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二维正弦调制靶的图形转移研究
被引量：
3
1
作者
孙骐
周斌
+5 位作者
黄耀东
沈军
吴广明
唐伟星
杨帆
王珏
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2002年第4期327-330,共4页
根据惯性约束聚变分解实验的要求 ,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形 ,结合电镀图形转移工艺 ,获得了波长 2 0～ 10 0 μm、振幅 0 2～ 3 5 μm的一系列Ni基图形转移模板 ,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面 ...
根据惯性约束聚变分解实验的要求 ,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形 ,结合电镀图形转移工艺 ,获得了波长 2 0～ 10 0 μm、振幅 0 2～ 3 5 μm的一系列Ni基图形转移模板 ,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面 ,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺 ,特别是深振幅样品的脱模工艺 ,对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程 ,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌 。
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关键词
二维正弦调制靶
平面调制靶
电镀
图形转移工艺
惯性约束聚变
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职称材料
题名
二维正弦调制靶的图形转移研究
被引量：
3
1
作者
孙骐
周斌
黄耀东
沈军
吴广明
唐伟星
杨帆
王珏
机构
同济大学波耳固体物理研究所
出处
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2002年第4期327-330,共4页
基金
国家"8 63"惯性约束聚变领域资助课题 (863 41 6 3 3 6)
文摘
根据惯性约束聚变分解实验的要求 ,通过激光干涉法在光刻胶表面制备正弦起伏图形 ,结合电镀图形转移工艺 ,获得了波长 2 0～ 10 0 μm、振幅 0 2～ 3 5 μm的一系列Ni基图形转移模板 ,并进一步将正弦起伏图形转移到聚苯乙烯薄膜表面 ,制备出聚苯乙烯二维调制箔靶。研究了图形的精确转移工艺 ,特别是深振幅样品的脱模工艺 ,对工艺参数的优化进行了讨论。采用台阶仪和原子力显微镜监控图形转移过程 ,比较了光刻胶表面图形和一次、二次电镀转移图形以及转移到聚苯乙烯薄膜上图形的形貌 。
关键词
二维正弦调制靶
平面调制靶
电镀
图形转移工艺
惯性约束聚变
Keywords
surface perturbation target
electroplate
figure transfer process
分类号
TL632 [核科学技术—核技术及应用]
TL503.4 [核科学技术—核技术及应用]
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作者
出处
发文年
被引量
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1
二维正弦调制靶的图形转移研究
孙骐
周斌
黄耀东
沈军
吴广明
唐伟星
杨帆
王珏
《原子能科学技术》
EI
CAS
CSCD
2002
3
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