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含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程
1
作者
朱兆旻
赵青云
于宝旗
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期679-683,共5页
提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用...
提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。
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关键词
漏电流
弹道效应
玻耳兹曼输运方程
高电子迁移率晶体管(HEMT)
基于电荷的模型
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职称材料
题名
含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程
1
作者
朱兆旻
赵青云
于宝旗
机构
江南大学物联网工程学院
出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第9期679-683,共5页
基金
专用集成电路与系统国家重点实验室开放研究课题基金资助项目(11KF003)
文摘
提出了一个包含改进的准弹道输运模型的砷化镓(GaAs)高电子迁移率晶体管(HEMT)的漏电流方程。弹道输运模型是基于玻耳兹曼输运方程和迁移率的扩展定义,即单位电场中载流子在沟道中以弹道轨迹运动的平均速度。对平均速度的求解没有采用任何近似,并采用一种平滑的拟合方程将弹道迁移率和常规迁移率整合在一起。同时还研究了纳米尺度GaAs HEMT中温度、沟道长度和沟道掺杂浓度对有效迁移率的影响。最后,把有效迁移率模型和电流方程分别与实验数据和数值仿真结果进行比较,误差小于5%。
关键词
漏电流
弹道效应
玻耳兹曼输运方程
高电子迁移率晶体管(HEMT)
基于电荷的模型
Keywords
drain current
ballistic effect
Boltzmann transport equation
high electron mobility transistor（HEMT）
charge-based model
分类号
TN386 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
含弹道输运模型的纳米尺寸GaAs HEMT电流方程
朱兆旻
赵青云
于宝旗
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2014
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