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题名图形反转工艺制作OLED器件的阴极分离器
被引量：5
- 1
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作者
王军
杨刚
蒋亚东
于军胜
林慧
成建波
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机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《发光学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第2期198-202,共5页
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基金
电子科技大学-浙江阳光集团联合OLED器件研发资助项目(W050317)
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文摘
应用AZ5214光刻胶的反转特性,在玻璃基板上制作OLED器件的阴极分离器。指出影响倒梯形形状的主要因素为涂胶厚度、曝光量和反转烘烤。SEM测试表明分离器的断面呈倒梯形,倾角约为45°,胶厚3μm。得到了优化的制备分离器工艺参数:匀胶转速1200r/min,烘烤温度100℃,时间90s,曝光时间0.8s,反转烘温度125℃,时间45s,泛曝光时间5.5s,显影时间40s。
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关键词
有机发光二极管
阴极分离器
图形反转
光刻
倒梯形
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Keywords
OLED
cathode separator
image reverse
photolithography
reverse trapeziform shape
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分类号
TN383.1
[电子电信—物理电子学]
TN873.3
[电子电信—信息与通信工程]
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题名图形反转工艺用于金属层剥离的研究
被引量：6
- 2
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作者
陈德鹅
吴志明
李伟
王军
袁凯
蒋亚东
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机构
电子科技大学光电信息学院电子薄膜与集成器件国家重点实验室
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期535-538,共4页
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基金
教育部新世纪优秀人才支持计划资助项目(NCET-04-0896)
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文摘
研究了AZ-5214胶的正、负转型和形成适用于剥离技术的倒台面图形的工艺技术。用扫描电镜和台阶仪测试制作出的光刻胶断面呈倒台面,倾角约为60°,胶厚1.4μm。得到了优化的制作倒台面结构的光刻胶图形的工艺参数:匀胶转速4000r/min,前烘温度100℃,时间60s,曝光时间0.3s,反转烘温度110℃,时间90s,泛曝光时间2s,显影时间50s。用金相显微镜测试了在优化工艺参数条件下制作的光刻胶图形的分辨率,同时对图形反转机理进行了讨论。
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关键词
光刻
AZ-5214
剥离工艺
图形反转
断面模拟
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Keywords
optical lithography
AZ-5214
lift-off technology
image reverse
section analog
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分类号
TN305
[电子电信—物理电子学]
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题名适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术
被引量：3
- 3
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作者
郭喜
支淑英
杨春莉
巩爽
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机构
华北光电技术研究所
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出处
《激光与红外》
CAS
CSCD
北大核心
2010年第3期257-259,共3页
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文摘
介绍了一种适用于厚膜剥离的图形反转双层胶光刻技术,采用图形反转胶和正型光刻胶,选择合适的光刻工艺形成了光刻胶"倒梯形"的剖面结构,可以成功剥离与胶层厚度相同的膜层,厚度可达13μm。同时对一些技术机理和关键工艺条件进行了讨论。
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关键词
图形反转
双层光刻胶
厚膜剥离
倒梯形
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Keywords
image-reversal
dual layer resist
thick film lift-off
reverse trapeziform shape
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分类号
TN205
[电子电信—物理电子学]
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题名图形反转双层光刻胶金属剥离技术
被引量：4
- 4
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作者
李春燕
王宇
张霞
范惠娟
孙强
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机构
中国电子科技集团公司第十八研究所
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出处
《电源技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第3期140-141,共2页
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文摘
金属剥离技术是用于空间用太阳电池电极的关键工艺技术。为了实现真空蒸镀直接剥离7 mm金属层的目的,开发了图形反转双层光刻胶金属剥离技术。采用图形反转胶和正型光刻胶,实现了理想的光刻胶剖面图形,检测表明金属厚度达到7 μm。此技术已经用于高效太阳电池的批量生产中。空间环模条件考核表明此工艺制作的电极满足空间环境的要求。
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关键词
太阳电池
光刻
图形反转
双层光刻胶
剥离
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Keywords
solar cells
photolithography
reverse-pattern
dual layer resist
lift-off
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分类号
TM914.4
[电气工程—电力电子与电力传动]
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