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国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价
被引量：
3
1
作者
胡建民
吴宜勇
+3 位作者
何松
钱勇
陈鸣波
杨德庄
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1568-1573,共6页
研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相...
研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相近,和电池结构关系不大,这是由于高能质子和能够造成电池位移损伤的电子更容易穿透电池,在电池中产生均匀损伤。通过计算透过防护盖片后的带电粒子能谱对JPL(Jet Propulsion Labo-ratory)的等效注量法进行了改进,在地球同步轨道环境下评价了国产GaAs/Ge太阳电池的在轨行为。
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关键词
GAAS/GE太阳电池
辐射效应
相对损伤系数
在轨行为
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职称材料
题名
国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价
被引量：
3
1
作者
胡建民
吴宜勇
何松
钱勇
陈鸣波
杨德庄
机构
哈尔滨工业大学材料科学与工程学院
哈尔滨师范大学物理与电子工程学院
上海空间电源研究所
出处
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010年第12期1568-1573,共6页
基金
国家重点基础研究发展计划项目(200561343)
国家自然科学基金项目(11075043)
哈尔滨师范大学青年学术骨干资助计划项目(KGB200914)
文摘
研究了电子和质子辐照下国产GaAs/Ge太阳电池电学性能退化规律。结果表明:小于200keV质子辐照下国内外GaAs/Ge电池等效损伤系数明显不同,原因是国内外太阳电池结构参数的不同引起的。高能质子和电子辐照下,国内外电池等效损伤系数结果相近,和电池结构关系不大,这是由于高能质子和能够造成电池位移损伤的电子更容易穿透电池,在电池中产生均匀损伤。通过计算透过防护盖片后的带电粒子能谱对JPL(Jet Propulsion Labo-ratory)的等效注量法进行了改进,在地球同步轨道环境下评价了国产GaAs/Ge太阳电池的在轨行为。
关键词
GAAS/GE太阳电池
辐射效应
相对损伤系数
在轨行为
Keywords
GaAs/Ge solar cells
irradiation effects
relative damage coefficients
orbital behaviors
分类号
TK514 [动力工程及工程热物理—热能工程]
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作者
出处
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被引量
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1
国产GaAs/Ge太阳电池在轨行为评价
胡建民
吴宜勇
何松
钱勇
陈鸣波
杨德庄
《太阳能学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2010
3
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