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题名片上皮法级电容测试系统专用标准件的研制
被引量：4
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作者
乔玉娥
梁法国
丁晨
刘岩
翟玉卫
郑世棋
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
北大核心
2019年第3期232-238,共7页
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文摘
研制了一套用于片上皮法级电容测试系统的电容标准件,量值低至1 pF,频率达到1 MHz。该电容标准件采用GaAs衬底,金属-绝缘层-金属(MIM)结构的电容器阵列实现,其标称值分别为1,10和100 pF。为了消除由探针系统和外界环境引入的分布电容的影响,在芯片同一单元内设计了在片开路器,电容测量准确度达到±1%。建立了在片皮法级电容测量模型,利用组建的可溯源在片定标装置对电容样片定标后,进行重复性和稳定性考核,最终研制出年稳定性小于0.4%的电容标准件一套。测量结果及标准件应用表明,研制的标准件可为片上皮法级电容测试系统进行现场整体校准。
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关键词
片上皮法级电容测试系统
在片开路器
MIM电容
测量模型
在片电容标准件
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Keywords
on-chip pF-capacitance test system
on-chip open
metal-insulator-metal(MIM)capacitor
measurement model
on-chip capacitance standard
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分类号
TN304.23
[电子电信—物理电子学]
TB971
[机械工程—测试计量技术及仪器]
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题名PCM设备电容参数整体校准方法研究
被引量：2
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作者
乔玉娥
刘霞美
丁晨
朱超
吴爱华
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《计量学报》
CSCD
北大核心
2023年第6期962-967,共6页
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文摘
半导体行业中普遍使用的工艺过程监控设备(PCM设备),是芯片产品中测环节必不可少的测量设备。PCM设备电容参数的准确测量,是保证与电容制作相关工艺参数的重要手段。针对国内PCM设备电容参数暂无溯源途径现状,根据其测试原理,研究了基于在片电容标准件的整体无损校准方法。采用增加绝缘层的半导体工艺,研制了高稳定性、频响至1 MHz、电容低至0.5 pF的在片电容标准件,满足了国内PCM设备电容参数自动校准需求,测量不确定度优于1%。研究了PCM设备电容参数溯源方法,从而保证了芯片产品PCM图形电容量值测量结果的准确一致,提高了计量效率。
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关键词
计量学
在片电容标准件
工艺过程监控设备
整体校准
定标装置
溯源
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Keywords
metrology
on-wafer capacitor standards
PCM
whole-calibration
calibration device
traceability
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分类号
TB973
[机械工程—测试计量技术及仪器]
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