159WX波段固态空间功率合成放大器 被引量：9

1

作者 骆新江 杨瑞霞 +2 位作者 官伯然 吴景峰 姜霞 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第9期1961-1964,共4页

根据径向波导的主模特性,提出了一种基于径向波导的空间功率合成系统和它的简化模型.利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,开发出了16路宽带空间功率合成电路和159W X波段放大器模块.结果发现,无源合成网络在整个X波段合... 根据径向波导的主模特性,提出了一种基于径向波导的空间功率合成系统和它的简化模型.利用HFSS(High Frequency Structure Simulator)软件,开发出了16路宽带空间功率合成电路和159W X波段放大器模块.结果发现,无源合成网络在整个X波段合成效率都优于88%,放大器模块在其工作频率内(11.9GHz^12.3GHz),合成效率优于83%. 展开更多

关键词 微波 固态功率放大器 空间功率合成 径向波导

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星载固态功率放大器:迈向极高频 被引量：5

2

作者 杨飞 赵恒飞 +6 位作者 刘江涛 刘瑞竹 刘媛萍 胡凤娇 孙树风 于洪喜 周颖 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2021年第1期25-32,共8页

聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石... 聚焦于星载固态功率放大器的高频化,设计并实现了Q频段20W、V频段10W以及W频段2W的固态功率放大器。基于氮化镓功率单片技术,提升了单元的功率和效率;基于魔T和径向线的高效率、低插损多路功率合成技术,实现了整机高功率输出;铜金刚石和热管的应用和工艺攻关,克服了多热源、高热流的工程瓶颈。Q频段和W频段固放首次在轨应用,以及V频段固放在地面发射机中的应用。考虑到严苛的空间考核条件以及器件为满足在轨长寿命的降额要求,产品均性能优良稳定。文中的Q频段和W频段固放是我国首次开发并在轨搭载验证的星载连续波固态功率放大器,为我国后续极高频段高通量卫星的载荷实现提供了有力技术支撑。 展开更多

关键词 Q频段 V频段 W频段 氮化镓 固态功率放大器 星载

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S波段超宽带固态功率放大器的研制 被引量：10

3

作者 蒋拥军 潘厚忠 《微波学报》 CSCD 北大核心 2005年第B04期101-103,共3页

本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计。通过制... 本文结合一款新研制的S波段超宽带固态功率放大器,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,根据砷化镓场效应晶体管的小信号S参数和I V曲线,用微波仿真软件对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计。通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性。最后,给出了测试数据,它在2GHz^4GHz的频带范围内,输入功率为40mW时,输出功率大于20W,带内功率起伏小于1. 5dB。 展开更多

关键词 超宽带 固态功率放大器 平衡放大器

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S波段大功率固态功率放大器的分析与设计 被引量：3

4

作者 胡标 李家胤 周翼鸿 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第S2期211-213,221,共4页

基于LDMOS FET的高增益、高输出功率、低功耗和良好的散热特性,分别设计了S波段45W和180W固态功率放大器。其中45W功率放大器作为驱动放大器,由前级输出功率2W的放大器驱动,输出经3个3dB电桥分成4个等幅同相的支路,每个支路分别驱动1个1... 基于LDMOS FET的高增益、高输出功率、低功耗和良好的散热特性,分别设计了S波段45W和180W固态功率放大器。其中45W功率放大器作为驱动放大器,由前级输出功率2W的放大器驱动,输出经3个3dB电桥分成4个等幅同相的支路,每个支路分别驱动1个180W功率放大器,最后由4路平面径向波导功率合成器直接进行4路合成获得500W输出功率。 展开更多

关键词 LDMOS FET 固态功率放大器 平面径向波导功率合成器

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一种基于双级支线功分/功合网络的毫米波固态功率放大器 被引量：2

5

作者 恽小华 孙琳琳 +1 位作者 楚然 申明磊 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第B12期2347-2349,共3页

本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内... 本文综合考虑影响合成效率的因素以及毫米波段的工艺精度，设计了一种改进型的双级支线功分／功合网络，改善了驻波比和幅相特性，保证了良好的合成效率．并在此基础上，研制了一种高性能的毫米波固态功率放大器，在38～40GH：的通带内，实现34．8dBm输出功率，55dB增益的良好电性能，具有结构简单、加工简易等特点. 展开更多

关键词 毫米波 功率分配/合成 微波单片集成电路 固态功率放大器

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X波段固态功率放大器稳定性分析设计 被引量：7

6

作者 梁晓芳 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2007年第12期98-100,共3页

X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器,其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素,通过对腔体效应的理论分析,文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法,成功地解决了X波段固态功... X波段固态功率放大器相对于较低频段的固态功率放大器,其稳定性问题更加突出。腔体效应是导致稳定性问题的重要因素,通过对腔体效应的理论分析,文中提出了工程应用中解决因腔体效应导致的稳定性问题的可行方法,成功地解决了X波段固态功率放大器设计过程中遇到的腔体效应问题。 展开更多

关键词 X波段固态功率放大器 稳定性 腔体效应

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大功率高效率星载固态功率放大器研究

7

作者 杨飞 殷康 +3 位作者 赵恒飞 赵莹 刘江涛 杨淑丽 《中国空间科学技术》 CSCD 北大核心 2023年第2期55-62,共8页

针对卫星系统对于微波大功率放大器的需求,研制了L频段200 W高效率固态功率放大器,对其设计方法和关键技术进行了详细论述。应用低温共烧多层陶瓷技术,实现了射频电路的高集成和小型化;基于第三代半导体器件,应用波形赋形及线性补偿技术... 针对卫星系统对于微波大功率放大器的需求,研制了L频段200 W高效率固态功率放大器,对其设计方法和关键技术进行了详细论述。应用低温共烧多层陶瓷技术,实现了射频电路的高集成和小型化;基于第三代半导体器件,应用波形赋形及线性补偿技术,提升了射频电路的功率和效率;采用移相全桥拓扑,研制了高效率、大功率二次电源。在1.45~1.55 GHz的频带范围内,固放整机输出功率大于200 W,效率高于60%,3阶交调优于18 dBc,同时具备30 dB增益可调,360°内步进5.6°的相位可调能力。试验结果表明,该固放为目前国内星载领域连续波功率和效率最高的单机。 展开更多

关键词 L频段 固态功率放大器 氮化镓 大功率 高效率 波形赋形 移相全桥

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星载固态功率放大器低气压放电和微放电研究 被引量：2

8

作者 张强 孟范忠 吕进来 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第5期388-391,共4页

论述了低气压放电与微放电的产生机理。以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物和污染物的控制、结构件设计和... 论述了低气压放电与微放电的产生机理。以要求在低气压和真空环境下能正常工作的某星载微波固态功率放大器为例,详细介绍了在设计和生产中对低气压放电和微放电所采取的预防措施,重点从放气孔设计、多余物和污染物的控制、结构件设计和表面处理等方面进行了详细论述。对C波段20 W固态功率放大器进行了低气压实验和真空实验,并进行了性能测试。结果表明,产品在实验过程中其幅频特性、频谱和电流与常压状态相同,无异常情况。该产品在卫星实际环境中工作正常,也证实了星载微波固态功率放大器在设计和生产中采取措施的有效性和必要性。 展开更多

关键词 星载固态功率放大器 低气压放电 微放电 二次电离 C波段

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全固态功率放大器在加速器领域的应用研究 被引量：3

9

作者 袁震宇 《原子能科学技术》 EI CAS CSCD 北大核心 2015年第B10期652-658,共7页

为研究全固态功率放大器如何满足加速器对高频微波源的要求,促进全固态放大技术在加速器微波高频领域的应用,采用了理论分析计算和实际测试验证相结合的方法,研究了全固态放大器如何通过大功率合成、高效散热和快速保护等技术实现超大... 为研究全固态功率放大器如何满足加速器对高频微波源的要求,促进全固态放大技术在加速器微波高频领域的应用,采用了理论分析计算和实际测试验证相结合的方法,研究了全固态放大器如何通过大功率合成、高效散热和快速保护等技术实现超大功率输出和抗全反射的适配能力,证明了全固态放大技术在加速器领域的适用性、优越性。另外,通过在脉冲和连续波两种工作模式下的功率放大器试验,获得了足够的数据和经验,可用来指导全固态功率放大器的设计和调试。 展开更多

关键词 固态 射频 功率放大器 全反射 功率合成

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微波高功率固态放大器技术综述 被引量：4

10

作者 韩江安 马凯学 《南京信息工程大学学报（自然科学版）》 CAS 2017年第1期8-14,共7页

微波集成电路在民用和军用电子中起到至关重要的作用.在微波集成电路领域,高功率的功率放大器为发射机提供足够的信号功率输送到自由空间中,是其不可缺少的关键部件.基于学术研究和商用产品线情况,综述了微波功率放大器芯片的发展情况.... 微波集成电路在民用和军用电子中起到至关重要的作用.在微波集成电路领域,高功率的功率放大器为发射机提供足够的信号功率输送到自由空间中,是其不可缺少的关键部件.基于学术研究和商用产品线情况,综述了微波功率放大器芯片的发展情况.首先讨论了各种微波毫米波功率放大器的制造技术,按照半导体器件可以归类为砷化镓、氮化镓、互补金属氧化物半导体和锗化硅等;接着讨论了微波芯片功放的设计技术用以满足高功率、宽带和高效率的指标要求;最后总结了各类微波固态功率放大器的工艺和设计技术,为芯片设计人员提供了全面的设计参考. 展开更多

关键词 微波 毫米波 功率放大器 集成电路 固态电路 功率合成

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C波段固态功率放大器的研制及其可靠性验证

11

作者 王忠 牛赫一 +2 位作者 银军 刘辰熙 李用兵 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第11期900-905,共6页

为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提... 为了满足卫星通信大功率、高线性的特殊需求,研制了一款C波段70 W高线性大功率固态功率放大器(SSPA)。通过改进芯片材料结构、器件的匹配状态及工作状态,建立了器件的非线性模型,在满足功率和效率的基础上,实现了功率器件线性指标的提高。在SSPA中设计了场效应晶体管(FET)预失真电路,改善了SSPA的线性化指标,在输入功率回退2~10 dB区间实现了5~7 dB的三阶互调改善,满足了系统的使用要求。预失真电路在长寿命航天器中应用较少,同时C波段70 W SSPA输出功率较大,存在输出功率降低的风险,为此进行了等效在轨工作15年加速寿命试验验证。在整个寿命试验周期内,输出功率大于70 W,三阶互调优于-20 dBc,验证了SSPA长期工作的可靠性。 展开更多

关键词 固态功率放大器(sspa) 场效应晶体管(FET)预失真 三阶互调 可靠性

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宽带固态功率放大器的设计及实现 被引量：12

12

作者 朱洪伟 黄宁 诸建平 《电子测量与仪器学报》 CSCD 2009年第S1期184-186,共3页

宽带固态功率功率放大器是固态发射机中的关键部件,广泛应用于软件无线电电台、有源相控阵雷达、综合化航空电子设备等领域中。以一款新研制的S波段宽带固态功率放大器为例,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,并用微波仿真软... 宽带固态功率功率放大器是固态发射机中的关键部件,广泛应用于软件无线电电台、有源相控阵雷达、综合化航空电子设备等领域中。以一款新研制的S波段宽带固态功率放大器为例,介绍了超宽带固态功率放大器的设计理论和方法,并用微波仿真软件ADS对功率管的输入、输出阻抗匹配电路及其偏置电路进行优化仿真设计。通过制作并测试此放大器,验证了该设计方法的可行性。最后,给出了测试数据它在2GHz～4 GHz的频带范围内,输入功率为25mW时,输出功率大于10W,带内功率起伏小于1.5dB。 展开更多

关键词 宽带 固态功率放大器 匹配网络 固态发射机

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高功率放大器的相位失真对系统性能的影响(英文) 被引量：10

13

作者 艾渤 张涛涛 +3 位作者 潘长勇 杨知行 王勇 赵怀勋 《系统仿真学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第2期424-428,共5页

目前关于高功率放大器的研究中,很少有文献详细分析关于相位失真对系统性能的影响。尤其是在对SSPA功放的分析中,许多文献认为其相位失真为0。基于典型的TWTA和SSPA模型,从星座图弥散,误码率(BER),功率谱密度(PSD),系统总性能损失(TD)... 目前关于高功率放大器的研究中,很少有文献详细分析关于相位失真对系统性能的影响。尤其是在对SSPA功放的分析中,许多文献认为其相位失真为0。基于典型的TWTA和SSPA模型,从星座图弥散,误码率(BER),功率谱密度(PSD),系统总性能损失(TD)等几方面进行仿真,深入分析了相位失真对OFDM无线通信系统性能的影响。根据仿真分析得出了重要结论。 展开更多

关键词 AM/PM失真 高功率放大器 行波管功率放大器 固态管功率放大器 正交频分复用

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SiC宽禁带功率放大器的设计与实践 被引量：10

14

作者 刘晗 郑新 +1 位作者 商坚钢 余振坤 《微波学报》 CSCD 北大核心 2008年第5期40-44,共5页

介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器。对SiC宽禁带功率放大器进行性... 介绍了SiC宽禁带功率器件的特性,与Si功率器件相比,该器件在输出功率、功率密度、工作频率、工作带宽、环境适应性、抗辐射能力等方面有卓越的性能。利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段100W功率放大器。对SiC宽禁带功率放大器进行性能测试和环境实验,分析了SiC宽禁带功率器件的性能特点和优势。SiC宽禁带功率器件有利于提高功率放大器的工作带宽,改善功率放大器的环境适应性。 展开更多

关键词 SiC功率器件 固态功率放大器 宽禁带

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X波段单级氮化镓固态放大器 被引量：2

15

作者 陈炽 郝跃 +3 位作者 冯辉 马晓华 张进城 胡仕刚 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第6期1039-1043,共5页

利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用... 利用自主研制的SiC衬底的栅宽为2.5 mm的AlGaN/GaN HEMT器件,设计完成了单级X波段氮化镓固态放大器模块.模块由AlGaN/GaN HEMT器件、偏置电路和微带匹配电路构成.采用金属腔体和测试夹具,保证在连续波下具有良好的接地和散热性能.利用双偏置电路馈电,并且采用独特的电容电阻网络和栅极串联电阻消除了低频和射频振荡.利用微带短截线完成了器件的输入输出匹配.在8 GHz频率及连续波情况下(直流偏置电压为Vds=27 V,Vgs=-4.0 V),放大器线性增益为5.6 dB,最大效率为30.5%,输出功率最大可达40.25 dBm(10.5 W),此时增益压缩为2 dB.在带宽为500 MHz内,输出功率变化为1 dB. 展开更多

关键词 ALGAN/GAN HEMT 固态放大器模块 饱和输出功率 增益压缩 功率附加效率

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1kW宽带线性SiC功率放大器设计 被引量：2

16

作者 余振坤 张毅 刘晗 《现代雷达》 CSCD 北大核心 2011年第7期68-71,共4页

简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有明显优势。SiC宽禁带功率器件在输出功率、功率密度、工作频率、环境适应性等方面具... 简述了SiC宽禁带半导体材料的特性,通过与传统Si半导体材料相比较,该材料在击穿电场强度、截止频率、热传导率、抗辐射能力、结温和热稳定性等方面具有明显优势。SiC宽禁带功率器件在输出功率、功率密度、工作频率、环境适应性等方面具有卓越的性能,在雷达发射机中有良好的应用前景。文中利用SiC宽禁带功率器件设计制作了L波段1 kW功率放大器,对SiC宽禁带功率放大器进行了性能测试,根据实验数据分析了SiC宽禁带功率器件对固态雷达发射机性能的改善。 展开更多

关键词 SiC功率器件 固态功率放大器 宽禁带 雷达发射机

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微波功率放大器发展概述 被引量：15

17

作者 李建兵 林鹏飞 +1 位作者 郝保良 孙建邦 《强激光与粒子束》 EI CAS CSCD 北大核心 2020年第7期66-73,共8页

微波功率放大器分为真空和固态两类,分别分析了两类器件的原理和特点,然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势。重点介绍了两种器件相结合的产物—微波功率模块,包括微波功率模块的产生过程和当前国内外的发展状况... 微波功率放大器分为真空和固态两类,分别分析了两类器件的原理和特点,然后介绍了它们的发展历史、当前的技术研究状况和未来发展趋势。重点介绍了两种器件相结合的产物—微波功率模块,包括微波功率模块的产生过程和当前国内外的发展状况,并对未来的发展趋势进行了分析和预测。 展开更多

关键词 微波功率放大器 真空器件 固态器件 微波功率模块

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一种新型C频段高效率移相GaN功率放大器 被引量：1

18

作者 梁勤金 董四华 +1 位作者 郑强林 余川 《电讯技术》 北大核心 2013年第5期623-627,共5页

研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化... 研制了一种性能优良的全固态C频段高效率移相氮化镓(GaN)功率放大器模块。介绍了该功放模块设计方案及工作原理,并给出了该功放模块技术参数实验测试结果。该模块输出功率30W,带宽10MHz,带有6位移相功能,具有C频段高频率、固态、小型化、高效率、高功率密度、高击穿电压特性,是一种目前国内外尚无类似集成设计的最新高性能氮化镓(GaN)功率放大器模块。因其功放模块输出末级采用了美国Cree公司第三代宽禁带GaN功放管优化设计,实现了固态C频段高效率功率输出。 展开更多

关键词 固态功率放大器 C频段GaN功率放大器 高效率 宽禁带GaN器件

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射频宽带大功率放大器模块 被引量：13

19

作者 赵夕彬 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2003年第2期65-67,共3页

利用推挽MOSFET晶体管,通过采用传输线变压器宽带匹配技术,研制出一种宽频带高功率放大器模块。文中给出了测试结果,模块的性能指标良好。

关键词 宽频带 MOSFET 功率放大器模块 传输线变压器 固态发射机

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GaAs FET脉冲功率放大器输出脉冲包络分析研究 被引量：3

20

作者 顾占彪 王淼 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2013年第6期474-478,共5页

基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使... 基于GaAs场效应晶体管(FET)微波脉冲固态功率放大器的输出脉冲包络,对输出脉冲波形的顶部降落与顶部过冲开展研究。从脉冲调制电路、GaAs FET的饱和深度以及沟道温度三个方面对脉冲顶降进行了讨论,指出了可以通过选用合适的储能电容、使GaAs FET工作在饱和状态、降低沟道温度来改善脉冲顶降。另外,从脉冲调制方式和寄生电感影响两方面分析了脉冲顶部过冲,给出了改善脉冲顶部过冲的措施,如减小电路中的寄生电感和选取合适的静态工作点。经实践验证,并通过脉冲顶降和顶部过冲在改善前后的数据对比,证明了上述措施是有效的。 展开更多

关键词 砷化镓 场效应晶体管(FET) 微波脉冲固态功率放大器 脉冲波形顶部降落 脉冲波形顶部过冲

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