平面天线在场效应晶体管太赫兹探测器中的应用 被引量：6

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作者 王晓东 颜伟 +3 位作者 李兆峰 张博文 黄镇 杨富华 《中国光学》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第1期1-13,共13页

为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作... 为了提高场效应晶体管太赫兹探测器的响应度并降低噪声等效功率,需要对探测器集成平面天线的结构进行合理设计与优化,本文对集成平面天线结构的场效应晶体管太赫兹探测器的研究进行了深入调研。首先,对场效应晶体管太赫兹探测器的工作原理进行了分析,介绍了集成平面天线如何解决耦合太赫兹波效率低的问题。然后,介绍了一些常用的平面天线结构,包括偶极子天线、贴片天线、缝隙天线、grating-gate和其他类型的结构,比较了各种天线的性能以及引入后对太赫兹探测器响应度的影响。通过对比不同天线结构的探测器响应度和噪声等效功率等参数指标,发现:采用平面天线结构之后,场效应晶体管太赫兹探测器的响应度有了大幅度的提升,各种类型的天线对探测器响应度都有不同程度的提升。本文着重介绍了几种集成于场效应晶体管的平面天线结构,包括各种天线的性能和研究进展,最后分析了场效应晶体管太赫兹探测器存在的问题和发展趋势。 展开更多

关键词 场效应晶体管太赫兹探测器 平面天线 grating-gate结构 响应度 噪声等效功率

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外延生长具有厚度可调导电属性的非层状二维碲化锰纳米片用于p-型场效应晶体管和优异的接触电极

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作者 贺梦菲 陈超 +10 位作者 唐月 孟思 王遵法 王立煜 行家宝 张欣宇 黄佳慧 卢江波 井红梅 刘翔宇 徐华 《物理化学学报》 北大核心 2025年第2期107-115,共9页

碲化锰(manganese telluride,MnTe)作为一种新兴的非层状二维材料,因其优异的性质以及在下一代电子和光电子器件中的巨大潜力,而受到研究学者们的广泛关注。然而,目前超薄二维MnTe的可控合成仍然是一个巨大的挑战,这限制了对其基础性质... 碲化锰(manganese telluride,MnTe)作为一种新兴的非层状二维材料,因其优异的性质以及在下一代电子和光电子器件中的巨大潜力,而受到研究学者们的广泛关注。然而,目前超薄二维MnTe的可控合成仍然是一个巨大的挑战,这限制了对其基础性质的研究和应用的深入探索。本文采用化学气相沉积方法成功合成了大面积的MnTe纳米片,并探究了其厚度对电学性质和器件应用的影响。通过提高MnTe纳米片的生长温度,样品厚度逐渐增加,晶畴尺寸从10μm增至125μm,形貌从三角形逐渐过度到六边形,最终生长成高度对称的圆形。结构表征和二次谐波测试表明,所制备的MnTe纳米片具有高度的结晶质量和优异的二阶非线性光学性质。此外,通过对不同厚度MnTe纳米片的电学输运测试,发现随着厚度从薄到厚,其导电特性从p型半导体逐渐转变为半金属。因此,利用半导体特性的薄层MnTe纳米片构建的光电探测器展现出出色的光响应性能。而将金属特性的厚层MnTe作为MoS2场效应晶体管的接触电极,显著提高了器件性能,如载流子迁移率可从12.76 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(Au接触)提升到47.34 cm^(2)·V^(-1)·s^(-1)(MnTe接触)。 展开更多

关键词 二维材料 碲化锰 化学气相沉积 场效应晶体管 光电探测器 接触电极

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基于场效应晶体管的太赫兹探测器中天线设计的一种有效方法（英文）

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作者 张博文 颜伟 +10 位作者 李兆峰 白龙 Grzegorz Cywinski Ivan Yahniuk Krzesimir Szkudlarek Czeslaw Skierbiszewski Jacek Przybytek Dmytro B.But Dominique Coquillat Wojciech Knap 杨富华 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2018年第4期389-392,共4页

在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不... 在场效应晶体管太赫兹探测器中,合理的天线设计可以增强晶体管和太赫兹波之间的耦合效率,从而提高太赫兹探测器的响应度.提出一种基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真来设计平面天线的方法.这种方法尤其适用于太赫兹波段晶体管输入阻抗不容易得到的情况.通过流片完成的基于氮化镓高电子迁移率晶体管的太赫兹探测器的响应度测试证实了这种方法的有效性.集成碟形天线和双偶极子天线的太赫兹探测器最大响应度分别在170.7 GHz(1568.4 V/W)和124.3 GHz(1047.2 V/W)频点处测得,这个测试结果接近基于晶体管栅极边缘沟道电场的仿真结果. 展开更多

关键词 太赫兹探测器 平面天线 沟道电场 场效应晶体管

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石墨烯/二氧化钛异质结场效应探测器光电特性 被引量：6

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作者 周全 张恩亮 +3 位作者 白向兴 申钧 魏大鹏 汪岳峰 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第6期18-26,共9页

利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测... 利用二氧化钛薄膜光吸收及表面钝化特性,在硅晶圆基底表面制备石墨烯/二氧化钛异质结场效应管光电探测器,并研究其光电响应特性.结果表明,二氧化钛钝化后的探测器可以有效抑制沟道表面的气体小分子吸附,降低器件的暗电流漂移;同时,探测器利用石墨烯的电荷敏感和复合薄膜的光谱吸收特性,显著提高了石墨烯场效应管的响应度.紫外波段,顶层二氧化钛吸光产生的光生电子将注入到石墨烯沟道中,对石墨烯沟道产生n型掺杂,器件最大响应度可达3.5×10~5A/W.在可见光波段,因为二氧化钛层与石墨烯薄膜间存在杂质能级,界面间的电荷转移使沟道载流子寿命显著提高.相对于传统的二氧化钛阵列探测器,该探测器在响应波段与响应度性能上都具有明显优势. 展开更多

关键词 石墨烯 异质结 场效应管 光电探测器 背栅调制 耦合 载流子寿命

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β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器研究进展

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作者 李晓旭 石蔡语 +4 位作者 沈磊 曾光 李晓茜 陈宇畅 卢红亮 《人工晶体学报》 2025年第8期1352-1368,共17页

β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O... β相氧化镓(β-Ga_(2)O_(3))由于具有直接和超宽带隙(~4.9 eV)、高击穿电场(~9 MV/cm),以及优异的热稳定性和化学稳定性等优点,广泛应用于高温、高压、高频及日盲紫外光电探测器等领域。从β-Ga_(2)O_(3)单晶块体上机械剥离出β-Ga_(2)O_(3)纳米带作为沟道来探究新型β-Ga_(2)O_(3)器件结构不仅具有很大的灵活性,也将极大地降低成本。近年来,虽然β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究已取得了很大进展,但器件的综合性能依然受限而不能满足商业化的需求,尤其是迁移率较低且响应度低。本文首先介绍了β-Ga_(2)O_(3)材料的基本性质;接着对β-Ga_(2)O_(3)纳米带场效应晶体管及日盲紫外光电探测器的研究现状进行总结与分析;最后指出β-Ga_(2)O_(3)基器件面对的困难与挑战,例如界面优化问题、器件可靠性系统研究缺乏等。 展开更多

关键词 β-Ga_(2)O_(3) 纳米带 场效应晶体管 日盲紫外光电探测器 光电性能

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二硫化锡薄膜场效应晶体管的可见光探测特性

6

作者 景永凯 范超 +4 位作者 孟宪成 刘哲 王蒙军 郑宏兴 杨瑞霞 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第2期87-93,104,共8页

采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有... 采用化学气相输运(CVT)法和微机械剥离技术制备了SnS_(2)薄膜,使用Au电极作为源、漏电极,n型重掺杂Si作为栅极,制备了基于SnS_(2)薄膜的背栅型场效应晶体管(FET),并研究了其电学特性和可见光探测特性。结果表明,制备的SnS_(2)薄膜具有良好的结晶度,SnS_(2)薄膜背栅型FET具备良好的栅压调控特性。器件对波长为405 nm的蓝紫光表现出明显的光响应,光响应度高达456.82 A·W^(-1),外量子效率为1.40×10^(5)%,比探测率为7.12×10^(12)Jones,并且具有较快的光响应速度,上升和下降响应时间分别为1 ms和0.5 ms。器件的光探测性能受栅压调控,当栅压为40 V时,器件的光响应度可达730 A·W^(-1)。 展开更多

关键词 二硫化锡(SnS_(2)) 场效应晶体管(FET) 可见光探测器 光响应度 栅压调控

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GaN基紫外光电探测器的材料制备及器件优化研究进展(续)

7

作者 朱彦旭 李锜轩 +3 位作者 谭张杨 李建伟 魏昭 王猜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2021年第6期417-425,439,共10页

5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光... 5新型GaN基紫外探测器近年来,利用Ga N异质结场效应晶体管的二维电子气(2DEG)易受表面态控制的特征而兴起的Ga N基HEMT探测器,其所具有的灵敏度高、响应速度快、适于极端环境等优点,为实现高性能光电探测器提供了新思路[107]。此外,光电器件中的表面等离激元和表面声波(surface acoustic wave,SAW)等[108]与光子间耦合振荡导致的局部势场增强和散射效应,有效增加了探测器的光谱响应,逐渐成为探索具有高响应度、高探测率GaN光电探测器的研究热点方向。 展开更多

关键词 光电探测器 异质结场效应晶体管 紫外探测器 表面声波 光谱响应 光电器件 探测率 表面态

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基于半导体性单壁碳纳米管/富勒烯异质结的高性能透明全碳光电探测器

8

作者 张罗茜 尹欢 +2 位作者 陈越 朱明奎 苏言杰 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2023年第5期1243-1257,共15页

利用半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点,本文构筑了基于半导体SWCNT(sc-SWCNT)/富勒烯(C60)异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成,全碳... 利用半导体性单壁碳纳米管(SWCNT)的高吸收系数、优异的光电特性和高载流子迁移率等特点,本文构筑了基于半导体SWCNT(sc-SWCNT)/富勒烯(C60)异质结的透明全碳宽光谱的场效应晶体管光电探测器。该器件的大部分结构均由碳基材料组成,全碳异质结作为导电沟道材料,金属性SWCNT作为源漏电极,氧化石墨烯(GO)作为介质层,在可见光波段的透光率均高于80%。电学测试结果表明:该光电探测器表现出了较强的栅控能力,实现了从405~1064 nm的可见光-近红外宽光谱响应,在5 mW/cm^(2)的940 nm激光照射下,该器件光电响应率可以达到18.55 A/W,比探测率达到5.35×10^(11)Jones,同时,表现出了优异的循环稳定性。 展开更多

关键词 单壁碳纳米管 富勒烯 全碳异质结 高透明度 场效应晶体管光电探测器

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石墨烯场效应晶体管的光响应特性研究 被引量：3

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作者 魏子钧 王志刚 +5 位作者 李晨 郭剑 任黎明 张朝晖 傅云义 黄如 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2014年第4期704-708,共5页

采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背... 采用电子束曝光和剥离工艺制备石墨烯场效应晶体管,并研究其光电响应特性。结果表明,当激光光斑(波长为633 nm)照射在金属电极边缘的石墨烯沟道时,可测得明显的光电流。背栅电压能够有效调制光电响应,可以改变光电流的大小和方向。在背栅调控下,光电流出现饱和现象,石墨烯晶体管的光响应度最大达到46.5μA/W,可用于构建基于石墨烯的新型光探测器。 展开更多

关键词 石墨烯场效应晶体管 光电响应 背栅调制

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溶液法制备全有机P3HT光电探测器 被引量：1

10

作者 张丽 杨丹 +2 位作者 王好伟 王依山 杨盛谊 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2015年第10期2975-2980,共6页

基于场效应晶体管（FET）结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中,全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而,多层有... 基于场效应晶体管（FET）结构的光电探测器能通过栅压抑制噪声信号并具有光电信号放大的功能。有机半导体材料已经被广泛应用到光敏晶体管中,全有机探测器对于实现大面积器件制备、降低成本及柔性器件具有十分重大的意义。然而,多层有机聚合物的成膜,必须避免在溶液制备过程中的“溶剂腐蚀”问题。实验中,采用顶栅底接触（TGBC）FET结构及正交溶剂（orthogonal solvent）的方法,以乙酸丁酯作为聚（甲基丙烯酸甲酯）（PMMA）的溶剂,避免对聚（3-己基噻吩）（P3HT）有源层的破坏,成功制备了性能优良的全有机光电探测器Au（源漏极）/P3HT（150 nm）/PMMA（800 nm）/Al（栅极）,其“开/关”电流比达到103,迁移率达8×10-3cm2·V-1·s-1。该器件对350~650 nm的光照均有响应,在0.1 m W/cm2光照下其“明/暗”电流比达75。在600 nm光照下,其最大响应度达到0.28 A/W,其响应度变化趋势与P3HT的吸收光谱情况相似。 展开更多

关键词 溶液法 光电探测器 聚(3-己基噻吩)(P3HT) 场效应晶体管 响应度

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基于SiGe BiCMOS工艺近红外光电探测器的研制

11

作者 宋奇伟 毛陆虹 谢生 《光通信技术》 北大核心 2015年第8期1-4,共4页

基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm。... 基于IBM 7WL标准0.18μm SiGe BiCMOS工艺设计了两款近红外光电探测器——PIN光电探测器和异质结光电晶体管,利用器件仿真工具ATLAS对因主要工艺参数的变化导致其性能的影响进行了具体分析,并流片实现,芯片面积均为50μm×50μm。测试结果表明,在850nm入射波长及3.3V的反偏电压条件下,PIN光电探测器及光电晶体管的响应度可分别达到0.01A/W和0.4A/W。 展开更多

关键词 标准SiGe BICMOS工艺 PIN光电探测器 光电晶体管

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长春光机所在钙钛矿单晶场效应晶体管方面的研究获得新进展

12

作者 新型 《化工新型材料》 CAS CSCD 北大核心 2019年第4期170-170,共1页

近日,长春光机所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学(沙特)、北卡罗来纳大学教堂山分校(美国)等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。在过去的十年中,有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领... 近日,长春光机所郭春雷中美联合光子实验室与阿卜杜拉国王科技大学(沙特)、北卡罗来纳大学教堂山分校(美国)等单位合作在制备基于钙钛矿的场效应晶体管方面取得新进展。在过去的十年中,有机-无机杂化钙钛矿在光伏、光电探测、发光等领域的研究获得了巨大的进展。然而,利用钙钛矿材料制备经典的器件--场效应晶体管(FET)仍然存在巨大的挑战。主要原因在于晶体管中载流子在横向和界面的传输特别容易受到钙钛矿多晶薄膜晶面状态和晶粒中普遍存在的缺陷的影响。 展开更多

关键词 场效应晶体管 长春光机所 钙钛矿 有机-无机杂化 单晶 材料制备 光电探测 多晶薄膜

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氨敏场效应晶体管微型化的研究

13

作者 段振新 《传感器技术》 CSCD 1991年第2期10-12,共3页

本文对探头及测试器件的微型化,研究了一些有效办法并用了氨敏场效应晶体管。

关键词 氨敏 场效应晶体管 微型化 探测器

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光电双基区晶体管(PDUBAT)物理模型探讨 被引量：4

14

作者 郑云光 张世林 +3 位作者 郭维廉 李树荣 沙亚男 毛陆虹 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第8期1123-1125,共3页

本文通过分析器件内部电流传输探讨了光电双基区晶体管 (PDUBAT)负阻特性产生机理 ,首次提出了PDUBAT负阻形成的原因是其输出管横向输出电流的反馈作用 。

关键词 光电双基区晶体管 间接耦合光电探测器 物理模型

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全离子注入锗光电晶体管的研制

15

作者 杜树成 于理科 +1 位作者 姬成周 李国辉 《北京师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2001年第3期356-358,共3页

采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作... 采用锗材料研制出了工作在 1.55μm波长的全离子注入光电晶体管 .选用 (12 0 keV ,2 .5× 10 12 cm- 2 ) +(2 6 0keV ,5× 10 12 cm- 2 )的硼注入和 16 0keV ,5× 10 14 cm- 2 磷注入 ,6 50℃ 15s快速退火 ;采用聚酰亚胺作为钝化膜以及台面结构 .NPNGe光电三极管的hFE=4 0～ 180 .在波长为 1.55μm、功率为 0 .7μW的光照下得到了 4 0 A·W- 展开更多

关键词 锗 光电探测器 离子注入 光电晶体管 半导体材料 锗工极管 锗晶体管

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Si基长波长GeSiHPT探测器的研制

16

作者 毛容伟 李成 +7 位作者 成步文 黄昌俊 左玉华 李传波 罗丽萍 滕学恭 余金中 王启明 《光子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第0Z2期155-159,共5页

随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到... 随着波分复用技术的发展，成本低廉，易与Si基微电子集成电路集成的长波长探测器越来越受到人们的重视。Si1-kGek/Si量子阱材料在1.3μm石英光纤波段有着明显的响应。但是由于SiGe材料间接带隙结构，吸收系数小，SiGe探测器的应用受到限制。由于（heterojunction phototransistor异质结光敏晶体管）HPT具有内部增益，SiGeHPT有望得到广泛应用。本文在国内首次报道了利用自己研制的UHV-CVD生长的SiGeHPT。在该结衍射和TEM进行表征，并且制作了原型器件，器件的光电流谱表明器件在5V偏压下在1.3μm波段响应度达1mA/W，光增益约为10。同时我们设计了SOR上面的RCEHPT，并进行光电响应模拟，模拟表明RCE HPT的量子效率可达8%，增加吸收区材料Ge组分到0.5，量子效率可提高到30%，半高度为1.5nm，适应光通讯的要求。 展开更多

关键词 硅基微电子集成电路 异质结光敏晶体管 GeSiHPT探测器 长波长探测器 锗化硅 半导体光电探测器 光通信

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蝶形天线增强的InP基室温HEMT太赫兹探测器研究 被引量：2

17

作者 李金伦 崔少辉(指导) +4 位作者 张静 张振伟 张博文 倪海桥 牛智川 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2019年第9期132-138,共7页

采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B... 采用分子束外延技术制备了InP基HEMT样片,室温下样片迁移率达10 289 cm2/(V·s)。通过光刻、腐蚀、磁控溅射、点焊等工艺技术制备出了蝶形天线耦合的太赫兹探测器件。器件采用的蝶形天线经HFSS软件仿真优化后,天线S11参数为-40 d B,电压驻波比(VSWR)为1.15,增益可达6 dB,并与二维电子气沟道实现阻抗匹配。在VDI公司0.3 THz肖特基二极管太赫兹源辐照下进行器件测试,测试结果表明,室温下器件噪声等效功率(NEP)为40 nW/Hz1/2,探测响应度46 V/W,器件响应时间优于330μs。 展开更多

关键词 太赫兹探测器 高电子迁移率场效应晶体管 磷化铟 蝶形天线 分子束外延

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非晶氧化镓基日盲紫外探测器的研究进展 被引量：4

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作者 肖演 杨斯铄 +2 位作者 程凌云 周游 钱凌轩 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2023年第6期1-20,共20页

日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。... 日盲紫外探测在空间安全通信、臭氧空洞监测、导弹来袭告警等民用与军事领域有着广阔的应用场景和特定的市场价值。氧化镓(Ga_(2)O_(3))具有超宽的带隙(4.4~5.3 eV),几乎覆盖整个日盲波段,被认为是构筑日盲紫外探测器的理想材料之一。相较于单晶和外延氧化镓材料,非晶氧化镓(a-Ga_(2)O_(3))的制备温度更低,工艺相对简单,且衬底的适用范围更广,因此近些年成为Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测领域新的研究热点。本文旨在对a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器的研究进展与现状进行介绍。首先介绍了a-Ga_(2)O_(3)的基本特性以及几种常见的制备方法,进而介绍了各种适用的器件类型、结构及性能。目前,a-Ga_(2)O_(3)基日盲紫外探测器主要分为MSM型、结型、TFT型和阵列型等几大类,通过器件结构优化,进一步提升探测性能。其中,MSM型器件结构简单,响应度高,应用最为广泛;结型器件通过构建肖特基结和异质结等,具有响应速度快、暗电流低和自供电的特点;TFT型器件能够在抑制暗电流的同时放大增益,且可以通过施加栅压脉冲来提升响应速度;阵列型器件主要用于大面积成像。最后,本文对a-Ga_(2)O_(3)日盲紫外探测器未来的发展趋势进行了总结和展望。 展开更多

关键词 非晶氧化镓 光电探测器 光电晶体管 薄膜晶体管探测 日盲紫外 超宽禁带半导体

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锡基钙钛矿晶体与器件的研究进展

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作者 张淑艺 刘庚灵 +8 位作者 王浩 鲁跃 姜显园 李文焯 刘聪 吕英波 武中臣 刘董 陈耀 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第7期1189-1207,共19页

随着全球对环境友好型光电材料需求的不断增长,锡基卤化物钙钛矿因环境友好及优异的光电性能,逐渐成为替代传统铅基钙钛矿的重要候选材料。尽管锡基钙钛矿在光吸收、载流子输运等方面展现出显著优势,但Sn^(2+)极易氧化,加上快速结晶过... 随着全球对环境友好型光电材料需求的不断增长,锡基卤化物钙钛矿因环境友好及优异的光电性能,逐渐成为替代传统铅基钙钛矿的重要候选材料。尽管锡基钙钛矿在光吸收、载流子输运等方面展现出显著优势,但Sn^(2+)极易氧化,加上快速结晶过程中容易形成晶格缺陷,使材料稳定性和器件性能受到较大影响。近年来,国内外研究者围绕锡基钙钛矿的晶体生长、缺陷调控及界面工程开展了大量系统性研究,提出了逆温结晶、降温结晶及高温熔融等多种合成技术,并借助多尺度表征手段,深入解析材料的微观结构、缺陷分布和界面特性。实验结果表明,通过合理优化生长参数和制备环境,可显著提高晶体质量、降低缺陷密度、改善载流子传输效率,从而推动锡基单晶在光电探测器、高灵敏度探测器、太阳能电池和场效应晶体管等器件中的应用。未来研究需聚焦单晶生长动力学、抗氧化策略及界面能级匹配的优化,以解决稳定性与可重复性问题,推动锡基钙钛矿的规模化应用。 展开更多

关键词 锡钙钛矿 光电特性 单晶生长方法 锡钙钛矿太阳能电池 锡钙钛矿探测器 锡钙钛矿场效应管

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穿通型高增益AlGaAs/GaAs光电晶体管

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作者 魏东平 李国辉 +2 位作者 韩卫 朱恩均 周均铭 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1992年第10期9-11,共3页

关键词 光电晶体管 电流增益 光电探测器

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