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ZnO纳米线阵列的图形化生长
被引量：
1
1
作者
艾磊
方国家
+2 位作者
刘逆霜
王明军
赵兴中
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期419-421,共3页
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，...
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
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关键词
ZNO纳米线
光刻
图形化生长
气相输运
水热合成
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职称材料
二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑综合性实验设计
2
作者
王震东
王剑宇
王立
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022年第3期47-50,61,共5页
二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综合性实验,利用金属材料的诱导作用,采用化学气相沉积法,在SiO;/Si衬底上...
二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综合性实验,利用金属材料的诱导作用,采用化学气相沉积法,在SiO;/Si衬底上构筑了有序的WSe_(2)晶体阵列。扫描电子显微镜观测发现WSe_(2)晶体围绕着金属点生长,并形成了有序二维晶体图形;透射电子显微镜和拉曼光谱进一步确证了WSe_(2)晶体的高质量合成。该综合性设计性实验能有效打破学科壁垒,拓展学生的实验技能范围,培养学生的创新思维和科研能力。
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关键词
过渡金属二硫化物
图形化生长
WSe_(2)晶体
化学气相沉积
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职称材料
题名
ZnO纳米线阵列的图形化生长
被引量：
1
1
作者
艾磊
方国家
刘逆霜
王明军
赵兴中
机构
武汉大学声光材料与器件教育部重点实验室
中国科学院传感技术国家联合重点实验室
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期419-421,共3页
基金
基金项目：湖北省自然科学基金资助项目（2006ABA215）
文摘
采用光刻和射频磁控溅射技术在Si衬底上制备了图形化的ZnO种子层薄膜。分别采用气相榆运和水热合成法，制备了最小单元为30μm的图形化的ZnO纳米线阵列。X射线衍射（XRD）分析显示单晶纳米线阵列具有高度的c轴[001]择优取向生长性质，从扫描电子显微镜（SEM）照片看出，阵列图形完整清晰，边缘整齐，纳米线阵列在室温下光致发光（PL）谱线中在380hm左右具有强烈的紫外发射峰，可见光区域发射峰得到了抑制，证明ZnO纳米线阵列氧空位缺陷少，晶体质量高。
关键词
ZNO纳米线
光刻
图形化生长
气相输运
水热合成
Keywords
ZnO nanowires
photolithography
patterned growth
vapor phase transport
hydrothermal synthesis
分类号
TN304.2 [电子电信—物理电子学]
TQ050.4 [化学工程]
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职称材料
题名
二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑综合性实验设计
2
作者
王震东
王剑宇
王立
机构
南昌大学物理系
出处
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022年第3期47-50,61,共5页
基金
国家自然科学基金项目(61764011)
江西省自然科学基金(20212BAB201030)
江西省学位与研究生教育教学改革研究项目(JXYJG-2020-036)。
文摘
二维材料图形化是实现器件规模化制备的有效途径,也是目前材料、物理和化学等学科的研究热点。基于此,该文设计了二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑的多学科交叉综合性实验,利用金属材料的诱导作用,采用化学气相沉积法,在SiO;/Si衬底上构筑了有序的WSe_(2)晶体阵列。扫描电子显微镜观测发现WSe_(2)晶体围绕着金属点生长,并形成了有序二维晶体图形;透射电子显微镜和拉曼光谱进一步确证了WSe_(2)晶体的高质量合成。该综合性设计性实验能有效打破学科壁垒,拓展学生的实验技能范围,培养学生的创新思维和科研能力。
关键词
过渡金属二硫化物
图形化生长
WSe_(2)晶体
化学气相沉积
Keywords
transition metal disulfides
patterning growth
WSe_(2)crystal
chemical vapor deposition
分类号
O472 [理学—半导体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
ZnO纳米线阵列的图形化生长
艾磊
方国家
刘逆霜
王明军
赵兴中
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
1
在线阅读
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职称材料
2
二维WSe_(2)化合物晶体图形化构筑综合性实验设计
王震东
王剑宇
王立
《实验技术与管理》
CAS
北大核心
2022
0
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职称材料
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