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半导体薄膜场发射中的膜厚影响
1
作者
段志强
王如志
+2 位作者
袁瑞玚
王波
严辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期256-262,共7页
考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最...
考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。
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关键词
场发射膜厚影响
有效隧穿势垒面积
散射衰减
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职称材料
题名
半导体薄膜场发射中的膜厚影响
1
作者
段志强
王如志
袁瑞玚
王波
严辉
机构
北京工业大学材料科学与工程学院薄膜材料实验室
出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期256-262,共7页
基金
国家自然科学基金(10604001)
北京市自然科学基金(4073029)
+2 种基金
北京市属市管高等学校人才强教计划
北京工业大学青年科研基金
北京工业大学博士科研启动基金资助项目
文摘
考虑到薄膜中的电子散射,发展与完善了现有的场发射F-N(Fowler-Nordheim)模型,理论研究了不同厚度的半导体薄膜对其场发射性能的影响。结果表明:薄膜厚度对场发射性能的影响是非常显著的,随着薄膜厚度的增加,将相继出现极差膜厚值与最佳膜厚值,理论计算很好地验证了已有的实验结果;并进一步理论分析了半导体薄膜场发射性能随膜厚变化行为的物理实质,其可能来源于有效隧穿势垒面积的改变及电流密度在薄膜中的散射衰减。
关键词
场发射膜厚影响
有效隧穿势垒面积
散射衰减
Keywords
field emission effect of thin-film thickness
area of effective tunneling barrier
attenuation of electron scattering
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
TN873.95 [电子电信—信息与通信工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
半导体薄膜场发射中的膜厚影响
段志强
王如志
袁瑞玚
王波
严辉
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
0
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