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利用平片蓝宝石衬底制备高功率垂直结构LED 被引量：1: 1; 作者杜伟华《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期617-622,共6页; 在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232″降低至148″;通过减薄成核层厚度、提... 展开更多; 关键词 GAN 平片蓝宝石衬底 ALN 成核层粗糙层垂直结构led; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED: 2; 作者卫静婷张佰君 +5 位作者刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期235-237,共3页; 为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通... 展开更多; 关键词硅衬底通孔垂直结构led 电流扩展绿光led N电极; 在线阅读下载PDF 职称材料

垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术: 3; 作者黄亚军刘志强 +3 位作者伊晓燕王良臣王军喜李晋闽《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期206-209,共4页; 为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注。由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输。对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通... 展开更多; 关键词 GAN 垂直结构led 提取效率双层掩膜刻蚀; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能被引量：2: 4; 作者蔡镇准胡晓龙 +1 位作者刘丽王洪《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期639-644,共6页; 为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0.... 展开更多; 关键词 GAN 垂直结构leds 混合型量子阱效率下降; 在线阅读下载PDF 职称材料

亚波长理想LED模型及实验实现被引量：5: 5; 作者王永进章燕 +2 位作者高绪敏倪曙煜王帅《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2019年第2期1-5,共5页; 文中提出亚波长理想LED模型。当LED器件的中心发光波长远大于器件厚度时,器件内部的波导模式被抑制消除,集成底部金属电极反光镜,发射光完全逸出器件,实现理想LED出光结构。采用晶圆级制造工艺,研制出厚度为225 nm、中心发光波长为410 n... 展开更多; 关键词亚波长垂直结构led 发光探测共存现象同质集成光电子芯片; 在线阅读下载PDF 职称材料

高反射率p-GaN欧姆接触电极被引量：5: 6; 作者康香宁章蓓 +3 位作者胡成余王琦陈志忠张国义《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期75-79,共5页; 根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特... 展开更多; 关键词 P-GAN 欧姆接触反射电极两步合金法激光剥离垂直结构led; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名利用平片蓝宝石衬底制备高功率垂直结构LED 被引量：1: 1; 作者杜伟华; 机构厦门市三安光电科技有限公司; 出处《半导体技术》 CAS 北大核心 2019年第8期617-622,共6页; 基金国家重点研发计划资助项目(2017YFB0403102); 文摘在平片蓝宝石衬底上,通过引入AlN缓冲层,优化成核层与粗糙层的生长条件,生长出了表面平整的GaN薄膜,晶体质量得到显著提升。通过引入AlN缓冲层,将X射线衍射(XRD)下样品(002)面的半高宽(FWHM)由232″降低至148″;通过减薄成核层厚度、提升粗糙层生长压力,将样品(102)面和(100)面的FWHM分别由243″和283″降低至169″和221″。研究了不同成核层和粗糙层的生长参数对GaN薄膜表面形貌的影响,随着(102)面和(100)面FWHM的降低,表面平整度亦得到改善,粗糙度由约3.8 nm下降到约1.6 nm。利用优化后的底层条件生长了高质量GaN薄膜,在3.5 A/mm^2电流密度下,与参考样品相比,制备出的LED样品的光输出功率由863 mW提升至942 mW,提升了约9%。; 关键词 GAN 平片蓝宝石衬底 ALN 成核层粗糙层垂直结构led; Keywords GaN plane sapphire substrate AlN nucleation layer rough layer vertical led; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN304. [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED: 2; 作者卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢; 机构中山大学光电材料与技术国家重点实验室; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2008年第S1期235-237,共3页; 基金国家"863"高技术项目(2006AA03A129) 广东省科技项目(2007A010501007 2007A010500011); 文摘为了改善Si基LED的电流扩展问题以及降低其工作电压,阐述了一种工艺简单新型垂直结构的Si基GaN绿光LED(V-LED)。利用ICP在芯片上刻蚀出通孔结构露出n-GaN层和Si衬底层,在通孔上的n-GaN层和Si衬底层蒸镀金属,将n-GaN层和Si衬底层直接导通,形成第一n电极,在减薄的Si衬底背面蒸镀背电极用于形成第二n电极。并且通过改变探针的测试位置,在同一芯片上进行了V-LED与横向导电的LED结构(L-LED)的比较,V-LED展现出了良好的性能,其串联电阻相对降低了10%,在大电流注入的情况下,相对光输出强度也有了提高。; 关键词硅衬底通孔垂直结构led 电流扩展绿光led N电极; Keywords Si substrate via-hole vertical led current spreading green led n electrode; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术: 3; 作者黄亚军刘志强伊晓燕王良臣王军喜李晋闽; 机构中科院半导体所照明研发中心; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2011年第3期206-209,共4页; 文摘为了提升垂直结构LED提取效率,针对器件侧壁出光的研究越发引起研究人员的关注。由于GaN的高折射率,大部分有源区发出的光线将被限制在GaN层内横向传输。对不同刻蚀倾角侧面的光提取效率进行分析模拟,模拟结果显示,LED的提取效率可以通过侧壁倾斜角度的优化得以提升。实验结果表明,特定侧壁倾角器件的提取效率相比较垂直侧壁提高了18.75%,电致发光光谱测试(EL)结果表明,实验结论与理论计算值基本吻合。本结论对垂直结构GaN基LED器件的优化设计与性能提升有重要指导意义。; 关键词 GAN 垂直结构led 提取效率双层掩膜刻蚀; Keywords GaN vertical led extraction efficiency double mask etching; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学] TN304.23 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能被引量：2: 4; 作者蔡镇准胡晓龙刘丽王洪; 机构华南理工大学物理与光电学院广东省光电工程技术研究中心; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第6期639-644,共6页; 基金国家高技术研究发展计划(863计划)(2014AA032609) 国家自然科学基金(61404050) +1 种基金中央高校基本科研业务费(2014ZM0036)资助项目; 文摘为解决Ga N基垂直结构发光二极管(VS-LEDs)在大电流驱动时效率下降的问题,制作了具有耦合量子阱(CQWs)和传统量子阱(NQWs)的混合型量子阱(HQWs)结构VS-LEDs。与NQWs结构VS-LEDs相比,HQWs结构VS-LEDs在350 m A输入电流下的正向偏压降低0.68 V,光输出功率提升53.0%,并有更好的电流响应效率。同时,NQWs结构和HQWs结构VS-LEDs的外量子效率分别下降到最大值的37.7%和67.5%,表明采用HQWs能使LEDs的效率下降得到大幅缓解。; 关键词 GAN 垂直结构leds 混合型量子阱效率下降; Keywords GaN vertical structure leds hybrid quantum well efficiency droop; 分类号 TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名亚波长理想LED模型及实验实现被引量：5: 5; 作者王永进章燕高绪敏倪曙煜王帅; 机构南京邮电大学Peter Grünberg研究中心; 出处《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心 2019年第2期1-5,共5页; 基金国家自然科学基金委国际(地区)合作与交流项目(61531166004) 江苏省重点研发计划(BE2016186)资助项目; 文摘文中提出亚波长理想LED模型。当LED器件的中心发光波长远大于器件厚度时,器件内部的波导模式被抑制消除,集成底部金属电极反光镜,发射光完全逸出器件,实现理想LED出光结构。采用晶圆级制造工艺,研制出厚度为225 nm、中心发光波长为410 nm的垂直结构LED。该器件完全消除了器件内部的波导模式,实验证明了亚波长理想LED模型,是目前世界上已报道的最薄垂直结构LED。; 关键词亚波长垂直结构led 发光探测共存现象同质集成光电子芯片; Keywords subwavelength vertical-structure led simultaneous emission-detection phenomenon monolithic integrated photoelectronic circuit; 分类号 TN929.1 [电子电信—通信与信息系统]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名高反射率p-GaN欧姆接触电极被引量：5: 6; 作者康香宁章蓓胡成余王琦陈志忠张国义; 机构北京大学物理学院; 出处《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期75-79,共5页; 基金国家"863"计划(2001AA313110 2001AA313060 +4 种基金 2001AA313140) 北京市科技项目(H030430020230) 国家自然科学基金(60276034 50228202) 集成光电子国家联合重点实验室开放课题资助项目; 文摘根据光学薄膜原理计算了GaN/Ti/Ag、GaN/Al和GaN/Ni/Au/Ti/Ag、GaN/Ni/Au/Al多层电极结构的反射率,得出Ag基和Al基反射电极均能在全角范围内提供较高的反射率。实验测量结果表明,反射率能高于80%的Ag基反射电极,具有低欧姆接触的电学特性。并将GaN/Ni/Au/Ti/Ag多层反射电极应用在上下电极结构的GaN基LED中。实验上采用两步合金法获得了低接触电阻、高反射率的电极结构,并引入Ni/Au覆盖层克服了Ag高温时的团聚和氧化现象。解决了Ag电极的稳定性问题,显著地提高了LED的出光效率,成功制备了具有上下电极结构的GaN基LED管芯。; 关键词 P-GAN 欧姆接触反射电极两步合金法激光剥离垂直结构led; Keywords p-GaN ohmic contact high reflective contact two-type anneal method laser lift-off vertical structure led; 分类号 O482.31 [理学—固体物理] TN312.8 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	利用平片蓝宝石衬底制备高功率垂直结构LED	杜伟华	《半导体技术》 CAS 北大核心	2019	1	在线阅读下载PDF 职称材料
2	一种新型垂直结构的Si基GaN绿光LED	卫静婷张佰君刘扬范冰丰招瑜罗睿宏冼钰伦王钢	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2008	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	垂直结构GaN基LED的侧壁优化技术	黄亚军刘志强伊晓燕王良臣王军喜李晋闽	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2011	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于混合型量子阱的GaN基垂直结构发光二极管性能	蔡镇准胡晓龙刘丽王洪	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2015	2	在线阅读下载PDF 职称材料
5	亚波长理想LED模型及实验实现	王永进章燕高绪敏倪曙煜王帅	《南京邮电大学学报（自然科学版）》北大核心	2019	5	在线阅读下载PDF 职称材料
6	高反射率p-GaN欧姆接触电极	康香宁章蓓胡成余王琦陈志忠张国义	《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2006	5	在线阅读下载PDF 职称材料