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带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
被引量：
4
1
作者
方高瞻
肖建伟
+4 位作者
马骁宇
谭满清
刘宗顺
刘素平
冯小明
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第12期9-11,共3页
报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的...
报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。
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关键词
非注入区
COD
GAAS/ALGAAS
激光
二级管列阵
腔面
固件激光器
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职称材料
题名
带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
被引量：
4
1
作者
方高瞻
肖建伟
马骁宇
谭满清
刘宗顺
刘素平
冯小明
机构
中国科学院半导体研究所国家光电子器件工程研究中心
出处
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000年第12期9-11,共3页
基金
国家杰出青年基金资助项目
文摘
报导了带有腔面非注入区的 80 8nmGaAs/AlGaAs激光二极管列阵的制作过程和测试结果。在器件前后腔面处引入 2 5μm非注入区 ,填充密度为 17%的 1cm激光二极管列阵最高连续输出功率达 87W ,热沉温度是 2 5℃ ,抗COD能力比没有非注入区的激光二极管列阵高 4 0 %。器件在连续 15W下恒功老化 ,工作寿命超过 50 0 0h。
关键词
非注入区
COD
GAAS/ALGAAS
激光
二级管列阵
腔面
固件激光器
Keywords
Laser diode arrays, Non injection regions, COD, GaAs/AlGaAs
分类号
TN248 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带有腔面非注入区的大功率808nm GaAs/AlGaAs激光二极管列阵
方高瞻
肖建伟
马骁宇
谭满清
刘宗顺
刘素平
冯小明
《高技术通讯》
EI
CAS
CSCD
2000
4
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