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垂直Bridgman法变速生长Hg_(1-x)Mn_xTe晶体 被引量:1
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作者 谷智 李国强 +1 位作者 张龙 介万奇 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第2期137-140,共4页
在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分... 在固液界面迁移理论和SODCM模型(二次反扩散补偿法)的基础上,本文提出采用垂直Bridgman法变速生长Hg1-xMnxTe晶体,并从理论和实验两方面对该方法的可行性进行了验证。与传统垂直Bridgman法的对比实验结果表明,该方法可以在提高轴向组分均匀性的前提下增大抽拉速度,进而提高晶体生长速度。 展开更多
关键词 垂直Bridgman法 Hg1-xMnxTe晶体 固液界面迁移 变速生长机理 组分均匀性
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