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基底均匀掺杂下EBCMOS空间分辨率的影响因素研究: 1; 作者郑佳彤宋德 +3 位作者石峰姜北张桐陈卫军《红外与激光工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期208-215,共8页; 电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)是一种结合电子束轰击和CMOS技术的先进成像技术。为提升EBCMOS的成像质量,获得高分辨率的EBCMOS微光成像器件,对EBCMOS电子倍增层结构均匀掺杂下的空间分辨率的影响因素进行了研究。依据载流子传... 展开更多; 关键词 EBCMOS 分辨率均匀掺杂微光成像; 在线阅读下载PDF 职称材料

IBC太阳电池非均匀掺杂衬底结构参数的优化研究被引量：2: 2; 作者周涛陆晓东 +1 位作者吴元庆张金晶《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期773-779,共7页; 利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换... 展开更多; 关键词背接触太阳电池非均匀掺杂衬底表面浓度扩散深度转换效率; 在线阅读下载PDF 职称材料

非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型被引量：2: 3; 作者陈军宁柯导明 +1 位作者周国强侯整风《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期173-181,共9页; 用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方法处理过，因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电... 展开更多; 关键词非均匀掺杂衬底硅晶体管阈值电压解析模型; 在线阅读下载PDF 职称材料

一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管被引量：1: 4; 作者张颖颖《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期598-602,共5页; 提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管。通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管与常规均匀掺杂基区的Si C光控晶体管的性能进行了对比分析。结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载... 展开更多; 关键词碳化硅光控电流增益变掺杂均匀掺杂; 在线阅读下载PDF 职称材料

光CATV系统中提高受激布里渊阈值功率方法的研究: 5; 作者王辉朱为《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期18-21,共4页; 受激布里渊散射是限制光CATV传输系统入射功率从而限制系统传输距离的主要障碍 .本文研究了光CATV传输系统中提高受激布里渊阈值功率的一种方法———非均匀掺杂光纤法 .若光纤纤芯和包层参杂浓度沿传输方向变化 ,将导致布里渊频移发生... 展开更多; 关键词光CATV系统受激布里渊散射非均匀掺杂光纤功率; 在线阅读下载PDF 职称材料

无结器件的单粒子辐射效应: 6; 作者唐琰王颖《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期308-311,共4页; 介绍了一种新型沟道非均匀掺杂的双栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用Sentaurus TCAD仿真软件对不同沟道掺杂浓度(NSC)的沟道非均匀掺杂双栅无结MOSFET和传统双栅无结MOSFET进行了电特性与单粒子辐射效应对比研究,并分... 展开更多; 关键词无结器件双栅器件沟道非均匀掺杂单粒子辐射寄生三极管效应; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基底均匀掺杂下EBCMOS空间分辨率的影响因素研究: 1; 作者郑佳彤宋德石峰姜北张桐陈卫军; 机构长春理工大学物理学院微光夜视技术重点实验室; 出处《红外与激光工程》 CSCD 北大核心 2024年第12期208-215,共8页; 基金国家自然科学基金项目(U2141239,12274041)。; 文摘电子轰击互补金属氧化物半导体(EBCMOS)是一种结合电子束轰击和CMOS技术的先进成像技术。为提升EBCMOS的成像质量,获得高分辨率的EBCMOS微光成像器件,对EBCMOS电子倍增层结构均匀掺杂下的空间分辨率的影响因素进行了研究。依据载流子传输和复合理论结合蒙特卡洛方法,建立了EBCMOS中电子倍增层内空间分辨率理论计算模型。模拟分析了在基底均匀掺杂下基底厚度、基底掺杂浓度以及入射电子能量对EBCMOS分辨率的影响。研究结果表明,在基底均匀掺杂结构下对基底进行减薄和降低基底掺杂浓度可以缩小倍增电子的扩散半径,进而获得高分辨率的成像器件;改变入射电子能量对倍增电子聚焦和分辨率的影响不大。经优化基底均匀掺杂结构下基底厚度为10μm、基底掺杂浓度为10^(14) cm^(−3)、入射电子能量为1 keV时极限分辨率可达37 lp/mm,文中工作将为优化电子倍增层结构和提升EBCMOS分辨率提供理论基础。; 关键词 EBCMOS 分辨率均匀掺杂微光成像; Keywords EBCMOS resolution uniform doping low light level imaging; 分类号 TN223 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名IBC太阳电池非均匀掺杂衬底结构参数的优化研究被引量：2: 2; 作者周涛陆晓东吴元庆张金晶; 机构渤海大学新能源学院; 出处《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心 2016年第8期773-779,共7页; 基金国家自然科学基金(11304020)资助项目; 文摘利用TCAD半导体器件仿真软件设计了一种具有非均匀掺杂衬底结构的N型插指背结背接触(IBC)单晶硅太阳电池。全面系统地分析了非均匀掺杂衬底结构的表面浓度和扩散深度对IBC太阳电池外量子效率、短路电流密度、开路电压、填充因子及转换效率的影响。仿真结果表明:非均匀掺杂衬底结构在一定程度上可提高IBC太阳电池的转换效率;非均匀掺杂衬底结构当扩散深度一定时,存在最优的表面浓度,使得IBC太阳电池的转换效率最高,且非均匀掺杂衬底结构的扩散深度越浅,最优的表面浓度越高。当扩散深度为1.9μm时,最优的表面浓度为3×1016cm-3,电池效率为22.86%;当扩散深度减小到1.1μm时,最优的表面浓度大于1×1018cm-3,电池效率大于23.092%。当非均匀掺杂衬底结构的表面浓度一定时,随着扩散深度的增大,IBC太阳电池转换效率随之降低。; 关键词背接触太阳电池非均匀掺杂衬底表面浓度扩散深度转换效率; Keywords back contact, solar cell, non-uniform doped, substrate, surface concentration, diffuse depth, conversion efficiency; 分类号 TM914.4 [电气工程—电力电子与电力传动]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型被引量：2: 3; 作者陈军宁柯导明周国强侯整风; 机构安徽大学物理系中国科技大学物理系合肥工业大学计算机科学系; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期173-181,共9页; 文摘用数值方法与解析方法相结合，导出了非均匀掺杂衬底ＭＯＳＴ阈值电压的解析模型。该模型在形式上类似于ＳＰＩＣＥ程序中的ＭＯＳＴ模型，但是所有参数都用数值方法处理过，因此是一个概念清晰、计算量小的高精度模型。该模型可用于电路分析程序。; 关键词非均匀掺杂衬底硅晶体管阈值电压解析模型; Keywords NonuniformlyDopedSubstrateNumericalSimulationThresholdVoltageAnalyticalModelofMOSTs; 分类号 TN305.3 [电子电信—物理电子学] TN325.2 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管被引量：1: 4; 作者张颖颖; 机构河南科技大学应用工程学院三门峡职业技术学院电气工程系; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第8期598-602,共5页; 文摘提出并研究了一种具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管。通过Silvaco TACD计算机仿真平台,对具有阶梯变掺杂基区的Si C光控晶体管与常规均匀掺杂基区的Si C光控晶体管的性能进行了对比分析。结果表明,阶梯变掺杂基区结构可以产生加速载流子输运的感生电场,缩短基区渡越时间,改善器件开通性能。该结构提高了Si C光控晶体管的电流增益并缩短开通时间,但同时会损失部分关断性能。仿真结果显示,当变掺杂区浓度梯度为4.5×10^20cm^-4时,电流增益与开通时间改善幅度分别达到18%和32%,关断时间增加了约22%。; 关键词碳化硅光控电流增益变掺杂均匀掺杂; Keywords SiC optically control current gain gradually doping uniformly doping; 分类号 TN322.8 [电子电信—物理电子学] TN325.3 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名光CATV系统中提高受激布里渊阈值功率方法的研究: 5; 作者王辉朱为; 机构南京建筑工程学院机电系东南大学电子工程系; 出处《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期18-21,共4页; 文摘受激布里渊散射是限制光CATV传输系统入射功率从而限制系统传输距离的主要障碍 .本文研究了光CATV传输系统中提高受激布里渊阈值功率的一种方法———非均匀掺杂光纤法 .若光纤纤芯和包层参杂浓度沿传输方向变化 ,将导致布里渊频移发生变化 ,增益谱结构变化 ,最终影响受激布里渊阈值功率 .本文分析了阈值功率与布里渊频移分布之间的数量关系 ,设计了渐增型、周期正弦型、正弦型、三角型和平方型 5种沿光传输方向频移分布的方案 ,比较了它们提高SBS阈值功率的效果 .数值计算表明 :布里渊阈值功率可提高 2 0dB ,可将传输距离提高 1 0 0km .; 关键词光CATV系统受激布里渊散射非均匀掺杂光纤功率; Keywords lightwave CATV Brillouin scattering nonuniform dopant concentration; 分类号 TN943.6 [电子电信—信号与信息处理] TN204 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名无结器件的单粒子辐射效应: 6; 作者唐琰王颖; 机构哈尔滨工程大学; 出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第4期308-311,共4页; 基金国家自然科学基金资助项目(51371063) 黑龙江省自然科学基金重点项目(ZD201413); 文摘介绍了一种新型沟道非均匀掺杂的双栅无结金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)。采用Sentaurus TCAD仿真软件对不同沟道掺杂浓度(NSC)的沟道非均匀掺杂双栅无结MOSFET和传统双栅无结MOSFET进行了电特性与单粒子辐射效应对比研究,并分析了不同源端沟道掺杂与源端沟道长度(LSC)下新型双栅无结MOSFET的单粒子辐射特性。仿真结果表明,新型双栅无结MOSFET的电学特性与传统双栅无结MOSFET相差不大,但在抗单粒子辐射方面具有优良的性能,在受到单粒子辐射时,可有效降低沟道内电子-空穴对的产生概率,漏极电流与收集电荷都低于传统无结器件,同时还可以降低寄生三极管效应对器件的影响。; 关键词无结器件双栅器件沟道非均匀掺杂单粒子辐射寄生三极管效应; Keywords junctionless device double-gate device non-uniformly doped channel single event effect parasitic transistor effect; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	基底均匀掺杂下EBCMOS空间分辨率的影响因素研究	郑佳彤宋德石峰姜北张桐陈卫军	《红外与激光工程》 CSCD 北大核心	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	IBC太阳电池非均匀掺杂衬底结构参数的优化研究	周涛陆晓东吴元庆张金晶	《高技术通讯》 CAS CSCD 北大核心	2016	2	在线阅读下载PDF 职称材料
3	非均匀掺杂衬底MOST阈值电压的解析模型	陈军宁柯导明周国强侯整风	《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心	1999	2	在线阅读下载PDF 职称材料
4	一种具有阶梯变掺杂基区的SiC光控晶体管	张颖颖	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2018	1	在线阅读下载PDF 职称材料
5	光CATV系统中提高受激布里渊阈值功率方法的研究	王辉朱为	《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
6	无结器件的单粒子辐射效应	唐琰王颖	《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心	2016	0	在线阅读下载PDF 职称材料