碳纳米管阴极场发射平板显示器的真空封装 被引量：15

1

作者 朱长纯 皇甫鲁江 +1 位作者 淮永进 康海波 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期102-104,共3页

通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹... 通过采用传统的网版漏印工艺和低熔点玻璃焊料封接技术 ,实现了场发射显示器真空平板封装 .这种封装稳定、可靠且成本低廉 .同时 ,配套的弹性阴极装配技术 ,可以方便地对不同材料的阴极进行组装 ,形成二极管结构的场发射平板显示器 .弹性装配技术还具有通过拼接得到大面积阴极的潜力 .采用这套技术 ,已经研制出碳纳米管阴极场发射显示器样品 . 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射平板显示器 真空封装 阴极

在线阅读 下载PDF 职称材料

场发射平板显示器件的进展 被引量：6

2

作者 柯春和 彭自安 +1 位作者 陈其略 胡汉泉 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 1997年第2期119-128,共10页

概述场致发射平板显示器件（FED）的理论基础、结构和工作原理、种类和制作工艺。对FED作出评价。介绍国际上在FED方面的竞争。展望了FED的前景。

关键词 真空微电子学 场致发射 fed 平板显示器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于CPLD的新型场发射平板显示器的控制驱动系统 被引量：4

3

作者 倪曼 张军 胡思正 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2002年第7期39-43,共5页

介绍一种新型场发射平板显示器件FAHED,利用CPLD作为核心,设计了器件的控制驱动系统,并采用计算机模拟的方法对系统的性能进行了检测,验证了设计的正确性和可行性。

关键词 控制驱动系统 场发射平板显示器 FAHED CPLD

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳纳米管/纤维阴极场发射平板显示器研制 被引量：2

4

作者 郭平生 孙卓 +1 位作者 陈奕卫 郑志豪 《华东师范大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2006年第4期29-33,55,共6页

探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程．用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF；以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极；... 探索了从碳纳米管/纳米纤维(CNT/CNF)的制备到CNT/CNF阴极场发射平面显示器(c-FED)封装的工艺流程．用化学气相沉积方法,优化制备条件获得了纯度较高的CNT/CNF；以CNT/CNF和低压荧光粉为原料,采用丝网印刷工艺制作显示器的阴极和阳极；采用类真空荧光显示器的封装工艺封装了c-FED样管．所研制的c-FED具有优良的场发射性能,较好的均匀性及发光密度,黄色荧光粉的c-FED在电场为2．7V/μm时的亮度可达600 cd/m^2．因该显示器使用普通玻璃作为阴阳极基板,整个工艺流程在大面积和实用化方面有很好的应用潜力． 展开更多

关键词 碳纳米管/碳纳米纤维 场发射 平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

一种基于DSP与FPGA实现场发射平板显示器视频信号处理系统的方案 被引量：3

5

作者 陈振华 邓少芝 许宁生 《中山大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2010年第2期8-12,共5页

数字视频信号处理涉及对高速实时视频信号的传输和处理,要求相关电路系统具有强大的数据处理能力。介绍一种以DSP和FPGA器件为核心构建的场发射平板显示器视频信号处理系统方案,并以TI公司的DSP芯片TMS320C6713和Xilinx公司的FPGA芯片XC... 数字视频信号处理涉及对高速实时视频信号的传输和处理,要求相关电路系统具有强大的数据处理能力。介绍一种以DSP和FPGA器件为核心构建的场发射平板显示器视频信号处理系统方案,并以TI公司的DSP芯片TMS320C6713和Xilinx公司的FPGA芯片XC3S200-PQ208来实现系统方案,在自主研制的4.5 inch(11.43 cm)160×120分辨率单色场发射平板显示样屏上得到了功能验证。所设计的视频信号处理电路方案把两种处理器的性能优势结合起来,具有微处理器嵌入式系统的优点,同时可实现并行算法结构,满足视频信号传输和处理的高速实时性要求。 展开更多

关键词 场发射平板显示器(fed) 视频信号处理 DSP(数字信号处理器) FPGA(现场可编程门阵列)

在线阅读 下载PDF 职称材料

场发射平板显示器件亮度非均匀性校正方法的研究 被引量：2

6

作者 郭军民 孙鉴 汪文秉 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1997年第6期14-19,共6页

首次提出采用亮度不均校正的方案解决场发射平板显示器件中微尖阵列均匀性问题；建立了矩阵式平板显示器件亮度非均匀性校正的物理模型，并近似成相应的数学模型；给出了校正参量的优化算法，计算得到了由亮度非均匀性决定的显示器件的... 首次提出采用亮度不均校正的方案解决场发射平板显示器件中微尖阵列均匀性问题；建立了矩阵式平板显示器件亮度非均匀性校正的物理模型，并近似成相应的数学模型；给出了校正参量的优化算法，计算得到了由亮度非均匀性决定的显示器件的成品率与非均匀调制特性标准差的关系． 展开更多

关键词 平板显示器件 亮度 非均匀性 场发射

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳纳米管的场致发射及在平板显示领域中的应用 被引量：6

7

作者 秦玉香 胡明 +2 位作者 李海燕 张之圣 邹强 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2006年第2期277-283,共7页

碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的场发射阴极材料,在平板显示领域具有潜在的应用价值．CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用．本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发,阐述了C... 碳纳米管(CNTs)具有低的阈值电场和高的发射电流密度,是一种性能优良的场发射阴极材料,在平板显示领域具有潜在的应用价值．CNTs的场发射性能直接关系到CNTs场发射阴极在未来的实际应用．本文从Fowler-Nordheims场发射理论出发,阐述了CNTs的场发射机制;详细论述了各种因素包括CNTs的定向性、层结构、几何特征、阵列密度、系统真空度以及CNTs与基底材料之间的键合等对CNTs场发射特性的影响;介绍了CNTs场发射特性在平板显示领域中的实际应用． 展开更多

关键词 碳纳米管 场发射 Fowler—Nordheims模型 平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

真空微电子平板显示器工艺研究 被引量：3

8

作者 皇甫鲁江 朱长纯 +3 位作者 淮永进 铁执玲 单建安 郭彩林 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第11期119-121,共3页

本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳... 本文介绍了我们最近开发的真空微电子平板数码管工艺，主要包括阳极支柱（阵列）的制作和平板透明真空封装。利用上述工艺已经制成了平板数码营，其栅阴特性理想，阳阴之间也能测得明显的场致发射特性并伴有荧光激发。目前，数码管玻壳内真空度的维持等还存在问题，文章最后分析了其原因。 展开更多

关键词 场致发射 平板显示器 真空微电子器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳纳米管场致发射显示器与驱动系统的集成研究 被引量：1

9

作者 杨堃 《电子测量技术》 2007年第5期1-3,共3页

碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示... 碳纳米管场致发射显示器因其特有的性质和优良的性能赢得了普遍关注。场致发射显示器的驱动电路设计与制作是场致发射显示器的一个重要部分,使用非专用驱动系统导致驱动部分体积庞大、连线复杂。本文讨论一种驱动碳纳米管场致发射显示器的新方式。由于碳纳米管可以生长在硅基底上,从而可将驱动电路预先制作在硅基底上,然后再利用室温下生长碳纳米管的方法,将碳纳米管和电路集成在同一硅基底上。驱动系统和发射部分集成在一起,可达到使FED轻薄的设计要求。 展开更多

关键词 碳纳米管(CNT) 场发射显示器(fed) 驱动系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

场发射用碳纳米管的研究 被引量：8

10

作者 朱长纯 王琪琨 +4 位作者 但亚平 刘卫华 杨大江 窦菊英 张声良 《西安交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第11期100-101,共2页

用直流电弧法制备出了可用于场发射的碳纳米管,其长度在0.5～1μm之间,管径约20～30nm,且大多数具有多层结构.研究发现,经超声分离的样品中有大量便于移植的一端封口的碳管.详细讨论了生长的工艺条件对碳管形貌的影响,给出了生长场发射... 用直流电弧法制备出了可用于场发射的碳纳米管,其长度在0.5～1μm之间,管径约20～30nm,且大多数具有多层结构.研究发现,经超声分离的样品中有大量便于移植的一端封口的碳管.详细讨论了生长的工艺条件对碳管形貌的影响,给出了生长场发射用碳纳米管的优化工艺条件. 展开更多

关键词 碳纳米管 场致发射 fed 纳米材料

在线阅读 下载PDF 职称材料

金刚石薄膜场致发射的研究 被引量：6

11

作者 唐敦乙 林书铨 +2 位作者 张志明 沈荷生 李胜华 《上海交通大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第2期212-214,共3页

给出了以硅片和钼片作基底，在不同掺杂状态下的几种金刚石薄膜的发射特性和两种金刚石薄膜的扫描电子显微镜照片及喇曼光谱．测试结果表明，掺杂后的金刚石薄膜的发射电流密度可增大一个数量级．

关键词 场致发射 金刚石薄膜 掺杂 显示器件 fed LCD

在线阅读 下载PDF 职称材料

纳米厚度氮化硼薄膜的场发射特性 被引量：2

12

作者 顾广瑞 李英爱 +4 位作者 陶艳春 何志 殷红 李卫青 赵永年 《液晶与显示》 CAS CSCD 2003年第1期10-13,共4页

利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发... 利用射频磁控溅射方法,在n型(100)Si基底上沉积了不同厚度(54～135nm)的纳米氮化硼(BN)薄膜。红外光谱分析表明,BN薄膜结构为六角BN(h BN)相(1380cm-1和780cm-1)。在超高真空系统中测量了不同膜厚BN薄膜的场发射特性,发现BN薄膜的场发射特性与膜厚关系很大,阈值电场随着厚度的增加而增大。由于BN薄膜和Si基底界面间存在功函数差,使得Si基底中电子转移到BN薄膜的导带,在外电场作用下隧穿BN表面势垒,发射到真空。 展开更多

关键词 纳米氮化硼薄膜 场发射特性 薄膜厚度 功函数 场发射平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

场致发射阴极材料的研究与进展 被引量：7

13

作者 於黄中 彭俊彪 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期86-89,共4页

场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分。介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用... 场致发射显示器是一种新型的具有竞争力的平板显示器,场致发射阴极是场致发射显示器的重要组成部分。介绍了各种场致发射阴极材料及其特性,分析了场致发射机理及各种场致发射阴极材料最新进展,并简单讨论了场致发射材料国内外开发应用研究现状及差距。 展开更多

关键词 场致发射阴极 场致发射显示器 平板显示器 开发应用

在线阅读 下载PDF 职称材料

碳基场发射冷阴极材料的研究 被引量：2

14

作者 钱开友 林仰魁 +2 位作者 徐东 蔡炳初 孙卓 《材料导报》 EI CAS CSCD 2004年第5期12-15,共4页

场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进... 场发射冷阴极材料作为真空微电子器件的核心部件,在真空微电子场发射的研究与应用中占有极其重要的地位。目前碳基材料金刚石、类金刚石和碳纳米管在场发射冷阴级的研究中居统治地位。阐述了以上3种材料的制备工艺,发射特性,提出了改进其发射性能的措施,并对它们目前存在的问题及其应用前景进行了展望。 展开更多

关键词 碳基材料 场发射冷阴极 真空微电子器件 类金刚石 碳纳米管 发射传感器 场发射平板显示器 微波毫米波器件

在线阅读 下载PDF 职称材料

水溶胶法碳纳米管薄膜及其场发射稳定性和寿命 被引量：1

15

作者 刘卫华 朱长纯 +2 位作者 曾凡光 王琪琨 皇甫鲁江 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第11期2047-2050,共4页

利用高温水解法制得的Fe(OH)3水溶胶,在衬底上引入纳米催化颗粒的前驱物Fe(OH)3胶粒.然后利用CVD法生长出了藤蔓状和定向排列两种碳纳米管薄膜.对该工艺制备的藤蔓状碳纳米管薄膜的场发射稳定性和工作寿命进行了测试.给出了场发射电流... 利用高温水解法制得的Fe(OH)3水溶胶,在衬底上引入纳米催化颗粒的前驱物Fe(OH)3胶粒.然后利用CVD法生长出了藤蔓状和定向排列两种碳纳米管薄膜.对该工艺制备的藤蔓状碳纳米管薄膜的场发射稳定性和工作寿命进行了测试.给出了场发射电流随老练时间变化的曲线.结果表明其场发射电流在开始的一个老化期内波动剧烈,经过老化后场发射电流逐渐稳定.老化48小时后,在3.7v/μm场强下场发射电流达到1mA/cm2.在电流衰减不超过30%情况下,阴极寿命超过15000小时. 展开更多

关键词 碳纳米管 溶胶 场发射平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

VGA级大屏幕印刷型FED视频显示系统的研制 被引量：1

16

作者 林志贤 郭太良 《电光与控制》 北大核心 2008年第4期63-65,84,共4页

论述印刷型场致发射显示器驱动系统的工作原理,介绍了采用DVI、VGA视频接口技术、专用集成图像灰度调制和集成扫描电路接口技术以及FPGA控制等技术研制出了能驱动显示VGA分辨率的印刷型FED视频显示系统。该系统能显示各种彩色视频图像,... 论述印刷型场致发射显示器驱动系统的工作原理,介绍了采用DVI、VGA视频接口技术、专用集成图像灰度调制和集成扫描电路接口技术以及FPGA控制等技术研制出了能驱动显示VGA分辨率的印刷型FED视频显示系统。该系统能显示各种彩色视频图像,图像亮度已达400cd/m2、对比度达1 000:1,电路灰度等级达256级,有效显示对角线尺寸为635 mm(25 in)。 展开更多

关键词 场致发射显示器 VGA 视频显示 fed显示系统

在线阅读 下载PDF 职称材料

新型T形边缘场致发射器件的静电分析

17

作者 汪琛 赵宏卫 +2 位作者 尹涵春 王保平 童林夙 《应用科学学报》 CAS CSCD 1998年第3期313-319,共7页

对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中... 对一种新型Ｔ形边缘场致发射体进行了静电分析，给出了一个三极管单元的数值计算结果．在静电场的计算中采用了一种新的数值方法——非正交有限差分算法，由于所取坐标轴与边界重合，所以该方法能有效地处理任意形状的场致发射体．文中给出了场强及发射电流与几何结构因子的关系曲线、轨迹图及ＩＶ特性曲线。 展开更多

关键词 静电分析 边缘场致发射体 T形 平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

基于二次电子发射的FED中支撑结构的优化设计

18

作者 仲雪飞 Wilbert van der Poel +1 位作者 Daniel den Engelsen 尹涵春 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期249-254,262,共7页

基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有... 基于二次电子发射的场致发射显示器 (HOPFED)是一种新型的场致发射器件。其新颖之处在于其独特的支撑形状 ,这种结构的优点是充分提高了场致发射显示的性能 ,如对比度、色纯及像素内的发光均匀性 ,并减少了离子轰击发射源。在目前已有的结构中 ,环形的屏上光点不能使荧光粉得到充分的利用 ,而且光点尺寸较小 ,容易使荧光粉达到饱和。为了得到符合荧光粉要求的光点形状 ,本文提出了diabolo形状flu支撑、ZEUs形状hop支撑以及长flu支撑三种支撑形状 ,并采用数值计算的方法对这几种不同的支撑结构对屏上光点的影响进行了模拟计算。计算结果表明 ,对这三种不同的支撑形状进行优化以后都能得到符合荧光粉的要求的屏上光点。在现有的工艺条件下 ,长flu支撑是一种能改善光点和场强分布 ,而又易于制作的支撑结构。 展开更多

关键词 光点 fed 荧光粉 场致发射显示器 色纯 对比度 像素 二次电子 场强分布 发光

在线阅读 下载PDF 职称材料

四针氧化锌制备及其场致发射特性 被引量：3

19

作者 屈科 张晓兵 +3 位作者 雷威 侯凯 李驰 杨夏喜 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期542-546,共5页

采用了VS(Vapor-Solid)的方法制备了四针状ZnO,以此作为场致电子发射的冷阴极材料。并对材料进行了扫描电镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)测试分析,揭示其表面形态和晶体结构。同时将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极管结构场致发射... 采用了VS(Vapor-Solid)的方法制备了四针状ZnO,以此作为场致电子发射的冷阴极材料。并对材料进行了扫描电镜(SEM)和X射线粉末衍射(XRD)测试分析,揭示其表面形态和晶体结构。同时将阴极与印刷有荧光粉的阳极板组装成二极管结构场致发射显示屏,并进行了场致发射特性实验。该二极管结构的开启电压为3.6V/μm,其阈值电压为6.6V/μm,相应的电流密度为0.2mA/cm2,并且具有稳定的电流密度和均匀的显示效果。实验证明ZnO是一种优良的场致发射冷阴极材料,具有广阔的应用前景。 展开更多

关键词 四针状ZnO 场致发射 纳米材料 平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料

胶体石墨涂层的平面场发射特性研究

20

作者 翁波 宋教花 +1 位作者 张耿民 张兆祥 《北京大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 北大核心 2004年第3期487-490,共4页

研究了胶体石墨涂层的场发射特性。测得其相应于 10 μA cm2 场发射电流密度的开启场强为 5 4V μm ,相应于 1mA cm2 场发射电流密度的阈值场强为 8 8V μm。扫描电子显微镜观察表明场发射应该来自细小石墨碎片的尖锐边缘。通过计算估... 研究了胶体石墨涂层的场发射特性。测得其相应于 10 μA cm2 场发射电流密度的开启场强为 5 4V μm ,相应于 1mA cm2 场发射电流密度的阈值场强为 8 8V μm。扫描电子显微镜观察表明场发射应该来自细小石墨碎片的尖锐边缘。通过计算估计出这些尖锐边缘处的场强比阴阳极之间的平均场强增加了大约 4× 10 2 展开更多

关键词 场发射 胶体石墨 平板显示器

在线阅读 下载PDF 职称材料