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电子束区熔定向凝固Ni-Si共晶合金的固-液界面演化规律
被引量：
2
1
作者
崔春娟
杨猛
+3 位作者
杨程
薛添
田露露
问亚岗
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期85-89,共5页
采用电子束悬浮区熔定向凝固技术制备了Ni-Ni3Si共晶自生复合材料,在稳态晶体生长区,采用零功率法获取了不同凝固速率的固-液界面。研究表明,随凝固速率的增大,固-液界面的形态发生了明显的变化。在凝固速率较低时,固-液界面基本保持平...
采用电子束悬浮区熔定向凝固技术制备了Ni-Ni3Si共晶自生复合材料,在稳态晶体生长区,采用零功率法获取了不同凝固速率的固-液界面。研究表明,随凝固速率的增大,固-液界面的形态发生了明显的变化。在凝固速率较低时,固-液界面基本保持平界面,形成的是规则的层片状共晶组织。随凝固速率的增大,成分过冷增大,平界面失稳,凝固组织的规则性也降低。此外,根据M-S界面稳定性判据,计算了不同凝固速率不同干扰波长对固-液界面稳定性的影响,理论计算与实验结果基本吻合。
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关键词
定向凝
固
电子束悬浮区熔
凝
固
速率
固g液界面
成分过冷
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职称材料
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
被引量：
2
2
作者
万银
刘丁
+1 位作者
任俊超
刘聪聪
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期277-286,共10页
在直拉硅单晶生长过程中,晶体质量与固液界面V/G密切相关,实现V/G的在线监测,对于生长低缺陷、无位错的大尺寸硅单晶至关重要。然而,在实际工业生产中V/G的直接获取异常困难。针对该问题,提出一种基于栈式自编码网络的软测量模型SAE-ELM...
在直拉硅单晶生长过程中,晶体质量与固液界面V/G密切相关,实现V/G的在线监测,对于生长低缺陷、无位错的大尺寸硅单晶至关重要。然而,在实际工业生产中V/G的直接获取异常困难。针对该问题,提出一种基于栈式自编码网络的软测量模型SAE-ELM,以实现V/G的实时监测。所提模型采用SAE提取数据特征,并将其作为ELM网络输入以实现对V/G的回归预测。其中,为了消除噪声影响,对原始数据进行了小波分解与重构,同时考虑到易测变量与目标变量之间的相关性,构建了基于Pearson和Spearman混合相关系数,以选择与V/G相关性较强的辅助变量。根据某型号单晶炉晶体生长过程中的实验数据,将该模型的性能与其他数据驱动建模方法进行了比较,验证了所提模型的有效性。
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关键词
直拉硅单晶生长
栈式自编码网络
固
液
界面
V/
g
软测量建模
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职称材料
题名
电子束区熔定向凝固Ni-Si共晶合金的固-液界面演化规律
被引量：
2
1
作者
崔春娟
杨猛
杨程
薛添
田露露
问亚岗
机构
西安建筑科技大学冶金工程学院
陕西省冶金工程技术研究中心
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016年第3期85-89,共5页
基金
国家自然科学基金资助项目(51201121)
陕西省自然科学计划资助项目(2012JQ6004)
西安建筑科技大学科技计划资助项目(RC0907)
文摘
采用电子束悬浮区熔定向凝固技术制备了Ni-Ni3Si共晶自生复合材料,在稳态晶体生长区,采用零功率法获取了不同凝固速率的固-液界面。研究表明,随凝固速率的增大,固-液界面的形态发生了明显的变化。在凝固速率较低时,固-液界面基本保持平界面,形成的是规则的层片状共晶组织。随凝固速率的增大,成分过冷增大,平界面失稳,凝固组织的规则性也降低。此外,根据M-S界面稳定性判据,计算了不同凝固速率不同干扰波长对固-液界面稳定性的影响,理论计算与实验结果基本吻合。
关键词
定向凝
固
电子束悬浮区熔
凝
固
速率
固g液界面
成分过冷
Keywords
directional solidification
electron beam floatin
g
zone meltin
g
solidification rate
solid/liquid inter face
constitutional undercoolin
g
分类号
TG244.3 [金属学及工艺—铸造]
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职称材料
题名
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
被引量：
2
2
作者
万银
刘丁
任俊超
刘聪聪
机构
西安理工大学晶体生长设备及系统集成国家地方联合工程研究中心
陕西省复杂系统控制与智能信息处理重点实验室
出处
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020年第10期277-286,共10页
基金
国家自然科学基金重点项目(61533014)
西安市科技计划项目(201809173CY2JC15)
陕西省自然科学基础研究计划(2020JQ-645)资助
文摘
在直拉硅单晶生长过程中,晶体质量与固液界面V/G密切相关,实现V/G的在线监测,对于生长低缺陷、无位错的大尺寸硅单晶至关重要。然而,在实际工业生产中V/G的直接获取异常困难。针对该问题,提出一种基于栈式自编码网络的软测量模型SAE-ELM,以实现V/G的实时监测。所提模型采用SAE提取数据特征,并将其作为ELM网络输入以实现对V/G的回归预测。其中,为了消除噪声影响,对原始数据进行了小波分解与重构,同时考虑到易测变量与目标变量之间的相关性,构建了基于Pearson和Spearman混合相关系数,以选择与V/G相关性较强的辅助变量。根据某型号单晶炉晶体生长过程中的实验数据,将该模型的性能与其他数据驱动建模方法进行了比较,验证了所提模型的有效性。
关键词
直拉硅单晶生长
栈式自编码网络
固
液
界面
V/
g
软测量建模
Keywords
Cz silicon sin
g
le crystal
g
rowth
stacked Autoencodin
g
network
V/
g
at the solid-liquid interface
soft sensor modelin
g
分类号
TN304.12 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
电子束区熔定向凝固Ni-Si共晶合金的固-液界面演化规律
崔春娟
杨猛
杨程
薛添
田露露
问亚岗
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2016
2
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
基于栈式自编码网络的直拉硅单晶生长过程V/G软测量建模
万银
刘丁
任俊超
刘聪聪
《仪器仪表学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2020
2
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职称材料
已选择
0
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