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固态置换反应的界面稳定性 被引量:3
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作者 甘国友 孙加林 +2 位作者 陈敬超 陈永翀 严继康 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第z1期167-171,共5页
通过建立界面扰动模型 ,推导了三元固态置换反应系界面稳定性的化学势梯度判据。结果表明 :如果扰动微区前沿速率控制元素的化学势梯度升高小于 2 0 .7% ,平面界面稳定长大 ,将形成层状结构 ;若大于 2 0 .7% ,平面界面不稳定长大 ,将形... 通过建立界面扰动模型 ,推导了三元固态置换反应系界面稳定性的化学势梯度判据。结果表明 :如果扰动微区前沿速率控制元素的化学势梯度升高小于 2 0 .7% ,平面界面稳定长大 ,将形成层状结构 ;若大于 2 0 .7% ,平面界面不稳定长大 ,将形成束集型结构。 展开更多
关键词 固态置换反应 原位复合材料 界面稳定性 束集密度
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K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性 被引量:6
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作者 蔡亲佳 陈国荣 +6 位作者 莫晓亮 范智勇 顾海华 姚彦 杨剑 华中一 徐华华 《真空科学与技术》 EI CSCD 北大核心 2001年第5期364-367,共4页
在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。
关键词 固态化学置换反应 K(TCNQ)薄膜 电双稳特性 电荷转移络合物 7 7 8 8-四氰基苯酯二甲烷
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