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K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性
被引量：
6
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作者
蔡亲佳
陈国荣
+6 位作者
莫晓亮
范智勇
顾海华
姚彦
杨剑
华中一
徐华华
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第5期364-367,共4页
在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。
关键词
固态化学置换反应
K(TCNQ)薄膜
电双稳特性
电荷转移络合物
7
7
8
8-四氰基苯酯二甲烷
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职称材料
题名
K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性
被引量：
6
1
作者
蔡亲佳
陈国荣
莫晓亮
范智勇
顾海华
姚彦
杨剑
华中一
徐华华
机构
复旦大学材料科学系
复旦大学化学系
出处
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001年第5期364-367,共4页
文摘
在真空环境下 ,首次利用固态化学置换反应制备了K(TCNQ)薄膜 ,其分子结构与已报道过的K(TCNQ)单晶、多晶相同。但不同的是 ,在 30 0K以上 ,K(TCNQ)薄膜具有可逆的双稳特性。
关键词
固态化学置换反应
K(TCNQ)薄膜
电双稳特性
电荷转移络合物
7
7
8
8-四氰基苯酯二甲烷
Keywords
Chemical reactions
Electric properties
Single crystals
分类号
O484.42 [理学—固体物理]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
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1
K(TCNQ)薄膜的制备及其电双稳特性
蔡亲佳
陈国荣
莫晓亮
范智勇
顾海华
姚彦
杨剑
华中一
徐华华
《真空科学与技术》
EI
CSCD
北大核心
2001
6
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