无结场效应管——新兴的后CMOS器件研究进展(续)

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作者 肖德元 张汝京 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2016年第3期171-182,共12页

<正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属... <正>EEACC:2500目前,在衬底上形成石墨烯的主要方法有:(1)石墨晶体表面剥离/转移方法。采用胶带从石墨晶体表面剥离一层石墨烯并转移到衬底上[107]。(2)化学气相沉积/转移方法。大约在800~1 000°C温度下,将石墨烯生长在金属催化剂膜上,然后剥离转移到别的衬底上[123]。(3)SiC表面分解方法。在1 200~1 展开更多

关键词 石墨烯 场效应晶体管 晶体表面 场效应管 CMOS器件 化学气相沉积 器件研究 分解方法 栅介质 黑磷

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南京电子器件研究所微波毫米波封装研究中心

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《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第4期F0003-F0003,共1页

该中心从事专业微波、毫米波器件封装有40多年历史，研制开发出多种封装类型、数十个系列产品。包括从厘米波段到毫米波段二端器件：S、C、X、K波段GaAs功率FET；P，L、S、C波段硅功率晶体管；GaAs微波毫米波单片集成电路和多芯片模块；

关键词 南京电子器件研究所 微波毫米波 器件封装 研究中心 单片集成电路 毫米波段 GaAs 功率FET 功率晶体管 多芯片模块

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有机薄膜EL器件及其发光特性的研究

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作者 李文连 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第3期6-9,共4页

六十年代,W.Helfrich、J.Dresher及D.F.Williams等人曾研究过高量子效率的有机化合物EL现象及其面发光器件。由于当时采用了单晶有机物,致使驱动电压较高。此外,有关化合物半导体发可见光的二极管的(LED)研究,经近卅年的发展,巳经比较成... 六十年代,W.Helfrich、J.Dresher及D.F.Williams等人曾研究过高量子效率的有机化合物EL现象及其面发光器件。由于当时采用了单晶有机物,致使驱动电压较高。此外,有关化合物半导体发可见光的二极管的(LED)研究,经近卅年的发展,巳经比较成熟,除发蓝光的LED外,一般在直流电压驱动下有较高的发光效率。后来,又出现了多环化合物、LB薄膜EL,虽可获得从红到蓝的EL器件,但存在驱动电压高、亮度低的缺点,表1汇集了有关的研究结果。 展开更多

关键词 有机薄膜 EL 发光器件 空穴注入 器件研究 高量子效率 薄膜电致发光 发光效率 化合物半导体 光特性

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千瓦级LDMOS大功率器件研制 被引量：3

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作者 王佃利 李相光 +5 位作者 严德圣 应贤炜 丁晓明 梅海 刘洪军 蒋幼泉 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第1期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率... 南京电子器件研究所采用背面源射频LDMOS器件结构，通过优化芯片纵横向结构、漂移区结构、漂移区注入、退火条件及场板结构等，突破了大功率器件散热设计、高击穿电压设计与工艺实现等技术难题，成功研制出可输出千瓦功率的LDMOS大功率器件。 展开更多

关键词 大功率器件 LDMOS 千瓦级 南京电子器件研究所 器件结构 散热设计 横向结构 场板结构

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超薄层材料——八五研究工作建议

5

作者 金亿鑫 《液晶与显示》 CAS CSCD 1990年第S1期63-66,共4页

超薄层材料(诸如半导体超晶格、量子阱材料和有机分子的L-B膜等)在八十年代已被国际公认是当代最主要的一类材料,并进行了大力的研究。进入九十年代后,人们除了对超薄层材料的某些基础性问题继续进行研究外,从总体上看,把材料研究与器... 超薄层材料(诸如半导体超晶格、量子阱材料和有机分子的L-B膜等)在八十年代已被国际公认是当代最主要的一类材料,并进行了大力的研究。进入九十年代后,人们除了对超薄层材料的某些基础性问题继续进行研究外,从总体上看,把材料研究与器件研究紧密结合,研究开发以超薄层材料为基础的有应用前景的光电子器件将会成为主流。本文试图对“八五”超薄层材料的研究工作提出具体的建议,在此之前有必要对“ 展开更多

关键词 超薄层 材料制备技术 光电子器件 超晶格 研究工作 量子阱结构 八十年代 基础性问题 器件研究 九十年代

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宽禁带Ⅱ-VI族材料生长及其对器件的影响

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作者 白超 《液晶与显示》 CAS CSCD 1989年第Z1期25-29,共5页

在过去的几年中,ZnSe材料的制备和特性不断得以改进。从采用MOCVD和MBE方法生长的ZnSe的现时状况可以看出,有效地控制材料质量和掺杂,便有希望获得p-n结。同时讨论了超晶格和多量子阱结构对注入器件,电子束泵浦激光器,Ⅲ-Ⅴ元件的Ⅱ-Ⅵ... 在过去的几年中,ZnSe材料的制备和特性不断得以改进。从采用MOCVD和MBE方法生长的ZnSe的现时状况可以看出,有效地控制材料质量和掺杂,便有希望获得p-n结。同时讨论了超晶格和多量子阱结构对注入器件,电子束泵浦激光器,Ⅲ-Ⅴ元件的Ⅱ-Ⅵ元件钝化和非线性光学器件的影响。 展开更多

关键词 器件研究 ZNSE VI 宽禁带 泵浦激光器 MOCVD 材料工程 异质结构 非线性光学器件 半导体材料

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精确测量非易失性存储器件NVM的超低电流波形

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作者 谢凯翔 《中国集成电路》 2017年第11期73-77,共5页

1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器（NVM）的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过... 1概述 近来年,鉴于对智能手机等移动终端技术的需求不断增长,导致非易失性存储器（NVM）的需求也非常旺盛,而物联网则继续扩大着NVM的应用领域。闪存是当前存储设备的主流,同时业界正在对ReRAM、PRAM等新一代NVM展开广泛研究,以期通过改善速度、性能、功耗、可靠性和成本等因素,扩大低功率存储器、存储器级内存的应用,以及替代传统的易失性存储器。 展开更多

关键词 非易失性存储 易失性存储器 NVM 传感器 物联网 应用领域 移动终端 小电流 器件研究 电流测量

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《光电子技术》 欢迎订阅 欢迎投稿

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《光电子技术》 CAS 2024年第1期F0004-F0004,共1页

《光电子技术》由南京电子器件研究所主办,系学术性和技术性刊物,大16开,全年4期。《光电子技术》主要刊登国内外光电子领域的学术论文、研究报告和综述文章,及时报道该领域的新工艺、新材料、新产品以及有关器件、整机的应用。被国家... 《光电子技术》由南京电子器件研究所主办,系学术性和技术性刊物,大16开,全年4期。《光电子技术》主要刊登国内外光电子领域的学术论文、研究报告和综述文章,及时报道该领域的新工艺、新材料、新产品以及有关器件、整机的应用。被国家新闻出版署认定为第一批学术期刊。 展开更多

关键词 技术性刊物 光电子技术 国家新闻出版署 光电子领域 学术期刊 学术论文 投稿 南京电子器件研究所

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《光电子技术》欢迎订阅 欢迎投稿

9

《光电子技术》 2024年第4期F0004-F0004,共1页

《光电子技术》由南京电子器件研究所主办,系学术性和技术性刊物,大16开,全年4期。《光电子技术》主要刊登国内外光电子领域的学术论文、研究报告和综述文章,及时报道该领域的新工艺、新材料、新产品以及有关器件、整机的应用被国家新... 《光电子技术》由南京电子器件研究所主办,系学术性和技术性刊物,大16开,全年4期。《光电子技术》主要刊登国内外光电子领域的学术论文、研究报告和综述文章,及时报道该领域的新工艺、新材料、新产品以及有关器件、整机的应用被国家新闻出版署认定为第一批学术期刊。 展开更多

关键词 技术性刊物 光电子技术 国家新闻出版署 光电子领域 学术期刊 学术论文 投稿 南京电子器件研究所

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S波段280W SiC内匹配脉冲功率管 被引量：2

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作者 柏松 吴鹏 +6 位作者 陈刚 冯忠 李哲洋 林川 蒋幼泉 陈辰 邵凯 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2008年第2期F0003-F0003,共1页

关键词 S波段 功率管 SIC 内匹配 脉冲 微波功率器件 南京电子器件研究所 MESFET

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常关型亚微米沟道1200V SiC MOSFET 被引量：2

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作者 黄润华 陶永洪 +6 位作者 柏松 陈刚 汪玲 刘奥 卫能 李赟 赵志飞 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第5期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所基于自主12μm外延和76．2mm（3英寸）SiC圆片加工工艺，通过介质刻蚀沟道自对准技术，在国内率先实现了导通电流大于5A的SiCDMOSFET，阻断电压大于1200V，阈值电压5V。

关键词 MOSFET 沟道 亚微米 SIC 南京电子器件研究所 自对准技术 加工工艺 导通电流

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220 GHz InP DHBT单片集成功率放大器 被引量：2

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作者 孙岩 程伟 +4 位作者 陆海燕 王元 王宇轩 孔月婵 陈堂胜 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试... 南京电子器件研究所开发了0．5μm InP DHBT工艺，器件截止频率达到500 GHz以上，击穿电压大干4V。基于该工艺，研制出220 GHz单片集成功率放大器，饱和输出功率20mW，功率增益大1：10dB。图1和图2分别展示了220 GHz功放的实物图和测试结果。 展开更多

关键词 集成功率放大器 GHZ INP DHBT 南京电子器件研究所 单片 HBT工艺 饱和输出功率

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相对介电常数大于100的BST(钛酸锶钡)薄膜 被引量：1

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作者 张龙 朱健 +1 位作者 林立强 卓敏 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第1期64-64,共1页

关键词 南京电子器件研究所 相对介电常数 BST薄膜 磁控溅射

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基于InP HBT工艺的100 GHz静态及动态分频器 被引量：1

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作者 程伟 张有涛 +3 位作者 王元 陆海燕 常龙 谢俊领 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第4期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz... 南京电子器件研究所基于76．2mm（3英寸）InP HBT圆片工艺，研制出最高工作频率达100GHz的静态分频器以及动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～100GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～100GHz范围内实现二分频。 展开更多

关键词 动态分频器 静态分频器 HBT工艺 INP 南京电子器件研究所 工作频率 二分频 测试

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MEMS微波谐振器 被引量：1

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作者 朱健 郁元卫 +1 位作者 张勇 贾世星 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2005年第3期390-390,共1页

关键词 微波谐振器 MEMS 南京电子器件研究所 单片集成 微机械工艺 硅衬底 波导

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多通道小型化三维封装T/R组件 被引量：1

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作者 沈亚 周骏 +4 位作者 沈亮 叶育红 李朝阳 孙春妹 张维 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2011年第4期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量... 南京电子器件研究所最近研制出一款用于有源相控阵雷达用的多通道T／R组件，该组件采用三维封装技术，利用LTCC多层基板可实现微波电路的三维信号传输的特点，采用LTCC基板封装一体化设计方法，提高组件的集成度，减小组件的体积和重量，简化封装设计的难度，具有体积小、集成度高、性能优异等特点。 展开更多

关键词 T/R组件 三维封装 多通道 小型化 南京电子器件研究所 LTCC基板 有源相控阵雷达 封装技术

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基于InP HBT工艺的超高速静态及动态分频器 被引量：1

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作者 程伟 张有涛 +3 位作者 王元 陆海燕 赵岩 杨乃彬 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2014年第6期F0003-F0003,共1页

磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态... 磷化铟异质结双极型晶体管（InP HBT）具有超高速、高器件一致性、高击穿等优点，在超高速数模混合电路应用方面具有独特优势。南京电子器件研究所基于76．2mm InP HBT圆片工艺，研制出60GHz静态分频器以及92GHz动态分频器。图1为静态分频器测试结果，此电路可在2～60GHz范围内实现二分频。图2为动态分频器测试结果，此电路可在75～92GHz范围内实现二分频。 展开更多

关键词 动态分频器 HBT工艺 静态分频器 超高速 INP 南京电子器件研究所 异质结双极型晶体管 电路应用

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1．44～1．68GHz 220W硅微波脉冲功率晶体管 被引量：1

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作者 王因生 李相光 +5 位作者 傅义珠 丁晓明 王佃利 盛国兴 康小虎 陶有迁 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2006年第1期139-139,共1页

关键词 脉冲功率晶体管 南京电子器件研究所 微波 硅 功率芯片 研制成功 输出功率 功率增益 占空比 发射极

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2～11GHz GaN HEMT功率MMIC 被引量：1

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作者 陈辰 张斌 +2 位作者 陈堂胜 焦刚 任春江 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2009年第1期F0003-F0003,共1页

关键词 功率密度 MMIC HEMT GaN 高电子迁移率晶体管 南京电子器件研究所 微波单片集成电路 输出阻抗

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用于雷达T/R组件的SOI CMOS工艺射频芯片 被引量：1

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作者 陈亮 陈新宇 +1 位作者 张有涛 杨磊 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2015年第2期F0003-F0003,共1页

南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放... 南京电子器件研究所国博电子有限公司基于0．18umSOICMOS工艺研制了多款用于相控阵雷达的射频芯片，包括1-1．7GHz有源下混频器、0．7～4GHz有源下混频器、X波段6位移相器和X波段5位衰减器，芯片照片见图1。下混频器集成了射频、本振放大器，混频器以及中频放大器；X波段移相器和衰减器均集成了驱动器和ESD保护电路。该系列芯片解决了高集成度、小尺寸以及低功耗雷达T瓜组件的关键问题。 展开更多

关键词 相控阵雷达 射频芯片 T/R组件 CMOS工艺 南京电子器件研究所 SOI ESD保护电路 中频放大器

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