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CMOS反相器的电磁干扰频率效应
被引量：
9
1
作者
陈杰
杜正伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期147-151,共5页
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容...
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。
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关键词
CMOS反相器
器件物理模拟
电磁干扰
翻转
耦合
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职称材料
题名
CMOS反相器的电磁干扰频率效应
被引量：
9
1
作者
陈杰
杜正伟
机构
清华大学电子工程系
出处
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012年第1期147-151,共5页
基金
国家高技术发展计划项目
文摘
利用自主开发的2维半导体器件-电路联合仿真器,研究了CMOS反相器在1 MHz^20 GHz电磁干扰作用下的响应。仿真结果表明:低频电磁干扰通过控制CMOS反相器中MOS管的导通、截止影响CMOS反相器的正常工作;高频电磁干扰通过MOS管中的本征电容耦合到输出端,干扰CMOS反相器的工作状态;CMOS反相器对于电磁干扰的敏感度随着干扰频率上升而不断降低。
关键词
CMOS反相器
器件物理模拟
电磁干扰
翻转
耦合
Keywords
CMOS inverter
device simulation
electromagnetic interference
flip
coupling
分类号
TN386.1 [电子电信—物理电子学]
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职称材料
题名
作者
出处
发文年
被引量
操作
1
CMOS反相器的电磁干扰频率效应
陈杰
杜正伟
《强激光与粒子束》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2012
9
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