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题名制备纳米级ULSI的极紫外光刻技术
被引量：4
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作者
成立
王振宇
朱漪云
刘合祥
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机构
江苏大学电气信息工程学院
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
2005年第9期28-33,共6页
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基金
江苏省高校自然科学研究基金项目(02KJB510005)
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文摘
在下一代光刻技术中,由于极紫外光刻(EUVL)分辨率高、且具有一定的产量优势及传统光学光刻技术的延伸性,因而是IC业界制备纳米级ULSI器件的首选光刻方案之一。本文论述了EUVL技术的原理、加工工艺和设备,并对比分析了EUVL的生产成本、应用前景及其优缺点。
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关键词
超大规模集成电路
纳米半导体器件制备技术
极紫外光刻
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Keywords
ULSI
nanometer semiconductor fabrication technology
extremely ultraviolet lithography
EVVL
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分类号
TN305.7
[电子电信—物理电子学]
TN405.98
[电子电信—微电子学与固体电子学]
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题名高效叠层有机发光二极管及其制备技术
被引量：2
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作者
廖良生
王强
李述汤
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机构
苏州大学功能纳米与软物质研究院
江苏省产业技术研究院有机光电技术研究所
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出处
《中国材料进展》
CAS
CSCD
北大核心
2018年第10期745-755,共11页
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基金
国家重点研发计划项目(2016YFB0400700)
国家自然科学基金项目(51773141)。
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文摘
有机发光二极管(OLED)是通过有机材料获得电致发光的一种半导体二极管,它可广泛用于新一代信息显示和健康照明。由于OLED是一种电流驱动器件,器件的发光亮度与工作寿命具有相反的变化趋势,因此,OLED的发光亮度和工作寿命一直是其走向市场的主要障碍。为了缓解OLED发光亮度与工作寿命的内在矛盾,人们提出了叠层OLED的器件结构。叠层OLED是通过特殊的内部连接层,把多个有机发光(EL)单元在器件内部进行电学串联而形成的一种新型OLED,它可以同时具备高效率和长寿命的特点。为此,主要基于作者团队的前期工作,重点讨论了叠层OLED的设计原理及其选择内部连接层材料的几个原则;提出了器件性能的优化方法;并介绍了团队在国家"863"计划和国家重点研发计划支持下所进行的OLED生产示范线的设计与制造。最后,对我国OLED技术的产业化发展提出了简要的看法。
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关键词
叠层有机发光二极管
内部连接层
大面积显示和照明
器件制备技术
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Keywords
tandem organic light-emitting diode
intermediate connector
large-area display and lighting
device fabrication techniques
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分类号
TN383.1
[电子电信—物理电子学]
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