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题名太赫兹在片S参数测量串扰修正方法研究
被引量：2
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作者
刘晨
王一帮
吴爱华
杜静
张立飞
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
解放军陆军步兵学院石家庄校区
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出处
《微波学报》
CSCD
北大核心
2021年第2期66-69,共4页
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文摘
为修正太赫兹在片S参数测试时探针间串扰误差,提出了一种包含串扰的新型误差模型,以及基于此误差模型的校准方法。该方法分别对待校准和测试时的串扰误差。基于这一概念,开发了一种新型12项误差模型,将串扰误差视为与被测件(DUT)并联的独立二端口网络。在测量DUT前通过测量一对长度与DUT相同的开路标准实现对串扰误差的表征并移除。实验证明,在140~220GHz频率范围内,使用新方法校准后测量10 dB衰减器,与没有串扰校正的传统12项误差模型相比,220 GHz时传输系数大约提高了1 dB。
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关键词
太赫兹测量
在片测量
散射参数
误差模型
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Keywords
terahertz measurement
on-wafer measurement
scattering parameters
error model
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分类号
TN407
[电子电信—微电子学与固体电子学]
O441
[理学—电磁学]
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题名10 GΩ在片高值电阻溯源实验
被引量：3
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作者
刘岩
乔玉娥
丁晨
梁法国
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机构
中国电子科技集团公司第十三研究所
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出处
《计量学报》
CSCD
北大核心
2018年第4期545-548,共4页
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文摘
为解决在片高值电阻参数的溯源问题,组建了一套可溯源的在片高值电阻测量系统,并提出针对该系统的量值溯源方案,实现了在片高值电阻到常规同轴形式标准高值电阻的溯源。组件的测量系统通过额外的探针和线缆将同轴形式的标准电阻器接口延伸至探针末端,使用在片直通对接线将对应探针短接,形成同轴-在片-同轴形式的测量回路,从而将在片测量值与同轴端测量值联系起来,同时给出了保守的不确定度评估方法。使用组建的测量系统进行在片高值电阻溯源实验,实验数据显示在10 GΩ点的相对扩展不确定度为0.3%(k=2)。
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关键词
计量学
高值电阻
在片测量
溯源
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Keywords
metrology
on-wafer measurement
high Resistance
traceability
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分类号
TB971
[机械工程—测试计量技术及仪器]
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