TN213 2001010539HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进=Improvements on solid-state recrystallizationtechnique of HgCdTe[刊,中]/李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文(昆明物理所.云南,昆明(650223))∥激光与红外.-2000,30(1).-45-47对固...TN213 2001010539HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进=Improvements on solid-state recrystallizationtechnique of HgCdTe[刊,中]/李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文(昆明物理所.云南,昆明(650223))∥激光与红外.-2000,30(1).-45-47对固态再结晶的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器。图3表1参6(李瑞琴)TN215展开更多
文摘TN213 2001010539HgCdTe固态再结晶技术工艺的改进=Improvements on solid-state recrystallizationtechnique of HgCdTe[刊,中]/李全葆,王跃,韩庆林,李玉德,宋炳文(昆明物理所.云南,昆明(650223))∥激光与红外.-2000,30(1).-45-47对固态再结晶的合成工艺和淬火工艺进行改进,获得了较为满意的效果。用这种方法制备的HgCdTe材料单晶大组份均匀、结构完整、电学参数好,并已做出多种高性能红外探测器。图3表1参6(李瑞琴)TN215
