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GaAs基近红外锥形半导体激光器的研究进展
1
作者
吕梦瑶
王浩淼
+5 位作者
贺钰雯
周智雨
宋梁
杜维川
武德勇
唐淳
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期799-808,共10页
基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展。在大功率研究方面,因为可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性,主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器成为了广受关注的研究热点。归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形...
基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展。在大功率研究方面,因为可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性,主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器成为了广受关注的研究热点。归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形激光器的代表性研究成果,讨论了激光器器件结构设计(包括脊形区、锥形区以及布喇格光栅等的设计)和外延层优化在理论研究及实验方面取得的进展;围绕高功率、高光束质量、高亮度、窄线宽应用需求,总结整理了锥形激光器的研究进展与性能特征;对本团队关于锥形激光器的研究工作进行了简要介绍;并展望了锥形激光器未来的发展方向。
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关键词
激光器
锥形半导体激光器
器件结构设计
外延优化
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职称材料
题名
GaAs基近红外锥形半导体激光器的研究进展
1
作者
吕梦瑶
王浩淼
贺钰雯
周智雨
宋梁
杜维川
武德勇
唐淳
机构
中国工程物理研究院高能激光重点实验室
中国工程物理研究院应用电子学研究所
中国工程物理研究院研究生院
出处
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024年第6期799-808,共10页
文摘
基于GaAs衬底的近红外波段半导体激光器已经取得了显著的发展。在大功率研究方面,因为可以同时实现高功率、高光束质量的优良特性,主振荡功率放大器结构的锥形半导体激光器成为了广受关注的研究热点。归纳了近年来国内外关于GaAs基锥形激光器的代表性研究成果,讨论了激光器器件结构设计(包括脊形区、锥形区以及布喇格光栅等的设计)和外延层优化在理论研究及实验方面取得的进展;围绕高功率、高光束质量、高亮度、窄线宽应用需求,总结整理了锥形激光器的研究进展与性能特征;对本团队关于锥形激光器的研究工作进行了简要介绍;并展望了锥形激光器未来的发展方向。
关键词
激光器
锥形半导体激光器
器件结构设计
外延优化
Keywords
lasers
tapered diode laser
structure design
optimization of epitaxial layer
分类号
TN248.4 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
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1
GaAs基近红外锥形半导体激光器的研究进展
吕梦瑶
王浩淼
贺钰雯
周智雨
宋梁
杜维川
武德勇
唐淳
《激光技术》
CAS
CSCD
北大核心
2024
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