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镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响
被引量：
5
1
作者
李伟
孙云
+2 位作者
刘伟
李凤岩
周琳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期131-134,共4页
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现...
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的C IGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%。
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关键词
镓梯度分布
铜铟镓
硒
太阳电池
固态源硒化法
量子效率
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职称材料
题名
镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响
被引量：
5
1
作者
李伟
孙云
刘伟
李凤岩
周琳
机构
南开大学光电子薄膜器件与技术研究所
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006年第1期131-134,共4页
基金
国家863计划项目(No.2004AA513020)
文摘
采用两步法制备CuGaxIn1-xSe2薄膜,Cu-In-Ga金属预制层采用铜镓合金靶及铟靶通过磁控溅射方法沉积而成,采用固态源硒化法在硒蒸气密闭环境中硒化,通过调整镓(Ga)比例及分布控制C IGS薄膜的带隙,采用镓元素梯度分布,使C IGS薄膜带隙呈现抛物线状分布,电池的量子效率得到明显提高,制备出的C IGS薄膜电池开路电压与转换效率都得到很大程度的改善,电池最高转换效率已达9.4%。
关键词
镓梯度分布
铜铟镓
硒
太阳电池
固态源硒化法
量子效率
Keywords
gallium grading
CIGS solar cell
selenization
quantum efficiency
分类号
TM615 [电气工程—电力系统及自动化]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
镓(Ga)的含量及分布对CIGS薄膜电池量子效率的影响
李伟
孙云
刘伟
李凤岩
周琳
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2006
5
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