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多孔硅场致电子发射
被引量：
1
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作者
丁邦建
王维彪
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2000年第4期268-272,共5页
研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性 ,实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。
关键词
多孔硅
冷阴极
场
致电子
发射
多孔硅
场发射器件
在线阅读
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职称材料
碳纳米管场发射背阴极式三极结构及其模拟
被引量：
1
2
作者
陆旭
狄云松
《南京师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期54-58,共5页
提出了一种碳纳米管新型的背阴极式场发射三极结构.在这种结构中,带有孔阵列的薄玻璃基板作为阴极基板,碳纳米管阴极材料通过丝网印刷的方法装配在玻璃孔周围的阴极电极上.栅极电极则装配在阴极材料下方另一块基板上,在玻璃孔对面与之...
提出了一种碳纳米管新型的背阴极式场发射三极结构.在这种结构中,带有孔阵列的薄玻璃基板作为阴极基板,碳纳米管阴极材料通过丝网印刷的方法装配在玻璃孔周围的阴极电极上.栅极电极则装配在阴极材料下方另一块基板上,在玻璃孔对面与之相对的则为覆盖有ITO电极和荧光粉层的阳极基板.在阳极基板上施加高电压,强电场则通过玻璃孔渗透到碳纳米管的表面使之发射,电子穿过玻璃通道轰击阳极,在栅极电极上施加反向电压用以减小阴极表面的电场从而关闭阴极发射达到调制效果.本文通过电场和电子轨迹的计算机模拟,验证此场发射三极结构的可行性并得出它的调制特性.
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关键词
碳纳米管
场发射器件
三极结构
调制特性
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职称材料
题名
多孔硅场致电子发射
被引量：
1
1
作者
丁邦建
王维彪
机构
镇江高等专科学校
中国科学院长春光学精密机械与物理研究所
出处
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2000年第4期268-272,共5页
基金
国家自然科学基金资助! ( 56972 0 34 )
文摘
研究了多孔硅冷阴极的场致电子发射特性 ,实验表明采用电化学阳极腐蚀、氧化、蒸电极等工艺可以制备一种平面薄膜型多孔硅冷阴极。
关键词
多孔硅
冷阴极
场
致电子
发射
多孔硅
场发射器件
Keywords
porous silicon
field emission
cold cathode
分类号
TN383.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
碳纳米管场发射背阴极式三极结构及其模拟
被引量：
1
2
作者
陆旭
狄云松
机构
江苏联合职业技术学院镇江分院
南京师范大学物理科学与技术学院
出处
《南京师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2013年第1期54-58,共5页
基金
国家自然基金(61101023)
江苏省高校自然科学基金(2009102TSJ0122)
文摘
提出了一种碳纳米管新型的背阴极式场发射三极结构.在这种结构中,带有孔阵列的薄玻璃基板作为阴极基板,碳纳米管阴极材料通过丝网印刷的方法装配在玻璃孔周围的阴极电极上.栅极电极则装配在阴极材料下方另一块基板上,在玻璃孔对面与之相对的则为覆盖有ITO电极和荧光粉层的阳极基板.在阳极基板上施加高电压,强电场则通过玻璃孔渗透到碳纳米管的表面使之发射,电子穿过玻璃通道轰击阳极,在栅极电极上施加反向电压用以减小阴极表面的电场从而关闭阴极发射达到调制效果.本文通过电场和电子轨迹的计算机模拟,验证此场发射三极结构的可行性并得出它的调制特性.
关键词
碳纳米管
场发射器件
三极结构
调制特性
Keywords
carbon nanotube, field emission device, triode, modulation characteristic
分类号
O462.4 [理学—电子物理学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
多孔硅场致电子发射
丁邦建
王维彪
《液晶与显示》
CAS
CSCD
2000
1
在线阅读
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职称材料
2
碳纳米管场发射背阴极式三极结构及其模拟
陆旭
狄云松
《南京师大学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
北大核心
2013
1
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职称材料
已选择
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参考文献
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