超导场效应器件的统一小信号传输线模型 被引量：2

1

作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 汤玉生 周正利 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期43-47,52,共6页

本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导Ｐ... 本文提出了超导场效应器件的统一小信号模型。建立这个模型的出发点是基于用有源分布的超导传输线对超导场效应器件的超导沟道区动态导纳进行模拟，经逐次沟道近似，得到了既适用于超导表面场效器件（ＭＯＳｕＦＥＴｓ）又适用于超导ＰＮ结型或肖特基结型场效应器件（ＪＳｕＦＥＴｓ）或（ＭＥＳｕＦＥＴｓ）的统一小信号模型。 展开更多

关键词 统一小信号模型 超导场效应器件 超导传输线

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超导场效应器件的统一Y参数和小信号等效电路 被引量：1

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作者 蒋建飞 蔡琪玉 +1 位作者 周正利 汤玉生 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第8期6-9,共4页

本文基于超导场效应的小信号传输线模型的电流电压方程，建立了各种电路组态的本征的统一Ｙ参数和小信号等效电路，提出了频变电阻、频变电感和频变电容的概念，为研究各类超导场效应器件和电路的高频特性和动力学提供了有力的基础．

关键词 统一Y参数 小信号等效电路 超导场效应器件

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场效应器件表面修饰对DNA测试性能影响的研究

3

作者 宗小林 吴春生 +1 位作者 王丽江 王平 《传感技术学报》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期1-5,共5页

对比甲醇-盐酸混合物及硫酸处理对场效应器件(Field-effect device,FED)电化学测试性能的影响。实验结果表明,FED表面经过两种方式处理,其电化学阻抗测试特性发生变化,表现在阻抗的虚部值(用Zq表示)随加在FED器件与参比电极之间的电压... 对比甲醇-盐酸混合物及硫酸处理对场效应器件(Field-effect device,FED)电化学测试性能的影响。实验结果表明,FED表面经过两种方式处理,其电化学阻抗测试特性发生变化,表现在阻抗的虚部值(用Zq表示)随加在FED器件与参比电极之间的电压的变化特性(用Zq-V曲线表示)发生改变。经过硫酸处理的器件的Zq-V曲线相对于未处理器件有微小偏移;而甲醇-盐酸体系处理后曲线在耗尽层区的斜率有所下降,表明这种处理对器件测试性能有负向的影响。经硅烷化固定在表面的氨基采用荧光标记,荧光测试结果表明,两种表面处理方式对硅烷化效果影响不大。进一步通过共价连接在硅烷化FED表面引入探针DNA分子,制备基于FED的DNA传感器。与目标DNA分子杂交反应后,实验表明,硫酸处理的测试结果要好于甲醇-盐酸的处理方法。 展开更多

关键词 场效应器件 表面修饰 硅烷化 DNA传感器

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离子敏感场效应器件研究的进展

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作者 牛蒙年 丁辛芳 童勤义 《仪器仪表学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第3期322-325,共4页

离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，... 离子敏感场效应器件研究的进展牛蒙年（中国科学院上海冶金所）丁辛芳，童勤义（东南大学）０引言离子敏感场效应器件自问世至今已有二十多年，目前已能成功地对二十多种离子进行传感，而且形成多种对生物信号敏感的场效应结构传感器，如ＢｉｏＦＥＴ、ＥＮＦＥＴ、ＩＭＦ... 展开更多

关键词 离子敏感材料 场效应器件 制造 发展

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基于场效应器件的外场催化调控研究

5

作者 傅强 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第3期233-234,共2页

在多相催化中，固体表面的催化性质本质上是由其电子结构特别是价电子结构决定的。例如不同元素或化合物具有各不相同的本征电子性质，因此在催化性能上表现出巨大的差异。而对于特定的固体材料，其电子结构调变可以通过改变组分、形貌... 在多相催化中，固体表面的催化性质本质上是由其电子结构特别是价电子结构决定的。例如不同元素或化合物具有各不相同的本征电子性质，因此在催化性能上表现出巨大的差异。而对于特定的固体材料，其电子结构调变可以通过改变组分、形貌、晶相、尺寸等方式实现。 展开更多

关键词 多相催化 场效应器件 价电子结构 调控 催化性质 固体表面 电子性质 催化性能

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VDMOS功率场效应器件的设计与研制 被引量：1

6

作者 廖太仪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第5期29-35,共7页

VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的... VDMOS功率场效应器件是八十年代迅速发展起来的新型功率器件,由于它比双极型功率器件具有许多优良性能:如高输入阻抗、低驱动电流、开关速度快、工作频率高、具有负的电流温度系数、热稳定性好,安全工作区大,没有二次击穿及高度线性的跨导等,已广泛地应用于各种电子设备中,如高速开关电路、开关电源、不间断电源、高功率放大电路、高保真音响电路、射频功放电路、电力转换电路、电机变频调速、电机驱动、固体继电器、控制电路与功率负载之间的接口电路等。 展开更多

关键词 VDMOS功率 场效应器件 研制

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化学量传感器 第四讲 离子敏场效应器件及其应用 十三离子敏场效应晶体管的应用(一)

7

作者 虞惇 王贵华 武世香 《传感器技术》 CSCD 1992年第2期51-55,共5页

随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析测量仪 其电路示于图12-1中。放大器A_1、A_2和A_3构成仪器放... 随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析测量仪 其电路示于图12-1中。放大器A_1、A_2和A_3构成仪器放大器。 展开更多

关键词 化学量传感器 场效应器件 晶体管

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高温超导场效应晶体管的动态导纳模拟

8

作者 蔡琪玉 蒋建飞 沈波 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期139-141,共3页

本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变... 本文基于我们建立的超导场效应器件的统一小信号理论，引进了动态导纳参数．对高温超导场效应晶体管的低频电流电压特性进行了数值模拟．分别对推广的二流体模型中正常电流和超导电流在一定的条件下随栅电压、漏电压、温度和频率的变化进行了分析．给出了一种高温超导场效应器件低频特性新的研究方法． 展开更多

关键词 动态导纳模拟 模型 超声场效应器件 晶体管

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全耗尽SOI　MOSFET的阈电压的解析模型 被引量：2

9

作者 付军 田立林 +1 位作者 钱佩信 罗台秦 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期48-52,共5页

本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理... 本文在近似求解全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ所满足的二维泊松方程的基础上，建立了阈电压的解析模型。通过与ＰＩＳＣＥＳ的模拟结果以及相应的实验数据的比较，证明本模型的误差较小。此外，本模型还具有计算简便、快速，形式直观，物理意义明确等优点。本模型的建立对于全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ电路模拟、器件物理特性研究及相关的工艺设计是很有意义的。 展开更多

关键词 全耗尽 SOI MOSFET 阈电压 场效应器件

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用1／f噪声表征MOSFET的负温偏不稳定性 被引量：2

10

作者 庄奕琪 孙青 侯洵 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期38-42,共5页

负温偏不稳定性是ＭＯＳ器件最重要的可靠性问题之一。本文从实验上发现ＭＯＳ－ＦＥＴ的１／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。理论分析表明，导致负温偏不稳定性的与产生１／ｆ噪... 负温偏不稳定性是ＭＯＳ器件最重要的可靠性问题之一。本文从实验上发现ＭＯＳ－ＦＥＴ的１／ｆ噪声与其负温偏不稳定性相关，初始１／ｆ噪声谱密度正比于负温偏应力下的跨导退化量。理论分析表明，导致负温偏不稳定性的与产生１／ｆ噪声的均为Ｓｉ－ＳｉＯ２界面过渡层内的电荷与陷阱。据此，１／ｆ噪声测量可作为快速评价与分析ＭＯＳ器件负温偏不稳定性的一种有效手段。 展开更多

关键词 1/f噪声 不稳定性 MOSFET 场效应器件

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多层W-Si薄膜及其与GaAs衬底间的界面特性

11

作者 邵丙铣 郑庆平 +2 位作者 戎瑞芬 陈祥君 钱向阳 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第1期50-54,共5页

本文详细叙述了多层W-Si薄膜的制备技术、生长速率、热退火对薄膜性能的影响,薄膜与GaAs衬底间的界面行为等。

关键词 场效应器件 界面 N-Si膜 GAAS衬底

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P－MOSFET的TEM研究

12

作者 刘安生 安生 +3 位作者 邵贝羚 王敬 付军 钱佩信 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第6期522-522,共1页

Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最... Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的ＴＥＭ研究＊刘安生安生邵贝羚王敬付军钱佩信（北京有色金属研究总院，１０００８８北京）（清华大学微电子研究所，１０００８４北京）空穴的迁移率远低于电子迁移率，与Ｎ－ＭＯＳＦＥＴ相比Ｐ－ＭＯＳＦＥＴ的最大缺点就是电流驱动能力弱。为此，人... 展开更多

关键词 P-MOSFET TEM 场效应器件

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4H-SiC MESFET的特性研究

13

作者 徐昌发 杨银堂 朱磊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第8期74-77,共4页

对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密... 对4H-SiC MESFET的特性研究发现,在室温下4H-SiC MESFET饱和漏电流的值为0.75A/mm,随着温度的上升,器件的饱和漏电流和跨导一直下降;栅长越短,沟道层掺杂浓度越高,饱和漏电流就越大。300K时器件的击穿电压为209V,计算出来的最大功率密度可达19.22W/mm。这些结果显示了4H-SiC在高温、高压、大功率器件应用中的优势。 展开更多

关键词 MESFET 碳化硅 场效应器件

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MOSFET亚阈特性分析与低温按比例缩小理论的研究

14

作者 吴金 魏同立 于宗光 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期26-30,共5页

器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工... 器件尺寸按比例缩小是实现超大规模集成电路的有效途径，但寄生和二级效应却将器件尺寸限在一定的水平。本文在对比分析常温与低温下小尺寸器件效应的基础上，重点研究了ＭＯＳ器件亚阈特性对器件性能及按比例缩小的影响，并根据低温工作的特点，提出了ＭＯＳ器件一种低温按比例缩小规则，该原则对低温器件的优化设计，从而更大程度地提高电路与系统性能具有重要的指导意义。 展开更多

关键词 MOSFET 亚阈特性 低温 按比例缩小 场效应器件

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微电子工艺CAD系统SUPREM－Ⅱ所提供的信息量

15

作者 李惠军 陈勇 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第2期29-32,共4页

结合作者在半导体工艺ＣＡＤ领域的部分工作，介绍了ＳＵＰＲＥＭ－Ⅱ工艺模拟系统在单管（场效应器件）和双极型电路（运算放大器）工艺模拟中能够提供给研究人员的数据信息量。从单项命题及全工艺模拟的视角加以阐述。

关键词 CAD SUPREM-Ⅱ 微电子工艺 场效应器件 模拟

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MOS控制晶闸管的三重扩散工艺研究 被引量：3

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作者 李学宁 唐茂成 +2 位作者 李肇基 李原 刘玉书 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期63-66,共4页

本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本... 本文对ＭＣＴ的核心工艺──三重扩散工艺进行了详细研究。通过ＳＵＰＲＥＭ—Ⅲ计算机工艺仿真，获得了三重扩散的工艺条件。对三重扩散实验样品进行的扩展电阻、磨角以及四探针方块电阻测试表明：获得了优化的器件设计和研制条件。本文设计并成功研制的新结构ＤＯＦＭ－ＣＴ器件，其电流可控能力达１３４Ａ／ｃｍ２。 展开更多

关键词 三重扩散 MOS控制晶闸管 工艺 场效应器件

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p型CuInS_2花状微球的液相可控合成及其电学性能表征

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作者 吴义良 周国方 +2 位作者 王文坚 张梓晗 吴春艳 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第2期154-159,共6页

以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基... 以十六烷基三甲基溴化铵(CTAB)为表面活性剂,在乙二醇(EG)中进行溶剂热反应,成功合成了四方晶系CuInS2花状微球。利用扫描电子显微镜(SEM)、X射线衍射(XRD)、光电子能谱(XPS)以及紫外-可见吸收光谱等表征其形貌、结构及成分,并构建了基于其的底栅型场效应器件(Back-gate FET)。实验结果表明:p型CuInS2微球所需合成温度为200℃,禁带宽度为1.62eV,电导率约为2S·cm-1。CuInS2微球有望用于低耗、高效CuInS2基光伏器件的制备。 展开更多

关键词 CuInS2 微球 场效应器件 光伏器件

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化学量传感器 被引量：1

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作者 虞惇 王贵华 武世香 《传感器技术》 CSCD 1992年第1期49-56,共8页

随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析测量仪 其电路示于图12-1中。放大器A_1、A_2和A_3构成仪器放... 随着ISFET研究的深入,与之相应的分析测试技术和测量仪器也在不断地更新和完善,这对提高测量的可靠性和分析精度起着重要的作用。本节予以介绍。 (一)仪器放大器型ISFET分析测量仪 其电路示于图12-1中。放大器A_1、A_2和A_3构成仪器放大器。 展开更多

关键词 场效应器件 测量仪器 化学量传感器

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化学量传感器 被引量：1

19

作者 虞惇 王贵华 武世香 《传感器技术》 CSCD 1991年第5期57-62,共6页

ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视,但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足,影响了测量精度。众所周知,对于一价离子,如按Nernst公式估算,每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓... ISFET虽然具有重量轻、体积小、响应快以及易于实现集成化和多功能化等特点而倍受人们的重视,但是这类器件还存在着漂移和滞后量大等不足,影响了测量精度。众所周知,对于一价离子,如按Nernst公式估算,每1mV的测量偏差大约相当于4％的浓度误差或2％的pX误差(pX=-logα_x)。对于二价离子,则误差将加倍。实际测量中温漂和滞后是比较明显的。例如pH-ISFET的温漂可达几mV/℃,滞后达数mV到十几mV,器件的时漂约为0.1～1mV/h。值得指出的是pH-ISFET的响应分为快响应和慢响应两部分,前者响应极快,一般在ms数量级,而后者可能长达数小时之久,在此期间器件的输出明显地随时间变化。由此可见, 展开更多

关键词 化学量传感器 传感器 场效应器件

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微波MESFET上变频器

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作者 张锦卫 冯立民 +1 位作者 苗敬峰 张锦卫 《东南大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1996年第5期124-130,共7页

微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等人利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ... 微波ＭＥＳＦＥＴ上变频器张锦卫＊冯立民苗敬峰（东南大学无线电工程系，南京２１００１８）随着微波ＦＥＴ的迅速发展，微波场效应管上变频器的研究引起了人们的兴趣．１９８０年Ａｂｌａｓｓｍｅｉｅｒ等人利用ＧａＡｓＭＥＳＦＥＴ制作了频率较低的上变频器［１］，... 展开更多

关键词 MESFET 变频器 场效应器件 微波

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