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多金属氧酸盐四硫富瓦烯衍生物荷移盐超薄导电膜(英文) 被引量:1
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作者 马慧媛 周百斌 +2 位作者 彭军 刘益春 彭尉先 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2004年第4期465-468,共4页
The conducting thin film of charge - transfer salt based upon polyoxometalate[VW 5 O 19 ] 3- and bis(ethyl - enedithio) - tetrathiafulvalene(BEDT - TTF or ET)was fabricated on the gold substrate by electrochemical app... The conducting thin film of charge - transfer salt based upon polyoxometalate[VW 5 O 19 ] 3- and bis(ethyl - enedithio) - tetrathiafulvalene(BEDT - TTF or ET)was fabricated on the gold substrate by electrochemical approach.The sub - micronic grains uniformly covering the gold plate was evidenced by scanning electron microscope(SEM).The film of charge - transfer salt exhibits semiconducting behavior with a room - temperature conductivity4.8 × 10 -3 S·cm -1 . 展开更多
关键词 多金属氧酸盐 四硫富瓦烯衍生物 荷移盐 超薄导电膜 电子扫描显微镜
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卤素、氰基及N原子修饰对四硫富瓦烯衍生物载流子传输性质影响的理论研究 被引量:4
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作者 李倩 耿允 +2 位作者 段雨爱 王光宇 苏忠民 《高等学校化学学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 2014年第7期1471-1479,共9页
基于密度泛函理论结合跳跃模型和能带理论研究了氟、氯、氰基和N原子的引入对四硫富瓦烯(TTF)衍生物载流子传输性质的影响.计算结果表明,嵌N修饰会降低分子重组能,特别是当N原子靠近TTF主体环时作用更明显.与引入卤素修饰相比,引入氰基... 基于密度泛函理论结合跳跃模型和能带理论研究了氟、氯、氰基和N原子的引入对四硫富瓦烯(TTF)衍生物载流子传输性质的影响.计算结果表明,嵌N修饰会降低分子重组能,特别是当N原子靠近TTF主体环时作用更明显.与引入卤素修饰相比,引入氰基修饰的分子具有更小的电子和空穴重组能及更低的前线分子轨道(FMO)能级.同时迁移率的计算结果显示,分子6具有1.15 cm2·V-1·s-1的高电子迁移率,考虑其较低的LUMO能级,推测其有望成为潜在的优异电子传输材料,而相似的电子和空穴迁移率使分子2有望成为潜在的双极性传输材料.同时还考察了S和N原子之间的弱相互作用,当S或N原子对分子HOMO(或LUMO)有贡献时,其相应的空穴(或电子)传输能力会有所提高. 展开更多
关键词 四硫富瓦烯衍生物 载流子传输 密度泛函理论 跳跃模型 能带理论 重组能
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有机场效应材料氟化噻吩并四硫富瓦烯衍生物的电荷传输性质 被引量:3
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作者 阚玉和 吴凯 +2 位作者 朱玉兰 侯丽梅 苏忠民 《物理化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2010年第5期1423-1428,共6页
噻吩并四硫富瓦烯(TTF)衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论B3LYP泛函在6-31G(d,p)基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物(c2FT、t2FT及4FT)的轨道能级、电离能(IP)、电子亲和势(EA)和重组能(... 噻吩并四硫富瓦烯(TTF)衍生物在有机场效应材料方面有较大的应用前景.应用密度泛函理论B3LYP泛函在6-31G(d,p)基组水平上计算了系列氟取代扩展噻吩并四硫富瓦烯衍生物(c2FT、t2FT及4FT)的轨道能级、电离能(IP)、电子亲和势(EA)和重组能(λ).在此基础上,进一步计算二聚体的迁移率,评估了载流子传输能力,并讨论取代位置和堆积方式对电荷传输性质的影响.计算结果表明,氟取代位置对二噻吩并四硫富瓦烯(DT-TTF)衍生物迁移率及电荷传输性质的影响较小,却有效降低了给电子能力.计算结果对设计和合成高效稳定的光电功能材料具有指导意义. 展开更多
关键词 密度泛函理论 有机场效应晶体管 杂环衍生物 重组能 迁移率
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