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碟状氧化锌气相生长及机理的研究被引量：6: 1; 作者朱光平王马华 +1 位作者刘忠良刘亲壮《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期65-67,共3页; 采用气相沉积法制备了碟状的氧化锌,并基于自催化的气-液-固机理及气-固机理结合温度及过饱和度等生长因素对碟状氧化锌的生长机理进行了研究,结果表明,较高的生长温度及适中的过饱和度被归结为碟状氧化锌形成的原因。; 关键词氧化锌纳米碟气-液-固机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列被引量：3: 2; 作者彭跃华周海青 +6 位作者刘湘衡何熊武赵丁海阔周伟昌袁华军唐东升《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1249-1253,共5页; 运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在10... 展开更多; 关键词一维纳米结构阵列化学气相沉积法三硫化二锡气-固生长机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展被引量：5: 3; 作者刘显刚安建成 +3 位作者孙佳佳张骞秦艳濛刘新红《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期11077-11082,共6页; SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能,在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。其制备方法多种多样,其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注... 展开更多; 关键词 SIC纳米线化学气相沉积气-固机理气-液-固机理显微结构; 在线阅读下载PDF 职称材料

VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究: 4; 作者陈一峰刘兴钊邓新武《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第14期1-4,共4页; 碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜。结果表明,VLS机制能在外... 展开更多; 关键词 6H—SiC 同质外延气-液-固生长机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

氧化锌纳米带的低温无催化热蒸发制备及其表征被引量：12: 5; 作者黄运华张跃 +5 位作者贺建戴英顾有松纪箴展晓元周成《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第3期239-243,共5页; 通过纯锌粉蒸发,在600℃无催化条件下成功制备了高质量的不同形貌的ZnO纳米带.该制备方法中控制产物形貌和尺寸的关键是氧、氩及锌蒸气的流速及分压.扫描电镜及高分辩透射电镜观察显示,氧化锌纳米带具有规整光滑及齿状等不同形貌,且皆... 展开更多; 关键词氧化锌纳米带晶体生长固-气机理纳米结构光致发光; 在线阅读下载PDF 职称材料

在硅衬底上制备Si纳米线及其表征被引量：2: 6; 作者要秉文郝相雨籍凤秋《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期644-647,共4页; 采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05MFeCl2.6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明:随着... 展开更多; 关键词硅纳米线气-液-固机理硅衬底; 在线阅读下载PDF 职称材料

氮化硅纳米线制备过程中反应条件的影响被引量：5: 7; 作者王峰郝雅娟 +1 位作者靳国强郭向云《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1503-1507,共5页; 采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响.结果表明,碳化后铁含量为5%(w)的凝胶,在1300℃下反应10h,Si3N4纳米线... 展开更多; 关键词氮化硅纳米线溶胶-凝胶法 X射线衍射气-液-固机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响: 8; 作者杨燕余涛 +4 位作者金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期3178-3182,共5页; 采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在Si(100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶ZnO纳米线。分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD... 展开更多; 关键词 ZNO纳米线热蒸发光致发光气-固(VS)机理; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名碟状氧化锌气相生长及机理的研究被引量：6: 1; 作者朱光平王马华刘忠良刘亲壮; 机构淮北师范大学物理与电子信息学院淮阴工学院电子与电气工程学院; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第8期65-67,共3页; 基金安徽省教育厅自然科学基金重点项目(KJ2010A306) 国家自然科学基金(11004071) 安徽省自然科学基金(11040606M10); 文摘采用气相沉积法制备了碟状的氧化锌,并基于自催化的气-液-固机理及气-固机理结合温度及过饱和度等生长因素对碟状氧化锌的生长机理进行了研究,结果表明,较高的生长温度及适中的过饱和度被归结为碟状氧化锌形成的原因。; 关键词氧化锌纳米碟气-液-固机理; Keywords zinc oxide, nanodisk, vapor-liquid-solid mechanism; 分类号 O782 [理学—晶体学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列被引量：3: 2; 作者彭跃华周海青刘湘衡何熊武赵丁海阔周伟昌袁华军唐东升; 机构湖南师范大学低维量子结构与调控教育部重点实验室; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2011年第5期1249-1253,共5页; 基金教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-07-0278) 湖南省杰出青年基金(08JJ1001) +1 种基金湖南省自然科学基金(07JJ6009) 湖南师范大学青年优秀人才培养计划(070623)资助~~; 文摘运用化学气相沉积法(CVD),直接以Sn和S为原料分区加热蒸发,通过控制温度分布、气压、载气流量和金属铅纳米颗粒分布等宏观实验条件,成功制备大面积Sn2S3一维纳米结构阵列.扫描电子显微镜(SEM)图片显示:Sn2S3一维纳米结构的横向尺度在100nm左右,长约几个微米.X射线衍射(XRD)谱显示:所制备样品的晶体结构属于正交晶系,沿[002]方向生长.紫外-可见漫反射谱表明Sn2S3一维纳米结构是带隙为2.0eV的直接带隙半导体.讨论了温度分布和金属铅纳米颗粒对Sn2S3一维纳米结构生长的影响,并指出其生长可能遵循气-固(V-S)生长机理.; 关键词一维纳米结构阵列化学气相沉积法三硫化二锡气-固生长机理; Keywords One-dimensional nanostructure Array Chemical vapor deposition Sn2S3 Vapor-solid growth mechanism; 分类号 TB383.1 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展被引量：5: 3; 作者刘显刚安建成孙佳佳张骞秦艳濛刘新红; 机构郑州大学河南省高温功能材料重点实验室通达耐火技术股份有限公司; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期11077-11082,共6页; 基金国家自然科学基金(51872266 51672253)。; 文摘 SiC纳米线具有优良的物理、化学、电学和光学等性能,在光电器件、光催化降解、能量存储和结构陶瓷等方面得到广泛应用。其制备方法多种多样,其中化学气相沉积法(CVD)制备SiC纳米线因具有工艺简单、组成可控和重复性好等优点而备受关注。近年来,在化学气相沉积法制备SiC纳米线以及调控其显微结构方面取得了较多成果。采用Si粉、石墨粉和树脂粉等低成本原料以及流化床等先进设备,通过化学气相沉积法制备出线状、链珠状、竹节状、螺旋状以及核壳结构等不同尺度、形貌各异的SiC纳米线,并且有的SiC纳米线具有优良的发光性能、场发射性能和吸波性能等,为制备新型结构和形貌的SiC纳米线及开发新功能性的SiC纳米器件提供了重要参考。目前,未添加催化剂时,利用气相沉积法制备的SiC纳米线虽然纯度较高,但存在产物形貌、尺度和结晶方向等可控性差,制备温度较高和产率相对较低的问题。而添加催化剂、熔盐以及氧化物辅助可明显降低SiC纳米线的制备温度,提高反应速率以及产率,但易在SiC纳米线中引入杂质。将来应在提高SiC纳米线的纯度、去除杂质方面开展深入研究;还应注重低成本、规模化制备SiC纳米线的研究,采用相应措施调控SiC纳米线的显微结构,以拓宽SiC纳米线的应用领域。本文综述了目前国内外采用化学气相沉积制备SiC纳米线的方法,分析总结了无催化剂、催化剂、熔盐以及氧化物辅助等各种制备方法的优缺点,并对未来的研究进行展望,期望为SiC纳米线的低成本、规模化制备和应用提供理论依据。; 关键词 SIC纳米线化学气相沉积气-固机理气-液-固机理显微结构; Keywords SiC nanowires chemical vapor deposition vapor-solid mechanism vapor-liquid-solid mechanism microstructure; 分类号 TQ175 [化学工程—硅酸盐工业]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究: 4; 作者陈一峰刘兴钊邓新武; 机构电子科技大学电子薄膜与集成器件国家重点实验室; 出处《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第14期1-4,共4页; 基金教育部新世纪优秀人才支持计划(NCET-04-0895); 文摘碳化硅(SiC)是第三代宽禁带半导体材料,在高温、高频、高功率、光电子及抗辐射等方面具有巨大的应用潜力。以CH4、SiH4为反应气体,H2为载气,采用化学气相沉积法,利用气-液-固(VLS)生长机理,同质外延6H-SiC薄膜。结果表明,VLS机制能在外延薄膜的表面有效地封闭微管,但是由于n(C)/n(Si)较大,薄膜表面存在大量的台阶。为了进一步改善薄膜表面形貌,采用"两步法"工艺外延SiC薄膜,在封闭微管的同时提高了表面平整度,得到了质量较好的6H-SiC外延薄膜。; 关键词 6H—SiC 同质外延气-液-固生长机理; Keywords 6H-SiC, homoepitaxy, vapor-liquid-solid mechanism; 分类号 TN304.24 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氧化锌纳米带的低温无催化热蒸发制备及其表征被引量：12: 5; 作者黄运华张跃贺建戴英顾有松纪箴展晓元周成; 机构北京科技大学材料物理与化学系北京科技大学新金属材料国家重点实验室; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2005年第3期239-243,共5页; 基金国家杰出青年基金(50325209) 国家自然科学基金(50172006 +2 种基金 50232030) 教育部留学回国人员科研启动基金(01-498)~~; 文摘通过纯锌粉蒸发,在600℃无催化条件下成功制备了高质量的不同形貌的ZnO纳米带.该制备方法中控制产物形貌和尺寸的关键是氧、氩及锌蒸气的流速及分压.扫描电镜及高分辩透射电镜观察显示,氧化锌纳米带具有规整光滑及齿状等不同形貌,且皆为单晶,其生长由固-气机理控制.室温光致发光谱表明,齿状氧化锌纳米带在390nm附近形成紫外发射峰;在455～495nm时,形成绿光发射峰,该处由4个次级发射峰组成.; 关键词氧化锌纳米带晶体生长固-气机理纳米结构光致发光; Keywords ZnO nanobelts crystal growth vapor-solid mechanism nanostructures photoluminescence; 分类号 O614 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名在硅衬底上制备Si纳米线及其表征被引量：2: 6; 作者要秉文郝相雨籍凤秋; 机构石家庄铁道学院材料科学与工程分院石家庄铁道学院四方学院; 出处《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期644-647,共4页; 文摘采用以硅衬底为硅源的简单方法,在蘸有一层催化剂(0.05MFeCl2.6H2O)薄膜的硅基片上直接制备了大量的单晶Si纳米线。用扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)分别观察了硅纳米线的形貌及单根Si纳米线的显微结构。试验结果表明:随着温度的升高,纳米线的直径增大;催化剂是Si纳米线生成的重要因素,没有沉积催化剂的硅基片上不会有硅纳米线的生成,且该硅纳米线的生长机理为典型的气-液-固模式。; 关键词硅纳米线气-液-固机理硅衬底; Keywords silicon nanowires VLS mechanism silicon substrate; 分类号 O484 [理学—固体物理]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名氮化硅纳米线制备过程中反应条件的影响被引量：5: 7; 作者王峰郝雅娟靳国强郭向云; 机构中国科学院山西煤炭化学研究所山西大学化学化工学院中国科学院研究生院; 出处《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2007年第10期1503-1507,共5页; 基金国家自然科学基金(20471067) 煤转化国家重点实验室开放基金(06909)资助项目; 文摘采用X射线衍射和扫描电子显微镜技术,考察了溶胶-凝胶法制备氮化硅纳米线过程中反应条件(添加剂种类和含量、反应时间以及反应温度)对碳热还原产物组成和形貌的影响.结果表明,碳化后铁含量为5%(w)的凝胶,在1300℃下反应10h,Si3N4纳米线产率较高.添加剂的种类和含量不同,所得产物的组成和形貌也不相同.随着反应温度的升高或反应时间的延长,产物经历了一个从SiOx到Si2N2O再到Si3N4的转变过程.在有金属组分存在时,Si3N4纳米线由气-液-固过程形成.; 关键词氮化硅纳米线溶胶-凝胶法 X射线衍射气-液-固机理; Keywords Si3N4 nanowires Sol-gel synthesis X-ray diffraction Vapor-liquid-solid mechanism; 分类号 O613.72 [理学—无机化学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响: 8; 作者杨燕余涛金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅; 机构苏州大学物理科学与技术学院中国科学院上海微系统与信息技术研究所信息功能材料实验室盐城工学院基础教学部苏州大学分析测试中心; 出处《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2013年第21期3178-3182,共5页; 基金国家自然科学基金资助项目(11104197 11175126 +4 种基金 11204266) 江苏省高校优势学科建设工程资助项目(YX40000113); 文摘采用无金属催化剂的简单热蒸发法,在Si(100)衬底上不同生长温度下成功地制备了高密度和大长径比的单晶ZnO纳米线。分别利用X射线衍射仪(XRD)、扫描电子显微镜(SEM-EDS)、透射电子显微镜(TEM)及荧光光谱仪表征样品的结构和发光性质。XRD和TEM研究表明,所制备的样品为沿c轴择优取向生长的单晶ZnO纳米线,具有六方纤锌矿结构。SEM和TEM研究表明,生长温度对ZnO纳米线的形貌及长径比的影响较大。当生长温度为700℃时,制备得到长径比为300(长度约为15μm,直径约为50nm)的ZnO纳米线;低于600℃时,形成花状ZnO纳米锥或纳米棒;高于700℃时,形成小长径比的ZnO纳米棒。此外,室温光致发光(PL)谱上出现一个强而尖锐的紫外发射峰以及一个弱而宽泛的蓝光发射峰。采用的热蒸发法制备ZnO纳米线基于气-固(VS)生长机理且该生长方法可用于大规模、低成本制备高纯度的单晶ZnO纳米材料。; 关键词 ZNO纳米线热蒸发光致发光气-固(VS)机理; Keywords ZnO nanowires thermal evaporation PL vapor-solid （VS） mechanism; 分类号 TB303 [一般工业技术—材料科学与工程]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	碟状氧化锌气相生长及机理的研究	朱光平王马华刘忠良刘亲壮	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2011	6	在线阅读下载PDF 职称材料
2	化学气相沉积法制备Sn_2S_3一维纳米结构阵列	彭跃华周海青刘湘衡何熊武赵丁海阔周伟昌袁华军唐东升	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2011	3	在线阅读下载PDF 职称材料
3	化学气相沉积法制备SiC纳米线的研究进展	刘显刚安建成孙佳佳张骞秦艳濛刘新红	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2021	5	在线阅读下载PDF 职称材料
4	VLS同质外延6H-SiC薄膜生长的研究	陈一峰刘兴钊邓新武	《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心	2010	0	在线阅读下载PDF 职称材料
5	氧化锌纳米带的低温无催化热蒸发制备及其表征	黄运华张跃贺建戴英顾有松纪箴展晓元周成	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2005	12	在线阅读下载PDF 职称材料
6	在硅衬底上制备Si纳米线及其表征	要秉文郝相雨籍凤秋	《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心	2008	2	在线阅读下载PDF 职称材料
7	氮化硅纳米线制备过程中反应条件的影响	王峰郝雅娟靳国强郭向云	《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心	2007	5	在线阅读下载PDF 职称材料
8	生长温度对热蒸发法制备ZnO纳米线的结构与发光性能影响	杨燕余涛金成刚韩琴吴兆丰诸葛兰剑吴雪梅	《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心	2013	0	在线阅读下载PDF 职称材料