期刊导航
期刊开放获取
上海教育软件发展有限公..
期刊文献
+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息
检索
高级检索
期刊导航
共找到
2
篇文章
<
1
>
每页显示
20
50
100
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
显示方式：
文摘
详细
列表
相关度排序
被引量排序
时效性排序
铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究
被引量：
6
1
作者
查杉
元金石
+1 位作者
张弓
庄大明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期63-66,共4页
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(X...
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,在硫源温度处于280℃到360℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1μm。
展开更多
关键词
太阳能电池
CuInS2薄膜
固态源蒸发硫化
硫
源
温度
在线阅读
下载PDF
职称材料
CuInS_2:两步电沉积制备及性能
被引量：
7
2
作者
刘小雨
王广君
+3 位作者
田宝丽
余腊锋
张兴堂
杜祖亮
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2035-2038,共4页
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用...
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用紫外可见光吸收谱仪(UV-Vis)研究了不同硫化温度对CuInS2薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响。结果表明:不同的退火温度能够影响CuInS2薄膜的表面形貌以及带隙的大小,从而影响其光学吸收特性。
展开更多
关键词
电沉积
固态源蒸发硫化
退火温度
光学特性
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究
被引量：
6
1
作者
查杉
元金石
张弓
庄大明
机构
清华大学机械工程系
出处
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第1期63-66,共4页
基金
国家863基础研究基金(No.2004AA513023)
文摘
采用中频交流磁控溅射方法沉积Cu-In预制膜,并采用固态源蒸发硫化方法制备CuInS2薄膜。考察了硫源温度对CuInS2薄膜性能的影响。采用扫描电镜(SEM)和X射线能量色散谱仪(EDS)分别观察了薄膜的表面形貌和分析了薄膜的成分,采用X射线衍射(XRD)表征了薄膜的组织结构。结果表明,在硫源温度处于280℃到360℃范围之内时,制备的CuInS2薄膜都具有单一的黄铜矿型结构,颗粒均匀,晶粒大小约为1μm。
关键词
太阳能电池
CuInS2薄膜
固态源蒸发硫化
硫
源
温度
Keywords
Solar cell, CuInS2 thin film, Solid-state sulfurization, Sulfur source temperature
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
CuInS_2:两步电沉积制备及性能
被引量：
7
2
作者
刘小雨
王广君
田宝丽
余腊锋
张兴堂
杜祖亮
机构
河南大学特种功能材料教育部重点实验室
出处
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008年第12期2035-2038,共4页
基金
国家自然科学基金(No.90306010)
教育部新世纪优秀人才计划(No.NCET-04-0653)
国家重点基础研究计划(No.2007CB616911)资助项目。
文摘
采用恒电位沉积法制备铜铟合金预制膜,并在管式炉中通过固态源蒸发硫化预制膜得到CuInS2薄膜。通过扫描电镜(SEM)、能量色散谱仪(EDS)和X射线衍射仪(XRD)对CuInS2薄膜的表面形貌、截面厚度、成分组成和薄膜的组织结构进行了研究,并利用紫外可见光吸收谱仪(UV-Vis)研究了不同硫化温度对CuInS2薄膜的形貌及其光学吸收性质的影响。结果表明:不同的退火温度能够影响CuInS2薄膜的表面形貌以及带隙的大小,从而影响其光学吸收特性。
关键词
电沉积
固态源蒸发硫化
退火温度
光学特性
Keywords
electrodeposition
solid-state sulfurzation
annealed temperature
optical properties
分类号
O614.121 [理学—无机化学]
O614.37 [理学—无机化学]
在线阅读
下载PDF
职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
铜铟硫薄膜的固态硫化法制备及其性能研究
查杉
元金石
张弓
庄大明
《真空科学与技术学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007
6
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
CuInS_2:两步电沉积制备及性能
刘小雨
王广君
田宝丽
余腊锋
张兴堂
杜祖亮
《无机化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
2008
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
已选择
0
条
导出题录
引用分析
参考文献
引证文献
统计分析
检索结果
已选文献
上一页
1
下一页
到第
页
确定
用户登录
登录
IP登录
使用帮助
返回顶部
