三种电路仿真软件比较及器件模型加入方法 被引量：3

1

作者 孙全意 丁立波 张合 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2001年第6期42-45,共4页

在比较了ＯＲＣＡＤ／ＰＳＰＩＣＥ， ＰＲＯＴＥＬ， Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｗｏｒｋｂｅｎｃｈ三种仿真软件各自特点的基础上，介绍了把基于ＳＰＩＣＥ语言的器件模型加入三种软件的方法，实现了三种软件间器件模型的互相调用功能... 在比较了ＯＲＣＡＤ／ＰＳＰＩＣＥ， ＰＲＯＴＥＬ， Ｅｌｅｃｔｒｏｎｉｃｓ Ｗｏｒｋｂｅｎｃｈ三种仿真软件各自特点的基础上，介绍了把基于ＳＰＩＣＥ语言的器件模型加入三种软件的方法，实现了三种软件间器件模型的互相调用功能，开拓了三种语言的使用范围。 展开更多

关键词 电路仿真软件 SPICE语言 器件模型

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GaN功率器件模型及其在电路设计中的应用 被引量：1

2

作者 卢东旭 杨克武 +1 位作者 吴洪江 高学邦 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期313-315,共3页

介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中... 介绍了建模软件的结构和采用的新模拟方法,详细阐述了建模软件中所采用的模型以及方程,利用自主开发的窄脉冲测试系统测试GaN HEMT器件的I-V特性,并用国外先进仪器测试S参数,准确地建立GaN HEMT器件的非线性模型。建模结果在ADS软件中得到验证,并用于GaN功率单片的设计中,在生产中起到了一定的指导作用。 展开更多

关键词 GAN高电子迁移率晶体管 I-V特性 非线性器件模型

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肖特基栅型共振隧穿三极管器件模型的研究

3

作者 宋瑞良 毛陆虹 +4 位作者 郭维廉 谢生 齐海涛 张世林 梁惠来 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 北大核心 2010年第6期632-636,共5页

基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻... 基于共振隧穿二极管(RTD)的电流-电压方程,结合对肖特基栅型共振隧穿三极管(SGRTT)物理机制的分析和计算,推导出了SGRTT器件的器件模型。根据实际器件的材料结构、版图参数等指标计算得到的SGRTT器件模型,能很好地与实际器件的特性相吻合。利用PSPICE软件,该模型可准确快捷地实现电路功能验证和仿真,此项研究的结果为共振隧穿器件的电路集成和研制奠定了基础。 展开更多

关键词 共振隧穿三极管(RTT) 器件模型 肖特基接触

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器件模型参数的相关性分析与建模

4

作者 郝跃 赵天绪 +1 位作者 马佩军 周涤非 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第8期19-22,共4页

本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统... 本文基于主成份分析和因子分析，提出了集成电路（ＩＣ）器件模型参数的主成份因子统计模型，并给出了主成份因子分析的方法及其模型的建立过程．最后，以电路实例分析验证了该方法的可行性和有效性．该统计模型可用于ＩＣ性能分析和统计优化设计． 展开更多

关键词 相关性分析 集成电路 器件模型参数 设计 建模

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适于器件及电路分析的全耗尽短沟道LDD／LDS　SOI　MOSFET器件模型

5

作者 奚雪梅 王阳元 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1996年第5期53-57,62,共6页

本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的... 本文系统描述了全耗尽短沟道ＬＤＤ／ＬＤＳＳＯＩＭＯＳＦＥＴ器件模型的电流电压特性。该模型扩展了我们原有的薄膜全耗尽ＳＯＩＭＯＳＦＥＴ模型，文中着重分析了器件进入饱和区后出现的沟道长度调制效应，及由于ＬＤＤ／ＬＤＳ区的存在对本征ＭＯＳ器件电流特性的影响。模型计算结果与实验曲线吻合较好。同时，本电流模型将本征ＭＯＳＦＥＴ模型与ＬＤＤ／ＬＤＳ区分开，形式简洁，参数提取方便，便于移植入电路模拟程序中。 展开更多

关键词 LDD/LDS SOI-MOSFET 器件模型 半导体集成电路

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基于遗传算法的半导体器件模型参数提取 被引量：2

6

作者 吴涛 杜刚 +1 位作者 刘晓彦 韩汝琦 《北京大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期687-693,共7页

随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟... 随着半导体器件特征尺寸的缩小,半导体器件模型也变得越来越复杂,模型参数个数急骤增加,目标函数自变量空间的维数也变得越来越大,传统的一些基于梯度的参数提取方法已经不能很好地解决问题。遗传算法是一种应用基因工程和人工智能模拟的优化算法,近年来在半导体器件模型参数提取领域被广泛使用,这种方法能有效地克服传统参数提取方法中的一些困难。详细阐述了采用遗传算法提取半导体器件模型参数的原理,同时也指出了采用这种方法提取模型参数时的缺点和目前的一些解决方法。 展开更多

关键词 半导体 器件模型 参数提取 遗传算法 爬山法

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考虑非理想器件模型的电力电子系统状态方程分析法 被引量：3

7

作者 凌亚涛 赵争鸣 +2 位作者 杨祎 李帛洋 袁立强 《电工技术学报》 EI CSCD 北大核心 2017年第13期51-59,共9页

针对目前电力电子仿真软件存在的对功率开关器件电磁瞬态过程仿真不够准确,强刚性电路引起数值仿真计算发散等问题,提出一种基于量化状态系统(QSS)的离散状态事件驱动(DSED)仿真分析方法。该方法需要加入自动识别电力电子系统开关过程... 针对目前电力电子仿真软件存在的对功率开关器件电磁瞬态过程仿真不够准确,强刚性电路引起数值仿真计算发散等问题,提出一种基于量化状态系统(QSS)的离散状态事件驱动(DSED)仿真分析方法。该方法需要加入自动识别电力电子系统开关过程以及根据电路拓扑和所处状态自动列写状态方程的相关算法。针对该需求提出一种基于图论方法的状态方程及输出方程提取分析方法。首先,经理论分析得到,将选用的器件模型代入电路可以得到状态方程的标准形式;进而,提出电力电子系统电路的参数结构矩阵程式化列写方法,并基于此方法针对开关电路每一次开关器件切换都需要重新列写状态方程这一特点进行了相关分析。最后,对几个典型电力电子系统电路进行仿真计算,结果证明了该提取分析方法的有效性。 展开更多

关键词 状态方程分析法 器件非理想特性 器件模型 离散状态事件驱动 仿真性能

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粒子群算法和遗传算法提取闪存器件模型参数的对比 被引量：4

8

作者 闫国亮 丁洁 《现代电子技术》 2022年第6期29-34,共6页

为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参... 为了有效指导闪存单元的模型参数提取,文中基于BSIM4模型,选取了合适的模型参数,利用粒子群算法和遗传算法作对比,找到了一种最佳的闪存器件模型参数提取方法。POM分子闪存器件是一种新型浮栅闪存器件,将作为研究对象被用于文中模型参数的提取工作。首先在BSIM4中选取要进行提取的参数;然后分别通过粒子群算法和遗传算法优化得到模型参数的最优值,使最终得到的模型仿真数据尽可能拟合对应的器件物理仿真数据,也就是最小化提取模型仿真数据和物理仿真数据之间的误差。结果表明:利用粒子群优化算法可以使模型仿真数据和物理数据较好地拟合,并且最终模型的参数提取误差均在2%以下,而遗传算法提取结果的最大误差为2.8963%;在参数提取误差和计算量方面,粒子群算法都优于遗传算法。 展开更多

关键词 模型参数提取 闪存器件模型 粒子群算法 遗传算法 参数优化 数据拟合

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基于神经网络的GaAs HBT器件模型研究

9

作者 徐坤 张金灿 +2 位作者 王金婵 刘敏 李娜 《雷达科学与技术》 北大核心 2022年第2期165-172,共8页

建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)... 建立精确的模型是使用砷化镓异质结双极晶体管器件(GaAs HBT)设计集成电路的必要基础,传统经验模型建立过程复杂,在输出功率、增益、功率附加效率等功率特性方面的模拟精度不太高,给电路设计带来了一定的难度。本文利用径向基函数(RBF)神经网络算法和反向传播(BP)神经网络算法分别建立GaAs异质结双极晶体管器件的大信号模型。这些模型的训练和测试数据分别来自于测试的双端口散射参数,以及测试的直流特性和功率特性数据。然后将模型数据与实测结果进行对比,结果发现,基于神经网络的器件模型能够精确地模拟器件特性,而且RBF神经网络模型相比BP神经网络模型,误差更小,预测更精确。 展开更多

关键词 砷化镓异质结双极晶体管器件 径向基函数神经网络 反向传播神经网络 器件模型

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影响ESD荷电器件模型放电电流的关键参数研究 被引量：1

10

作者 邢洁 王明湘 何健 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2007年第4期349-353,共5页

静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整... 静电放电峰值电流是基于荷电器件放电模型的放电测试装置中波形验证的关键指标。针对影响放电峰值电流的几个因素:测试探针长度、直径、形状和充电盘绝缘介电层的厚度,研究了这些参数变化对放电峰值电流的影响规律。根据研究结果可调整相应参数,保证荷电器件放电模型的测试装置符合测试标准。基于LRC放电电路的等效模型,实验结果给出了到满意的定量或定性解释。 展开更多

关键词 静电放电 荷电器件放电模型 测试探针 LRC模型

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基于IGCT器件的阀单元串联均压特性研究

11

作者 张胤禄 汤广福 +4 位作者 魏晓光 单云海 余占清 张闻闻 张杰 《中国电机工程学报》 北大核心 2025年第16期6449-6460,I0025,共13页

基于逆阻型集成门极换流晶闸管串联阀组的特高压主动换相换流阀是构建我国新型电力系统的关键换流装备之一。由于阀臂器件主动关断不一致引起的器件间电压分布不均现象,一方面威胁器件的运行可靠性,另一方面将造成阀臂器件的过度冗余使... 基于逆阻型集成门极换流晶闸管串联阀组的特高压主动换相换流阀是构建我国新型电力系统的关键换流装备之一。由于阀臂器件主动关断不一致引起的器件间电压分布不均现象,一方面威胁器件的运行可靠性,另一方面将造成阀臂器件的过度冗余使换流阀建设成本增加。为此,该文首先通过分析集成门极换流晶闸管(intergrated gate commutated thyristors,IGCT)器件开关特性,建立基于物理特性的器件模型并通过试验数据对模型进行校核;其次,基于器件模型开展了阀最小单元的串联均压特性研究,在驱动延迟条件下分析了缓冲回路杂散电感、缓冲阻容参数对器件间不均压系数的影响,以不均压系数5%为前提给出阻容参数的选取范围。最后,提出“RCD+MOV”拓扑,并对其均压效果进行仿真分析。结果表明,所提拓扑具有较好的均压效果,当驱动延迟200ns时,不均压系数仅为2.59%,相比原拓扑降低64.7%,研究工作对今后IGCT串联阀组的均压设计具有一定参考价值。 展开更多

关键词 特高压直流输电 主动换相换流阀 IGCT器件模型 串联均压技术

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界面预制:一种高效生成原子模型的方法 被引量：1

12

作者 曹力 顾兆光 +1 位作者 孙健 王文平 《计算机辅助设计与图形学学报》 EI CSCD 北大核心 2016年第10期1622-1629,共8页

针对用于微电子元器件性能仿真的纳米尺度模型含有大量原子,直接对其进行编辑较为复杂的问题,在总结原子模型几何特征的基础上,提出一种新的建模方法.该方法预先将各种材料和不同材料间的界面设计成预制结构;在建模时,用户只需创建若干... 针对用于微电子元器件性能仿真的纳米尺度模型含有大量原子,直接对其进行编辑较为复杂的问题,在总结原子模型几何特征的基础上,提出一种新的建模方法.该方法预先将各种材料和不同材料间的界面设计成预制结构;在建模时,用户只需创建若干基本的图元,再选择各图元相应材料并将它们组合成一个复合图元;依据复合图元的材料信息选择合适的界面预制结构,最终生成设计器件的原子模型.用户调查结果表明,与现有建模方法比较,文中建模方法更为简便和高效. 展开更多

关键词 计算机辅助建模 纳米元器件模型 原子模型编辑

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一种基于斯坦福RRAM模型的参数提取方法

13

作者 孙海燕 张硕 +1 位作者 张晓波 戴澜 《半导体技术》 CAS 北大核心 2022年第8期670-675,共6页

阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反... 阻变随机存取存储器(RRAM)是一种新型非易失性存储器件,比主流的闪存(Flash)器件具有更快的读/写速度、更低的编程电压和功耗。然而由于工艺不成熟等因素,RRAM准确的器件模型需要在已有的斯坦福物理模型基础上,对多达6个曲线拟合参数反复进行调整,具有一定的建模难度。提出了一种简并参数的建模方法,通过器件实测数据计算出其中4个曲线拟合参数I_(0)、g_(0)、γ_(0)、β。该方法大大降低了将物理模型适配为实际模型的建模难度,且由于基于实测数据,该建模方法理论上对不同工艺具有适配性。最后在不同工艺条件下制作了基于HfO_(x)材料的RRAM器件,并验证了该方法的有效性、先进性和准确性。 展开更多

关键词 阻变随机存取存储器(RRAM) 非易失性存储器 器件模型 HfOx材料 导电细丝理论

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BJT动态模型参数相关提取方法

14

作者 郝跃 刘志境 《电子科学学刊》 CSCD 1996年第4期397-400,共4页

本文提出一种利用双极晶体管(BJT)静态和动态参数相关性,准确提取器件动态模型参数的新方法,并验证了该方法的可行性和实用性。

关键词 双极晶体管 器件模型 参数表征

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离子敏场效应晶体管宏模型的建立与仿真 被引量：1

15

作者 杨振 颜永红 +2 位作者 代建玮 刘继周 齐良颉 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第1期43-44,47,共3页

根据电化学表面基模型理论,提出了一种简单有效的能够描述离子敏场效应晶体管(ISFET)静态特性的仿真模型,借助此模型,对器件的电学行为进行了模拟,仿真结果与实验数据基本相符。

关键词 离子敏场效应晶体管 表面基 器件模型

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CMOS离子敏场效应管SPICE模型 被引量：1

16

作者 刘肃 韩富强 于峰崎 《传感器技术》 CSCD 北大核心 2005年第10期16-18,22,共4页

完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程... 完全用CMOS工艺实现离子敏场效应型晶体管(ISFET)成为可能,这种ISFET的栅极结构是由绝缘体、多晶硅、金属层叠起来,称之为多层栅结构。从ISFET的传感机理出发,通过分析金属氧化物场效应晶体管(MOSFET)阈值电压的原理,利用通用电路模拟程序(SPICE)建立了这种多层栅结构ISFET的物理模型,并对其静态输入输出特性进行仿真,仿真结果和试验数据基本相符。 展开更多

关键词 离子敏场效应晶体管 器件模型 通用电路模拟程序

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是德科技晶圆级解决方案平台完美集成低频噪声测量 全新的先进低频噪声分析仪提供独特的晶圆器件噪声测量和建模功能

17

《电子测量与仪器学报》 CSCD 北大核心 2016年第7期999-999,共1页

是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出最新款的高性能先进低频噪声分析仪（A-LFNA）,旨在实施快速、准确、可重复的低频噪声测量。该版本配备全新用户界面,并与是德科技的Wafer Pro Express软件紧密集成——这是一款对半导体器件执行自... 是德科技公司（NYSE：KEYS）宣布推出最新款的高性能先进低频噪声分析仪（A-LFNA）,旨在实施快速、准确、可重复的低频噪声测量。该版本配备全新用户界面,并与是德科技的Wafer Pro Express软件紧密集成——这是一款对半导体器件执行自动化晶圆级测量的平台。作为这一大框架的组成部分, 展开更多

关键词 晶圆级 低频噪声 噪声测量 建模功能 半导体器件 用户界面 器件模型 测试套件 WAFER 器件制造

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高阶显微分析技术在CDM失效问题上的应用

18

作者 晁拴社 林欣毅 +4 位作者 何潇 梅娜 杨丹 王梦华 欧阳可青 《半导体技术》 CAS 北大核心 2024年第10期934-939,共6页

带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)... 带电器件模型(CDM)是引起静电放电(ESD)失效问题的主要模型,特别是先进制程和高速射频电路,CDM的故障定位与根因分析对优化ESD设计和改善ESD防护至关重要。借助高阶显微分析技术,如等离子体聚焦离子束(PFIB)、导电原子力显微镜(C-AFM)、电子束感应电流(EBIC)、透射电子显微镜(TEM),可以快速准确地定位失效位置并确认失效机理。通过分析先进制程芯片射频电路增益降低问题,确定了CDM泄放路径与失效形貌,并解释了CDM的损伤机理。通过高阶显微分析技术研究CDM失效问题,有助于优化ESD防护电路,提高芯片可靠性。 展开更多

关键词 带电器件模型(CDM) 先进制程 高阶显微分析技术 泄放路径 失效形貌

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电力电子变换器潜在电路自动识别法 被引量：4

19

作者 梅义 丘东元 张波 《中国电机工程学报》 EI CSCD 北大核心 2009年第3期23-28,共6页

研究与开发电力电子变换器潜在电路自动识别的计算机辅助分析法,可提高所设计的电力电子变换器的安全运行可靠性。建立电路器件和拓扑的通用信息库,并根据电力电子器件的特点提出其电流特性模型,基于器件的电流特性模型和搜索算法自动... 研究与开发电力电子变换器潜在电路自动识别的计算机辅助分析法,可提高所设计的电力电子变换器的安全运行可靠性。建立电路器件和拓扑的通用信息库,并根据电力电子器件的特点提出其电流特性模型,基于器件的电流特性模型和搜索算法自动查找变换器中所有的电流路径,在此基础上,设计出"器件类"和"功能类"线索表,以自动识别变换器中所有的潜在电路。基于该方法开发的计算机辅助分析系统应用表明,它具有操作简单、自动化程度高、通用性强、准确性高等优点,可适用于复杂电力电子变换器的潜在电路分析。 展开更多

关键词 潜在电路分析 计算机辅助 器件模型 线索表 电力电子变换器

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半导体点火桥的电路模拟 被引量：2

20

作者 陈越洋 谢珺堂 +1 位作者 汪佩兰 祝侃 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期630-632,共3页

研究半导体桥的点火时间同输入能量以及电压的关系 .通过对装有 BNCP炸药的半导体点火桥的输入能量进行分析 ,结合其电阻特性 ,建立了半导体点火桥的 Pspice器件模型 .根据与实验结果的偏差 ,改进了半导体桥模型 ,使模型的适用范围从低... 研究半导体桥的点火时间同输入能量以及电压的关系 .通过对装有 BNCP炸药的半导体点火桥的输入能量进行分析 ,结合其电阻特性 ,建立了半导体点火桥的 Pspice器件模型 .根据与实验结果的偏差 ,改进了半导体桥模型 ,使模型的适用范围从低能量 (<5 m J)一直拓展到高能量 (>40 m J) .并对其在点火电路中不同发火条件下的点火时间与电压以及点火时间与能量的关系进行了模拟 ,得出了半导体桥存在最小点火时间的结论 . 展开更多

关键词 半导体点火桥 SCB 电路模拟 点火时间 输入能量 输入电压 Pspice器件模型

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