器件级带电器件模型静电放电测试标准分析及应用

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作者 江徽 唐震 +2 位作者 王倩倩 万永康 虞勇坚 《电子技术应用》 2025年第4期35-39,共5页

针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提... 针对器件级带电器件模型(CDM)静电放电国内外主要测试标准进行了整理、分析与解读。梳理了各标准之间的差异性和关联性,明确了各标准的应用范围与技术要点。深入研究了影响器件级带电器件模型(CDM)静电放电测试结果的因素与控制方法,提出了在标准应用过程中保障结果一致性和准确性的相关技术技巧,为器件级带电器件模型(CDM)测试标准的选择、测试和工程应用提供了指导。 展开更多

关键词 带电器件模型 器件级 测试标准

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带电器件模型静电放电等效仿真电路与计算分析 被引量：1

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作者 夏敏峰 张宇 +2 位作者 高志良 冯娜 万发雨 《航天器环境工程》 CSCD 2024年第4期468-475,共8页

带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进... 带电器件模型(CDM)静电放电描述的是器件自身出现静电感应带电进而形成静电放电冲击的过程,是航天器电子产品地面电装/装联过程中面临的主要静电放电风险之一。针对CDM静电放电开展等效电路模型研究与设计,对其充/放电原理及发生过程进行分析;对该等效电路模型进行理论、实验与仿真研究,考察各参数对静电放电波形特性的影响。比对验证表明,等效电路的放电波形与标准波形具有较高的一致性:CDM静电放电表现为上升沿为百ps量级、最大峰值电流为数A量级、正/负周期多次振荡的冲击信号;器件自身等效电容越大则冲击脉冲越强,通路电阻也会明显改变静电冲击波形样态。地面操作中应充分考虑CDM静电放电风险,采取措施降低静电放电对电路和器件可能造成的损伤。 展开更多

关键词 静电放电 静电防护 带电器件模型 电路分析

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三种电路仿真软件比较及器件模型加入方法 被引量：3

3

作者 孙全意 丁立波 张合 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期42-45,共4页

在比较了ＯＲＣＡＤ／ＰＳＰＩＣＥ， ＰＲＯＴＥＬ， Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｗｏｒｋｂｅｎｃｈ三种仿真软件各自特点的基础上，介绍了把基于ＳＰＩＣＥ语言的器件模型加入三种软件的方法，实现了三种软件间器件模型的互相调用功能... 在比较了ＯＲＣＡＤ／ＰＳＰＩＣＥ， ＰＲＯＴＥＬ， Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｗｏｒｋｂｅｎｃｈ三种仿真软件各自特点的基础上，介绍了把基于ＳＰＩＣＥ语言的器件模型加入三种软件的方法，实现了三种软件间器件模型的互相调用功能，开拓了三种语言的使用范围。 展开更多

关键词 电路仿真软件 SPICE语言 器件模型

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多晶硅发射区双极晶体管低温器件模型 被引量：2

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作者 吴金 郑茳 魏同立 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第10期41-44,23,共5页

在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟... 在理论分析和实验结果的基础上。建立起多晶硅发射区双极晶体管的低温(77K)模型.该模型由于考虑了低温下的多子与少子冻析效应、禁带宽度变窄效应、多晶硅发射区晶体管的发射效率增强效应及注八等器件物理效应.因而能够比较精确地模拟双极晶体管的低温电学性能. 展开更多

关键词 双极晶体管 低温 器件模型

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GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用 被引量：1

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作者 卢东旭 杨克武 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期313-315,共3页

介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中... 介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用。 展开更多

关键词 GAN高电子迁移率晶体管 I-V特性 非线性器件模型

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RTD的器件模型和模拟——共振隧穿器件讲座(9) 被引量：1

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作者 郭维廉 《微纳电子技术》 CAS 2007年第10期917-922,951,共7页

阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介... 阐述了电路模拟在设计和研制大规模集成过程中的必要性和重要意义,器件模型在电路模拟中的重要性以及器件模拟与器件模型的关系;在器件模拟通用软件形成过程的基础上重点讨论了RTD的器件模型、器件模拟和电路模拟软件SPICE三个课题;介绍了基于物理参数I-V方程RTD模型和高斯函数、指数函数RTD直流模型;利用ATLAS器件模拟通用软件对RTD进行了器件模拟,得到了势垒和势阱宽度、E区掺杂浓度等对RTDI-V特性的影响;以包含RTD电路的SPICE电路模拟中的文字逻辑门为例,通过电路模拟验证了其逻辑功能,对设计该电路起到指导和参考作用。 展开更多

关键词 器件模型 器件模拟 RTD电路 电路模拟

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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究

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作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。 展开更多

关键词 共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触

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器件模型参数的相关性分析与建模

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作者 郝跃 赵天绪 +1 位作者 马佩军 周涤非 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期19-22,共4页

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统... 本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计． 展开更多

关键词 相关性分析 集成电路 器件模型参数 设计 建模

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适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDS　SOI　MOSFET器件模型

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作者 奚雪梅 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期53-57,62,共6页

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的... 本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。模型计算结果与实验曲线吻合较好。同时，本电流模型将本征ＭＯＳＦＥＴ模型与ＬＤＤ／ＬＤＳ区分开，形式简洁，参数提取方便，便于移植入电路模拟程序中。 展开更多

关键词 LDD/LDS SOI-MOSFET 器件模型 半导体集成电路

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基于自动微分技术的器件模型参数提取算法

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作者 程彬杰 邵志标 +2 位作者 王莉萍 于忠 唐天同 《固体电子学研究与进展》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第1期8-13,共6页

自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约... 自动微分 (AD)技术以非标准分析为理论基础 ,是计算机数值计算领域中的一种很有前途的方法。文中提出了基于 AD技术的器件模型参数提取算法 ,在 Visual C+ +平台编制了模型参数提取程序 ,对所建立的基于表面势的 MOSFET模型进行了有约束条件的参数提取。结果表明 ,算法收敛快、稳定性好。 展开更多

关键词 自动微分 参数提取 金属-氧化物-半导体场效应晶体管模型 半导体器件模型 集成电路

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基于MPI的全局并行遗传算法的SOI MOS器件模型参数提取 被引量：2

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作者 宋文斌 韩郑生 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 2009年第7期261-264,268,共5页

提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOS-FET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难... 提出了将全局并行遗传算法应用于模型参数提取,并应用于标准的1.2μm CMOS/SOI工艺的SOI MOS-FET器件,一次性提取BSIMSOI3模型主要的42个直流参数.实验结果表明,该方法不依赖参数初始值、精度高、效率高,降低了SOI模型参数提取工作的难度,具有很强的通用性,易于移植优化及数据拟合. 展开更多

关键词 器件模型 参数提取 并行遗传算法 BSIMSOI模型 消息传递接口 全局优化策略

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粒子群算法和遗传算法提取闪存器件模型参数的对比 被引量：3

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作者 闫国亮 丁洁 《现代电子技术》 2022年第6期29-34,共6页

为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参... 为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参数的提取工作。首先在BSIM4中选取要进行提取的参数;然后分别通过粒子群算法和遗传算法优化得到模型参数的最优值,使最终得到的模型仿真数据尽可能拟合对应的器件物理仿真数据,也就是最小化提取模型仿真数据和物理仿真数据之间的误差。结果表明:利用粒子群优化算法可以使模型仿真数据和物理数据较好地拟合,并且最终模型的参数提取误差均在2%以下,而遗传算法提取结果的最大误差为2.8963%;在参数提取误差和计算量方面,粒子群算法都优于遗传算法。 展开更多

关键词 模型参数提取 闪存器件模型 粒子群算法 遗传算法 参数优化 数据拟合

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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究

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作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页

建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多

关键词 砷化镓异质结双极晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型

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影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量：1

14

作者 邢洁 王明湘 何健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期349-353,共5页

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 展开更多

关键词 静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型

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Verilog—A：非线性器件模型

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《世界电子元器件》 2012年第9期39-39,共1页

科锐公司推出适用于GaN无线射频器件的新Verilog-A非线性器件模型，该模型专为安捷伦的ADS以及AWR的Microwave Office等领先无线射频设计平台而研发。器件模型能够支持更为复杂的电路仿真，包括新宽带调制包络分析和4G蜂窝通信的多模式... 科锐公司推出适用于GaN无线射频器件的新Verilog-A非线性器件模型，该模型专为安捷伦的ADS以及AWR的Microwave Office等领先无线射频设计平台而研发。器件模型能够支持更为复杂的电路仿真，包括新宽带调制包络分析和4G蜂窝通信的多模式无线射频功率放大器。 展开更多

关键词 VERILOG-A 器件模型 非线性 Microwave 射频功率放大器 无线射频 OFFICE 射频器件

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基于BSIM3的超深亚微米器件建模及模型参数提取 被引量：4

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作者 陈松涛 刘晓彦 +1 位作者 杜刚 韩汝琦 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 2003年第4期406-411,共6页

对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降... 对适用于超深亚微米电路模拟的 MOSFET器件模型进行了研究 ,完成计入量子效应、多晶硅耗尽效应等基于 BSIM3的 MOSFET模型。针对阈值电压模型以及 I- V模型中的参数编写了模型参数提取程序 ,采用最小二乘法原理 ,并采用麦夸脱算法以降低参数提取结果对初值的依赖 ,对已有参数进行了修正。模型以及参数提取结果都分别进行了验证。 展开更多

关键词 BSIM3 超深亚微米器件 器件模型 参数提取 微电子技术

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静电放电器件充电模型CDM失效机理分析 被引量：3

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作者 陆坚 姜汝栋 《电子与封装》 2014年第10期39-42,共4页

CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上... CMOS集成电路进入纳米时代,电路的功能日趋复杂,面积也不断增加,电路自身存储的静电电荷对电路造成的损伤将不可忽视,在失效分析中,这种失效模型称为器件充电模型。详细介绍了器件充电模型与人体模型及机器模型在电路原理和电流波形上的不同之处,分析电路上存储电荷的机理和原因,主要是由于电路在生产和使用环境中受到静电源的感应以及电路和其他物体或空气的摩擦等造成。详细分析器件充电模型引起电路损伤的失效机理,器件充电模型作为一个电荷驱动型,其电流方向主要是由电路内部向外部流动,其电流大、上升速度快,会对电路的栅极造成损伤。 展开更多

关键词 静电放电 器件充电模型 人体模型 机器模型

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电子元器件静电放电模型及适用范围浅析 被引量：2

18

作者 王文双 许少辉 王小强 《电子质量》 2005年第8期24-25,共2页

静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基... 静电损伤在电子元器件失效中一直是一个重要的失效模式,近几十年人们对电子元器件的抗静电损伤的研究中也建立了各种模拟实际环境的静电放电模型,本文将着重介绍最基本的三种针对电子元器件的静电模型的特征及静电敏感度划分。这三种基本静电模型是:人体放电模型、带电器件放电模型、机器放电模型。 展开更多

关键词 静电放电 人体模型 机器模型 带电器件模型

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深亚微米MOSFET模型研究进展 被引量：2

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作者 周浩华 姚立真 郝跃 《电子科技》 1997年第2期11-14,共4页

文中在对深亚微米ＭＯＳＦＥＴ的器件模型的研究基础上，提出了研究ＭＯＳＦＥＴ模型值得注意的问题。

关键词 深亚微米 MOSFET 器件模型 集成电路 制造工艺

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深亚微米pHEMT器件的建模 被引量：1

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作者 韩育 高学邦 《微纳电子技术》 CAS 2003年第12期35-38,共4页

针对0.25μmpHEMT器件,建立了其小信号和非线性等效电路模型,采用窄脉冲测试技术提高了深亚微米器件的测试精度,采用改进的Materka模型提高了模型的模拟精度。已建立的两种0.25μmpHEMT模型已用于毫米波VCO和PA的设计中。

关键词 深亚微米 PHEMT器件 脉冲测试 非线性等效电路模型 半导体器件模型

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