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MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性: 1; 作者何荣华《集成电路应用》 2021年第2期14-15,共2页; 阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义。; 关键词 Power MOSFET 多脉冲UIS 器件退化集成电路汽车电子; 在线阅读下载PDF 职称材料

突出块形连接应力对按比例缩小MOS—FET中器件退化的影响: 2; 《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期47-47,共1页; 关键词 MOSFET 器件退化突出块形连接应力对按比例缩小; 在线阅读下载PDF 职称材料

LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测: 3; 作者陈光前刘伟景 +1 位作者刘先婷李清华《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期351-356,共6页; 集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lig... 展开更多; 关键词可靠性热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化寿命预测; 在线阅读下载PDF 职称材料

基于长短期记忆网络的Vienna整流器故障预测被引量：1: 4; 作者王福忠乔珊珊田广强《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第3期111-117,共7页; 为了掌握Vienna整流器的健康状态,提出基于长短期记忆(LSTM)网络的Vienna整流器故障预测模型。通过对电容和功率MOSFET的退化与故障特征分析,建立Vienna整流器整体电路性能和关键元器件退化之间的关系,选择输出电压变化值ω为整流器的... 展开更多; 关键词 VIENNA整流器长短期记忆网络元器件退化故障预测; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性: 1; 作者何荣华; 机构尼西半导体科技(上海)有限公司; 出处《集成电路应用》 2021年第2期14-15,共2页; 文摘阐述Power MOSFET在多脉冲雪崩应力下的器件电参数退化和退化机制,提出了在半导体工艺制程中改善/延缓MUIS器件退化的方法,对国内集成电路尤其是汽车电子的应用具有参考意义。; 关键词 Power MOSFET 多脉冲UIS 器件退化集成电路汽车电子; Keywords power MOSFET multi pulse UIs device degradation integrated circuit automotive electronics; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名突出块形连接应力对按比例缩小MOS—FET中器件退化的影响: 2; 出处《电子产品可靠性与环境试验》 2001年第6期47-47,共1页; 关键词 MOSFET 器件退化突出块形连接应力对按比例缩小; 分类号 TN386 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测: 3; 作者陈光前刘伟景刘先婷李清华; 机构上海电力大学电子与信息工程学院深圳锐越微技术有限公司; 出处《固体电子学研究与进展》 CAS 2024年第4期351-356,共6页; 基金国家自然科学基金资助项目(52177185,62174055)。; 文摘集成电路器件密集化导致电场梯度增大和电流密度集中,加剧了热载流子效应,电热性能退化。本文聚焦热载流子注入(Hot carrier injection, HCI)效应对器件可靠性的影响问题,通过研究N型轻掺杂漏极金属氧化物半导体场效应晶体管(N-type lightly doped drain metal-oxide-semiconductor field effect transistor, LDD NMOSFET)的寿命试验,深入分析了中栅应力区HCI对器件关键电学参数的影响,并与低栅应力区的退化模式进行了对比。结果表明,线性漏极电流的退化率高于饱和漏电流,但退化幂律小于饱和漏电流;在相同应力下不同电学参数的退化率不同,其中最大跨导的退化率最高。基于测试数据构建了LDD NMOSFET电学参数随应力时间变化的关系,提取模型参数,确定了寿命预测模型,并外推出了不同应力电压下的器件寿命。; 关键词可靠性热载流子注入(HCI) 轻掺杂漏极(LDD) 器件退化寿命预测; Keywords reliability hot carrier injection(HCI) lightly doped drain(LDD) device degradation lifetime prediction; 分类号 TN306 [电子电信—物理电子学]; 在线阅读下载PDF 职称材料

题名基于长短期记忆网络的Vienna整流器故障预测被引量：1: 4; 作者王福忠乔珊珊田广强; 机构河南理工大学电气工程与自动化学院黄河交通学院智能工程学院; 出处《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心 2023年第3期111-117,共7页; 基金国家重点研发计划专项项目(2016YFC0600906) 河南省科技攻关项目(212102210146)。; 文摘为了掌握Vienna整流器的健康状态,提出基于长短期记忆(LSTM)网络的Vienna整流器故障预测模型。通过对电容和功率MOSFET的退化与故障特征分析,建立Vienna整流器整体电路性能和关键元器件退化之间的关系,选择输出电压变化值ω为整流器的故障特征参数。在此基础上,构建基于LSTM的Vienna整流器故障预测模型,采用Adam优化算法训练预测模型,实现对Vienna整流器故障特征参数的预测。仿真结果表明,该模型预测结果的均方根误差为0.1233,平均绝对百分误差为0.1018,该模型的预测精度较高,能够较好地实现Vienna整流器的故障预测。; 关键词 VIENNA整流器长短期记忆网络元器件退化故障预测; Keywords Vienna rectifier long and short-term memory network component degradation fault prediction; 分类号 TM461 [电气工程—电器]; 在线阅读下载PDF 职称材料

	题名	作者	出处	发文年	被引量	操作
1	MUIS多脉冲雪崩应力下的器件退化特性	何荣华	《集成电路应用》	2021	0	在线阅读下载PDF 职称材料
2	突出块形连接应力对按比例缩小MOS—FET中器件退化的影响		《电子产品可靠性与环境试验》	2001	0	在线阅读下载PDF 职称材料
3	LDD MOSFET热载流子退化分析及其寿命预测	陈光前刘伟景刘先婷李清华	《固体电子学研究与进展》 CAS	2024	0	在线阅读下载PDF 职称材料
4	基于长短期记忆网络的Vienna整流器故障预测	王福忠乔珊珊田广强	《河南理工大学学报（自然科学版）》 CAS 北大核心	2023	1	在线阅读下载PDF 职称材料