用下的敏感特性具有指导意义。
关键词
硅双极晶体管
静电放电
机器模型
特征频率
基区宽度
电流增益
Keywords
silicon bipolar transistors
electrostatic discharge
machine model
cutoff frequency
base width
current gain
分类号
TN322.8 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
采用深扩散研制高电压大电流晶閘管
2
作者
李大钦
机构
广西大学物理系
出处
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989年第3期85-91,共7页
文摘
本文叙述了高电压大电流晶闸管几项主要参数的确定和采用深扩散技术研制电流容量为1000A、电压为2000V的晶闸管。
关键词
PN结
基区宽度
少子寿命
Keywords
PN conjuction
base width
minority lifetime
分类号
N55 [自然科学总论]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
不同特征频率高频硅双极晶体管静电放电机器模型敏感特性
张希军
董康宁
杨洁
《高电压技术》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2015
3
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职称材料
2
采用深扩散研制高电压大电流晶閘管
李大钦
《广西大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989
0
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职称材料
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