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周期性磁场下的GaAs/Al_(x)Ga_(1-x)As单量子阱中电子的能带结构 被引量:1
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作者 廖任远 郑永梅 +1 位作者 王仁智 李书平 《厦门大学学报(自然科学版)》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期758-763,共6页
为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响 ,采取了一种简单的可解析求解的模型 ,研究了周期性磁场下的 Ga As/ Alx Ga1 -x As单量子阱中电子的能带结构 ,发现在周期性磁场的作用下 ,在 z方向上的能量是分立的量子化能级 ,而原来在... 为了研究外磁场对量子阱中电子的能带结构的影响 ,采取了一种简单的可解析求解的模型 ,研究了周期性磁场下的 Ga As/ Alx Ga1 -x As单量子阱中电子的能带结构 ,发现在周期性磁场的作用下 ,在 z方向上的能量是分立的量子化能级 ,而原来在 x- y平面内连续的能级分裂成分立的一系列许可带 ,但是在 x方向上能量仍然是连续的 。 展开更多
关键词 周期性磁场 电子能带结构 有效质量理论
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