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无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
1
作者
赵彦晓
张万荣
+4 位作者
谢红云
金冬月
丁春宝
郭振杰
高栋
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期690-695,共6页
设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出...
设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21】16 dB,NF【3.5 dB,S11【-10 dB,S22【-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
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关键词
SIGE
HBT
有源电感峰化技术
噪声抵消支路
宽带低
噪声
放大器
射频前端
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职称材料
题名
无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
1
作者
赵彦晓
张万荣
谢红云
金冬月
丁春宝
郭振杰
高栋
机构
北京工业大学电子信息与控制工程学院
出处
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014年第5期690-695,共6页
基金
国家自然科学基金资助项目(61006044)
北京市自然科学基金资助项目(4122014)
文摘
设计了一款无螺旋电感的1~6 GHz频段的小面积高性能SiGe HBT宽带低噪声放大器(wideband low noise amplifier,WLNA).采用具有优良阻抗匹配特性的共基放大器作为输入级,并采用噪声抵消技术抵消其噪声达到输入噪声匹配;共射放大器作为输出级,有源电感替代螺旋电感实现电感峰化技术来扩展频带宽度、提高增益的平坦度.基于Jazz 0.35μm SiGe BiCMOS工艺,完成了版图设计,WLNA的版图尺寸仅为105μm×115μm,与使用螺旋电感的WLNA相比,芯片面积大大减小.利用安捷伦公司的射频/微波集成电路仿真工具ADS进行了验证.结果表明:该WLNA在1~6 GHz频段内,S21】16 dB,NF【3.5 dB,S11【-10 dB,S22【-10 dB.对于设计应用于射频前端的小面积、低成本、高性能的单片WLNA具有一定的指导意义.
关键词
SIGE
HBT
有源电感峰化技术
噪声抵消支路
宽带低
噪声
放大器
射频前端
Keywords
SiGe HBT
active inductive peaking technology
noise cancellation branch
wideband low noise amplifier(WLNA)
radio frequency(RF) front-end
分类号
TN722.3 [电子电信—电路与系统]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
无螺旋电感的小面积SiGe HBT宽带低噪声放大器
赵彦晓
张万荣
谢红云
金冬月
丁春宝
郭振杰
高栋
《北京工业大学学报》
CAS
CSCD
北大核心
2014
0
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