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带动态反应池的电感耦合等离子体质谱仪分析半导体级四甲基氢氧化铵
被引量：
7
1
作者
陈建敏
游维松
《岩矿测试》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期603-604,共2页
关键词
四
甲基
氢氧化
铵
电感耦合等离子体质谱仪
半导体
反应池
tmah
杂质含量
液晶显示器
有机溶剂
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职称材料
氨丙基三硅氧烷的合成
被引量：
4
2
作者
张国栋
韩富
张高勇
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
以氨丙基二乙氧基甲基硅烷(SG-Si902)、六甲基二硅氧烷(MM)为原料,通过四甲基氢氧化铵((CH3)4NOH)催化合成了氨丙基三硅氧烷。考察了催化剂用量、反应时间、反应物的摩尔比、以及水含量对产物收率及纯度的影响,从而确定出反应的优化条件...
以氨丙基二乙氧基甲基硅烷(SG-Si902)、六甲基二硅氧烷(MM)为原料,通过四甲基氢氧化铵((CH3)4NOH)催化合成了氨丙基三硅氧烷。考察了催化剂用量、反应时间、反应物的摩尔比、以及水含量对产物收率及纯度的影响,从而确定出反应的优化条件为:n(SG-Si902)∶n(MM)=1∶5,催化剂占总反应物的摩尔分数为0.45%,N2保护下搅拌反应2h,反应体系中尽可能减少水的含量,产物收率可达42.8%。并通过氢核磁共振(1HNMR)和气相色谱(GC)确证了产物的结构与纯度,其纯度可达99%。
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关键词
氨
丙基三硅氧烷
表面活性剂
合成
三硅氧烷
催化合成
氨
丙基
六
甲基
二硅氧烷
四
甲基
氢氧化
铵
催化剂用量
产物收率
反应时间
氢核磁共振
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职称材料
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
被引量：
4
3
作者
杨增涛
冷俊林
+4 位作者
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期513-516,519,共5页
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KO...
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。
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关键词
各向异性腐蚀
Si浅槽
KOH
四
甲基
氢氧化
氨
(
tmah
)
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职称材料
题名
带动态反应池的电感耦合等离子体质谱仪分析半导体级四甲基氢氧化铵
被引量：
7
1
作者
陈建敏
游维松
机构
珀金埃尔默仪器上海有限公司北京办事处
出处
《岩矿测试》
CAS
CSCD
北大核心
2009年第6期603-604,共2页
关键词
四
甲基
氢氧化
铵
电感耦合等离子体质谱仪
半导体
反应池
tmah
杂质含量
液晶显示器
有机溶剂
分类号
TN304.23 [电子电信—物理电子学]
TQ226.31 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
氨丙基三硅氧烷的合成
被引量：
4
2
作者
张国栋
韩富
张高勇
机构
中国日用化学工业研究院国家工程研究中心
出处
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第10期52-54,共3页
基金
国家"十五"科技攻关项目(No:2004BA308A25-14)
文摘
以氨丙基二乙氧基甲基硅烷(SG-Si902)、六甲基二硅氧烷(MM)为原料,通过四甲基氢氧化铵((CH3)4NOH)催化合成了氨丙基三硅氧烷。考察了催化剂用量、反应时间、反应物的摩尔比、以及水含量对产物收率及纯度的影响,从而确定出反应的优化条件为:n(SG-Si902)∶n(MM)=1∶5,催化剂占总反应物的摩尔分数为0.45%,N2保护下搅拌反应2h,反应体系中尽可能减少水的含量,产物收率可达42.8%。并通过氢核磁共振(1HNMR)和气相色谱(GC)确证了产物的结构与纯度,其纯度可达99%。
关键词
氨
丙基三硅氧烷
表面活性剂
合成
三硅氧烷
催化合成
氨
丙基
六
甲基
二硅氧烷
四
甲基
氢氧化
铵
催化剂用量
产物收率
反应时间
氢核磁共振
Keywords
3-aminopropyl trisiloxane, surfactant, synthesis
分类号
TQ264.16 [化学工程—有机化工]
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职称材料
题名
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
被引量：
4
3
作者
杨增涛
冷俊林
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
机构
中国电子科技集团公司第
模拟集成电路国家重点实验室
出处
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011年第4期513-516,519,共5页
文摘
通过实验分析,对比了异丙醇(IPA)和超声波对Si(100)面在KOH溶液和四甲基氢氧化氨(TMAH)溶液中的浅槽腐蚀速率及其表面形态的影响。实验结果表明,IPA能降低TMAH溶液的腐蚀速率,但IPA在KOH溶液中腐蚀速率降低不明显;IPA加入到较高浓度的KOH溶液中,会在Si表面产生较大小丘,恶化了Si腐蚀表面的质量,但在TMAH溶液中加入一定量的IPA会改善腐蚀表面的质量;超声波能加快腐蚀速率并能改善Si腐蚀表面质量,但对于加入IPA的较高浓度KOH溶液,超声波未能消除Si腐蚀表面的小丘,另外,超声波还能减弱腐蚀过程中微尺寸沟槽的尺寸效应;在腐蚀条件和配比一定情况下,TMAH溶液的腐蚀质量比KOH溶液好。
关键词
各向异性腐蚀
Si浅槽
KOH
四
甲基
氢氧化
氨
(
tmah
)
Keywords
anisotropic etching
silicon shallow trend
KOH
tmah
分类号
TM28 [一般工业技术—材料科学与工程]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
带动态反应池的电感耦合等离子体质谱仪分析半导体级四甲基氢氧化铵
陈建敏
游维松
《岩矿测试》
CAS
CSCD
北大核心
2009
7
在线阅读
下载PDF
职称材料
2
氨丙基三硅氧烷的合成
张国栋
韩富
张高勇
《化工新型材料》
CAS
CSCD
北大核心
2005
4
在线阅读
下载PDF
职称材料
3
硅各向异性浅槽腐蚀实验研究
杨增涛
冷俊林
梅勇
黄磊
杨正兵
李燕
刘晓莉
《压电与声光》
CSCD
北大核心
2011
4
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职称材料
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