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0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
被引量：
1
1
作者
徐忠超
刘军
+3 位作者
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期345-350,380,共7页
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋...
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
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关键词
在片测试结构
等效电路模型
参数提取
太赫兹
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职称材料
太赫兹平面肖特基二极管参数模型
被引量：
6
2
作者
赵向阳
王俊龙
+4 位作者
邢东
杨大宝
张立森
梁士雄
冯志红
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2016年第12期151-156,共6页
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频...
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。
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关键词
太赫兹
肖特基二极管
小信号等效电路模型
在片测试结构
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职称材料
题名
0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
被引量：
1
1
作者
徐忠超
刘军
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
机构
南京电子器件研究所微波毫米波单片集成和模块电路国家级重点实验室
杭州电子科技大学教育部射频电路与系统重点实验室
出处
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019年第3期345-350,380,共7页
基金
国家自然科学基金(61331006)~~
文摘
给出了 InP DHBT 器件在片测试用到的开路和短路结构的等效电路模型.模型拓扑结构基于物理结构建立并对其在亚毫米波段的高频寄生进行相对完整的考虑.模型的容性和阻性寄生采用解析提取技术从开路结构低频测试数据中获取.模型的高频趋肤效应采用传统物理公式计算初值并结合短路测试结构的低频解析提取结果对计算公式进行修正使其适用于实际测试结构建模.模型拓扑结构和参数提取方法采用 0.5 μm InP DHBT 工艺上设计所得开路、短路测试结构进行验证.模型仿真和测试所得S参数在0.1~325GHz频段内吻合地很好.
关键词
在片测试结构
等效电路模型
参数提取
太赫兹
Keywords
on-wafer test structures
equivalent circuit models
parameter extraction
THz
分类号
TN32 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
太赫兹平面肖特基二极管参数模型
被引量：
6
2
作者
赵向阳
王俊龙
邢东
杨大宝
张立森
梁士雄
冯志红
机构
专用集成电路国家级重点实验室
中国电子科技集团公司第十三研究所
出处
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2016年第12期151-156,共6页
文摘
根据太赫兹平面肖特基二极管物理结构,在理想二极管SPICE参数模型的基础上建立了二极管小信号等效电路模型。依据该二极管等效电路模型设计了基于共面波导（CPW）去嵌方法的二极管S参数在片测试结构,并对其在0.1~50 GHz、75~110 GHz频率范围内进行了高频小信号测试,利用测试结果提取了高频下二极管电路模型中各部分电容、电阻以及电感参数。将相应的高频下电容与电阻参数分别与低频经验公式电容值和直流I-V测试提取的电阻值进行了对比,并利用仿真手段对高频参数模型进行了验证。完整的参数模型以及测试手段相较于理想二极管SPICE模型和传统的参数提取方法可以更为准确地表征器件在高频下的工作状态。该建模思路可用于太赫兹频段非线性电路的优化设计。
关键词
太赫兹
肖特基二极管
小信号等效电路模型
在片测试结构
Keywords
terahertz
Schottky diodes
small signal equivalent circuit model
DUT structure
分类号
TN315.3 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
0.1～325 GHz频段InP DHBT器件在片测试结构建模
徐忠超
刘军
钱峰
陆海燕
程伟
周文勇
《红外与毫米波学报》
SCIE
EI
CAS
CSCD
北大核心
2019
1
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
太赫兹平面肖特基二极管参数模型
赵向阳
王俊龙
邢东
杨大宝
张立森
梁士雄
冯志红
《红外与激光工程》
EI
CSCD
北大核心
2016
6
在线阅读
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职称材料
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