高迁移率金属氧化物半导体薄膜晶体管的研究进展 被引量：3

1

作者 李强 葛春桥 +4 位作者 陈露 钟威平 梁齐莹 柳春锡 丁金铎 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2024年第4期447-465,共19页

基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶... 基于金属氧化物半导体(MOS)的薄膜晶体管(TFT)由于较高的场效应迁移率(μFE)、极低的关断漏电流和大面积电性均匀等特点,已成为助推平板显示或柔性显示产业发展的一项关键技术。经过30余年的研究,非晶铟镓锌氧化物(a-IGZO)率先替代非晶硅(a-Si)在TFT中得到推广应用。然而,为了同时满足显示产业对更高生产效益、更佳显示性能(如高分辨率、高刷新率等)和更低功耗等多元升级要求,需要迁移率更高的MOS TFTs技术。本文从固体物理学的角度,系统综述了MOS TFTs通过多元MOS材料实现高迁移率特性的研究进展,并讨论了迁移率与器件稳定性之间的关系。最后,总结展望了MOS TFTs的现状和发展趋势。 展开更多

关键词 金属氧化物半导体 薄膜晶体管 场效应迁移率 偏压稳定性

在线阅读 下载PDF 职称材料

低电压并五苯薄膜场效应晶体管 被引量：1

2

作者 王伟 石家纬 +6 位作者 张宏梅 梁昌 全宝富 郭树旭 刘明大 方俊峰 马东阁 《吉林大学学报（理学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第1期107-109,共3页

利用全蒸镀法,以并五苯作为有源层,聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)作为绝缘层,制备了全有机薄膜场效应晶体管(TFT).测试结果表明,器件具有较低的工作电压和较高的场效应迁移率.对工作机理进行了探讨.

关键词 并五苯薄膜场效应晶体管 全蒸镀法 聚甲基丙烯酸甲酯 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

SiC/SiO_2界面形貌对SiC MOS器件沟道迁移率的影响 被引量：1

3

作者 刘莉 杨银堂 《浙江大学学报（工学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第2期392-396,共5页

为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量... 为了研究SiC/SiO_2界面粗糙度对SiC MOS器件构道迁移率的影响,在离子注入后高温退火过程中采用碳膜保护SiC表面以减小退火过程中产生的表面粗糙度,碳膜的形成通过对光刻胶在600℃下前烘30min实现.研究结果表明:微结构分析所得的微米量级的横向表面粗糙度(峰对峰,谷对谷)不会影响电子平均自由程为纳米数量级的沟道电子在SiC MOS器件沟道中的迁移运动,在高温退火过程中,碳膜的是否存在对表面粗糙度和NMOS电容SiC/SiO_2界面态密度没有影响,而且NMOSFET器件的场效应迁移率没有发生太大的变化. 展开更多

关键词 SiC/SiO2界面粗糙度 界面态密度 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

有机场效应晶体管的非线性注入模型

4

作者 何兰 范国莹 +3 位作者 李尧 吕文理 韦一 彭应全 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第11期1523-1531,共9页

有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变... 有机场效应晶体管(Organic field effect transistor,OFET)的非线性特性是指其输出特性曲线在较低的漏极电压下出现类似于二极管的电压电流特性曲线,这种现象在有机场效应晶体管的实验研究中极为常见。Simonetti等通过引入随栅极电压变化的迁移率提出了模型并成功解释了这一现象,但实验中从器件转移特性得出的迁移率通常与栅极电压无关。本文通过引入常数迁移率对该模型进行改进,运用改进的模型研究了影响OFET非线性特性的主要因素,并对如何更加准确地获得器件参数进行了探究。 展开更多

关键词 有机场效应晶体管 非线性输出特性 阈值电压 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

AlGaN/GaN HEMT功率放大器设计 被引量：2

5

作者 林锡贵 郝跃 +1 位作者 冯倩 张进城 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期52-55,共4页

在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反... 在小信号S参数不适于微波功率放大器的设计而大信号S参数不易获得的情况下,利用ADS软件,采用负载牵引法和输入端共轭匹配,成功的设计出AlGaN/GaN HEMT微波功率放大器。为了解决晶体管端口出现负阻的问题,设计了输入输出端并联电阻和反馈网络两种方法,最后得到理想的结果为:工作绝对稳定,带宽3.6GHz～8.0GHz,最高增益11.04dB,最大输出功率33dBm,最大PAE达到29.2%,电压驻波比较小。 展开更多

关键词 高电子迁移率场效应晶体管 功率放大器 ADS负载牵引 共轭匹配

在线阅读 下载PDF 职称材料

射频磁控溅射低温制备非晶铟镓锌氧薄膜晶体管 被引量：5

6

作者 信恩龙 李喜峰 +3 位作者 陈龙龙 石继锋 李春亚 张建华 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2012年第10期1149-1152,共4页

利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%... 利用射频磁控溅射技术室温制备了铟镓锌氧(IGZO)薄膜,采用X射线衍射(XRD)表征薄膜的晶体结构,原子力显微镜(AFM)观察其表面形貌,分光光度计测量其透光率。结果表明:室温制备的IGZO薄膜为非晶态且薄膜表面均匀平整,可见光透射率大于80%。将室温制备的IGZO薄膜作为有源层,在低温(<200℃)条件下成功地制备了铟镓锌氧薄膜晶体管(a-IGZO TFT),获得的a-IGZO-TFT器件的场效应迁移率大于6.0 cm2.V-1.s-1,开关比约为107,阈值电压为1.2 V,亚阈值摆幅(S)约为0.9 V/dec,偏压应力测试a-IGZO TFT阈值电压随时间向右漂移。 展开更多

关键词 非晶铟镓锌氧薄膜 薄膜晶体管 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

聚合物薄膜晶体管制备条件对其性能影响分析 被引量：2

7

作者 谢应涛 欧阳世宏 +3 位作者 王东平 朱大龙 许鑫 方汉铿 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2015年第3期427-431,共5页

基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,... 基于溶液法制备稠合噻吩-吡咯并吡咯二酮聚合物薄膜晶体管,比较不同制备环境下的薄膜晶体管的转移特征曲线。结果表明,旋涂环境对聚合物薄膜晶体管的影响可以忽略,但是退火环境对聚合物薄膜晶体管的影响至关重要,从饱和迁移率角度来看,在惰性环境下退火的器件的饱和迁移率是在空气中退火的器件的两倍多。无论退火温度是100°C低温情况还是190°C高温情况,上述结论均适用。这一结果表明退火环境对器件的影响至关重要。 展开更多

关键词 聚合物 有机薄膜晶体管 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

有源层厚度对CuPc-OTFT器件性能的影响 被引量：2

8

作者 袁剑峰 闫东航 许武 《液晶与显示》 CAS CSCD 2004年第1期14-18,共5页

研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电... 研究了不同厚度有源层的顶电极CuPc OTFT器件的电学特性。发现器件的性能与有源层厚度有依赖关系,其中,有源层厚度为20nm的器件性能最好。在有源层厚度大于20nm时,有源层厚度的增大不但分去一部分栅电压而且还增大了源、漏电极的接触电阻,从而不利于器件性能的提高。但当有源层厚度小于20nm以后器件的性能开始降低。我们认为当有源层厚度降低到一定程度时,有源层上表面的表面态会使有机材料的隙态浓度增加从而对沟道载流子迁移率产生不良影响以及使器件的阈值电压增大。 展开更多

关键词 有机薄膜晶体管 有源层 OTFT 接触电阻 载流子迁移率 场效应迁移率

在线阅读 下载PDF 职称材料

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管有源层厚度对电学性能的影响 被引量：3

9

作者 蔡旻熹 姚若河 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2016年第9期61-66,72,共7页

双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:... 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管(DG a-IGZO TFTs)具有比单栅a-IGZO TFTs更优良的电学性能.文中基于a-IGZO/SiO_2界面缺陷态呈指数型分布的模型,讨论了在界面缺陷态影响下双栅驱动的DG a-IGZO TFTs有源层厚度对电学性能的影响.研究结果表明:随着有源层厚度的减小,双栅驱动模式下DG a-IGZO TFTs两栅极的耦合作用增强,有源层上、下表面的导电沟道向体内延伸,使器件的场效应迁移率显著增加;界面缺陷态对DG a-IGZO TFTs场效应迁移率的影响随着有源层厚度的减小而降低,对亚阈值摆幅的影响随着有源层厚度的减小而增大. 展开更多

关键词 双栅非晶InGaZnO薄膜晶体管 界面缺陷态 场效应迁移率 亚阈值摆幅

在线阅读 下载PDF 职称材料

GaN组合开关电路及其驱动技术研究 被引量：6

10

作者 王树奇 吉才 刘树林 《西安科技大学学报》 CAS 北大核心 2016年第6期882-887,共6页

基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的... 基于氮化镓的高电子迁移率场效应晶体管(GaN HEMT)具有电子迁移率高、耐高温和极低的寄生电容等诸多特点而成为开关变换器领域关注的焦点。限于目前的制造工艺,基于氮化镓材料的MOS开关器件更容易做成耗尽型,针对耗尽型GaN HEMT器件的负电压关断特性,结合其应用于开关变换器的上电短路问题,提出一种GaN HEMT器件与增强型MOSFET的组合开关电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件的开、关控制及可靠关断,但其关断速度不够快。为此,提出一种快速关断GaN HEMT器件的驱动电路,并得到了进一步提高GaN HEMT器件开关速度的改进电路,可实现对耗尽型GaN HEMT器件快速可靠关断。实例及实验结果验证了所提出电路的可行性。 展开更多

关键词 氮化镓 高电子迁移率场效应晶体管 耗尽型 驱动电路 开关变换器

在线阅读 下载PDF 职称材料

蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 被引量：2

11

作者 李金伦 崔少辉(指导) +4 位作者 张静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期132-138,共7页

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B... 采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。 展开更多

关键词 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延

在线阅读 下载PDF 职称材料

InyAl1-yAs线性渐变缓冲层对InP基HEMT材料性能的影响

12

作者 田方坤 艾立鹍 +4 位作者 孙国玉 徐安怀 黄华 龚谦 齐鸣 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2022年第4期726-732,共7页

采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。... 采用气体源分子束外延(GSMBE)技术,研究了InP衬底上InAlAs线性渐变缓冲层对InGaAs/InAlAs高迁移率晶体管(HEMT)材料特性影响。研究了不同厚度和不同铟含量的InAlAs线性渐变缓冲层对材料的表面质量、电子迁移率和二维电子气浓度的影响。结果表明,在300 K(77 K)时,电子迁移率和电子浓度分别为8570 cm^(2)/(Vs)^(-1)(23200 cm^(2)/(Vs)^(-1))3.255E12 cm^(-2)(2.732E12 cm^(-2))。当InAlAs线性渐变缓冲层厚度为50 nm时,材料的表面形貌得到了很好的改善,均方根粗糙度(RMS)为0.154 nm。本研究可以为HEMT器件性能的提高提供强有力的支持。 展开更多

关键词 InyAl1-yAs线性渐变缓冲层 磷化铟 高电子迁移率场效应晶体管

在线阅读 下载PDF 职称材料

肖特基型p-GaN栅极电致发光研究 被引量：1

13

作者 邱然 刘禹涵 李百奎 《深圳大学学报（理工版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第3期227-231,共5页

制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升... 制造肖特基型Ni/p-GaN/AlGaN/GaN结构的p-GaN栅极器件,并研究该器件在不同温度与正向偏压下的电致发光现象.当栅极偏压大于4 V时,可以观测到源自p-GaN层的电致发光;当栅极偏压大于6 V时,可以观测到源自沟道层的氮化镓带边发光;当温度升高时,电致发光的强度增加.电致发光光谱随偏压及温度的演变过程,揭示了p-GaN栅结构中电子和空穴的非对称性注入过程,以及Ni/p-GaN界面处的热致空穴注入增强效应.研究有助于理解和提高p-GaN栅功率器件的稳定性和可靠性. 展开更多

关键词 光学工程 氮化镓 功率电子器件 高电子迁移率场效应管 常关型 栅极工程 电致发光

在线阅读 下载PDF 职称材料