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题名场终止型绝缘栅双极型晶体管的开关瞬态模型
被引量：7
- 1
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作者
唐勇
陈明
汪波
凌晨
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机构
舰船综合电力技术国防科技重点实验室(海军工程大学)
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出处
《中国电机工程学报》
EI
CSCD
北大核心
2011年第30期54-60,共7页
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基金
国家自然科学基金项目(50737004
50721063
50607020)~~
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文摘
新一代场终止型(field stop,FS)绝缘栅双极型晶体管(insulated gate bipolar transistor,IGBT)的仿真模型目前都是采用传统穿通型(punch through,PT)IGBT的建模方法,由于FS结构与PT结构在厚度、掺杂浓度等方面都存在很大的不同,不可避免的会存在较大的偏差。在对已有PT模型进行理论分析和公式推导的基础上,根据FS型IGBT的结构特点和工作机制,在场终止层内采用了大注入的假设条件,同时考虑基区内载流子的复合作用,提出了一种改进的FS型开关瞬态模型。通过2种模型仿真波形与实测波形的比较,验证了该模型具有更高的准确性。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
场终止结构
开关瞬态模型
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Keywords
insulated gate bipolar transistor（IGBT）
field stop structure
switch transient model
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分类号
TN322
[电子电信—物理电子学]
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题名场终止型IGBT基区掺杂浓度计算的新方法
被引量：5
- 2
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作者
唐勇
胡安
李平
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机构
海军工程大学电力电子技术研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第3期217-220,共4页
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基金
国家自然科学基金重点项目(50737004)
国家自然科学基金资助项目(50607020)
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文摘
基于场终止型IGBT的结构特点与工作机理,提出了一种通过提取IGBT拖尾电流计算基区掺杂浓度新方法,该方法针对已有商用器件只需测试端口电气参数而无需破坏性实验,具有易操作、准确性高的特点。最后分析了一般硬开关和附加吸收电路对IGBT关断拖尾电流测试的影响,提出一种新的测试电路并进行了拖尾电流提取实验,同时也验证了该方法的准确性。
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关键词
绝缘栅双极型晶体管
场终止结构
基区掺杂浓度
拖尾电流
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Keywords
IGBT
filed stop structure
base doping concentration
current tail
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分类号
TN304
[电子电信—物理电子学]
TN386
[电子电信—物理电子学]
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题名缓变场终止型IGBT特性的仿真
被引量：2
- 3
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作者
匡勇
贾云鹏
金锐
吴郁
屈静
苏洪源
李蕊
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机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
国网智能电网研究院电工新材料及微电子研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2015年第1期29-33,43,共6页
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基金
国家自然科学基金资助项目(61176071)
教育部博士点学科专项科研基金资助项目(20111103120016)
国家电网公司科技项目(SGRI-WD-71-13-006)
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文摘
为改善场终止型绝缘栅双极型晶体管（FS-IGBT）电场终止能力的可靠性,对一种缓变场终止型绝缘栅双极型晶体管（GFS-IGBT）的特性进行了仿真研究。与传统FS-IGBT的突变场终止层不同,GFS-IGBT所具有的场终止层是一个厚度为20-30μm,峰值掺杂浓度为3.5×10^15cm^-3的缓变场终止层。采用Sentaurus TCAD仿真软件,对600 V/20 A的FS-IGBT与GFS-IGBT和非穿通型IGBT（NPT-IGBT）在导通、开关和短路特性等方面进行了对比仿真。结果表明,在给定的参数范围内,GFS-IGBT具有更低的通态压降、良好的关断电压波形以及更小的关断能耗。最后介绍了一种针对600 V IGBT器件的缓变场终止结构的制造技术。
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关键词
缓变掺杂
绝缘栅双极型晶体管(IGBT)
通态压降
关断损耗
场终止结构
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Keywords
graded doping
insulated gate bipolar transistor （IGBT）
on-state voltage
turn-off energy loss
field-stop structure
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分类号
TN322.8
[电子电信—物理电子学]
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