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微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究
被引量：
12
1
作者
陈长青
丁明清
+4 位作者
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
邵文生
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期363-366,共4页
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强...
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。
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关键词
微图形
定向碳纳米管
场发射阵列冷阴极
直流等离子体增强化学气相沉积
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职称材料
利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极
被引量：
3
2
作者
陈长青
丁明清
+3 位作者
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期1-5,共5页
通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少...
通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。
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关键词
UV光刻技术
变倾角缩口
定向碳纳米管的生长
场发射阵列冷阴极
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职称材料
题名
微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究
被引量：
12
1
作者
陈长青
丁明清
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
邵文生
机构
北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第5期363-366,共4页
基金
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室的资助
文摘
本文介绍了一种微图形化碳纳米管场发射阵列冷阴极,每个图形的直径仅为1μm,构成一个发射单元。制作工艺如下:首先在硅(100)基片上沉积氮化钛缓冲层,然后采用曝光工艺获得直径为1μm的胶孔阵列,沉积催化剂铁,最后采用直流等离子体增强化学气相沉积(DC-PECVD)生长直立的碳纳米管。并对17500个发射单元的阵列阴极进行了表面形貌表征及场发射特性测试。结果表明,碳纳米管阵列阴极的一致性较好;最低开启电场为1 V/μm;电场为17 V/μm时,测得的电流密度已达到90 mA/cm2;发射电流为550μA时,在2.5 h内的波动小于5.6%。
关键词
微图形
定向碳纳米管
场发射阵列冷阴极
直流等离子体增强化学气相沉积
Keywords
Micro-patterned, Well-aligned carbon-nanotube, Field emission arrays cathode, Direct current plasma enhanced chemical vapour deposition
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极
被引量：
3
2
作者
陈长青
丁明清
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
机构
北京真空电子技术研究所大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第1期1-5,共5页
基金
大功率微波电真空器件技术国防科技重点实验室的资助.
文摘
通过普通的紫外（UV）光刻工艺，结合“变倾角缩口”新技术，研制了不同发射单元尺寸的碳纳米管（CNTs）阵列阴极。扫瞄电镜分析表明，随着缩口尺寸的依次减小（从0．6μm到0．4μm，最后到0．2μm），发射单元内CNTs的根数也不断减少。当孔径缩至0．2μm时，发射单元仅由1根～3根CNTs组成，并且大部分单元顶端均有单根CNT伸出，使得整个发射体近似于单根CNT。场发射特性测试结果表明，0．2μm发射单元尺寸的阵列阴极，开启电场约2V·μm-1；当场强为20V·μm-1时，该阵列的电流密度达到0．35A·cm-2，比1μm尺寸的阵列阴极提高了近4倍，比连续生长的薄膜CNTs阴极则高1～2个数量级。
关键词
UV光刻技术
变倾角缩口
定向碳纳米管的生长
场发射阵列冷阴极
Keywords
UV lithography, Aperture reduction via varying glancing-angle, Growth of well-aligned carbon-nano tube, Field emission arrays cathode
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
微图形定向碳纳米管场发射阵列冷阴极的研究
陈长青
丁明清
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
邵文生
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
12
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
利用UV曝光技术研制单根定向碳纳米管阵列冷阴极
陈长青
丁明清
李兴辉
白国栋
张甫权
冯进军
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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职称材料
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